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UCC27332QDGNRQ1
型号：UCC27332QDGNRQ1 编号：C33328035
封装：HVSSOP-8
品牌：TI(德州仪器)
是单通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和GaN功率开关。典型峰值驱动强度为9A，可减少功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。小传播延迟通过改善系统的死区时间优化、脉冲宽度利用率、控制环路响应和瞬态性能，产生更好的功率级效率。可处理输入上的 -5V，提高了具有适度接地反弹的系统的稳健性
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    微型7A MOSFET栅极驱动器
    型号：LM5112Q1SDX/NOPB 编号：C2676985
    封装：WSON-6-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5112-Q1 具有 4V UVLO 和专用输入接地的汽车类 7A/3A 单通道栅极驱动器
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    同步降压NexFET智能功率级
    型号：CSD95490Q5MC 编号：C468252
    封装：VSON-12-EP(5x6)
    品牌：TI(德州仪器)
    CSD95490Q5MC 采用 DualCool 封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级
    数据手册

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    具备交叉导通保护和低开关损耗的汽车级120V半桥驱动器
    型号：UCC27282QDRCTQ1 编号：C1518702
    封装：VSON-10-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器 10-VSON -40 to 125
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    高级8引脚负载共享控制器
    型号：UCC29002DR 编号：C702439
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC29002 高级 8 引脚负载共享控制器
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    三相无刷直流电机栅极驱动器
    型号：DRV8329AREER 编号：C7501205
    封装：WQFN-36-EP(4x5)
    品牌：TI(德州仪器)
    65V三相半桥栅极驱动器驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET（NMOS）4.5至60V工作电压范围支持带涓流充电泵的100%PWM占空比基于自举的栅极驱动器架构 – 最大峰值源电流1000mA，最大峰值灌电流2000mA集成低输入失调电流检测放大器（针对1个分流电阻优化） – 增益可调（5、10、20、40V/V）硬件接口提供简单配置超低功耗睡眠模式，25℃时电流<1μA各相之间传播延迟匹配为4ns（典型值）独立驱动器关断路径（DRVOFF）65V耐压唤醒引脚（nSLEEP）支持SHx上高达 -10V的负瞬变6倍和3倍PWM模式支持3.3V和5V逻辑输入精确LDO（AVDD），3.3V ±3%，80mA紧凑的QFN封装和引脚布局可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值可通过DT引脚调节死区时间采用功率模块的高效系统设计集成保护功能 – PVDD欠压锁定（PVDDUV）、GVDD欠压（GVDDUV） – 自举欠压（BST_UV） – 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP） – 热关断（OTSD）故障状态指示器（nFAULT）

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    38V三相智能栅极驱动器
    型号：DRV8304SRHAR 编号：C1849480
    封装：VQFN-40-EP(6x6)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8304 具有电流分流放大器的 40V（最大值）三相智能栅极驱动器
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    高速双路MOSFET驱动器
    型号：UCC37323P 编号：C1549493
    封装：PDIP-8
    品牌：TI(德州仪器)
    具有反相输入的 4A/4A 双通道栅极驱动器 8-PDIP 0 to 70
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    5mA 有刷直流电机驱动芯片 37V
    型号：DRV8706HQRHBRQ1 编号：C3681320
    封装：VQFN-32(5x5)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器
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    UCC27512MDRSTEP
    型号：UCC27512MDRSTEP 编号：C2677110
    封装：SON-6-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    具有 5V UVLO、采用 SON 封装的增强型产品 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SON -55 to 125
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    双路输出驱动器
    型号：UC3706DW 编号：C1549459
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：TI(德州仪器)
    具有 40V VDD、40ns 下降时间且每个输出均具有两个输入的 1.5A/1.5A 双通道栅极驱动器 16-SOIC 0 to 70
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    单通道、高速、低侧栅极驱动器（具有4A峰值拉电流和8A峰值灌电流）
    型号：UCC27512DRSR 编号：C2676916
    封装：DFN-6-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    采用 SON 封装、具有 5V UVLO 和分离输出的 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SON -40 to 140
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    双5A高速低侧栅极驱动器
    型号：UCC27524D 编号：C544760
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。
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    适用于LLC谐振转换器的双通道同步整流器控制器
    型号：UCC24624DT 编号：C2862170
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    用于 LLC 转换器的高频双路同步整流器控制器 8-SOIC -40 to 125
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    20V、4A双通道低侧栅极驱动器，具有-5V输入电压能力
    型号：UCC27444DR 编号：C35949002
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27444是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和GaN电源开关。UCC27444的典型峰值驱动强度为4A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为18ns），可改善系统的死区时间优化，控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。
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    双路5A高速低侧栅极驱动器
    型号：UCC27523D 编号：C206023
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27523 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器
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    高速双路MOSFET驱动器
    型号：UCC37325DR 编号：C2677148
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。
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    高速双路MOSFET驱动器
    型号：UCC37323DR 编号：C1848354
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。
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    双5A高速低侧栅极驱动器
    型号：UCC27525DSDR 编号：C2676988
    封装：WSON-8-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。
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    100V半桥栅极驱动器
    型号：LM5108DRCT 编号：C2677092
    封装：VSON-10-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器
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    120V升压3A峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
    型号：UCC27201AD 编号：C1549352
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
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    120V升压4A峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
    型号：UCC27211ADRMT 编号：C133078
    封装：VSON-8(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。
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    单通道、7.6A 峰值电流、低端栅极驱动器
    型号：LM5114BMF/NOPB 编号：C2653799
    封装：SOT-23-6
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器
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    汽车类高频4A灌电流同步MOSFET驱动器
    型号：TPS28225TDRQ1 编号：C2677049
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS28225-Q1 具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器
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    120V升压、4A峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
    型号：UCC27211DPRR 编号：C2677328
    封装：WSON-10-EP(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140
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    80V半桥栅极驱动器
    型号：LM25101CMAX/NOPB 编号：C2869022
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器
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    65V 三相栅极驱动器
    型号：DRV8328CRUYR 编号：C5218865
    封装：WQFN-28(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器
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    带使能端的单通道9A高速低端MOSFET驱动器
    型号：UCC27322DGNR 编号：C84155
    封装：MSOP-8-EP
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27322 具有使能端的单路 9A 高速低侧 MOSFET 驱动器
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    双路5A复合栅极驱动器
    型号：LM5111-2M/NOPB 编号：C132015
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器
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    UCC27302ADRCR
    型号：UCC27302ADRCR 编号：C50092311
    封装：VSON-10(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
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