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UCC2751x单通道、高速、低侧栅极驱动器
型号：UCC27516DRSR 编号：C3655221
封装：SON-6(3x3)
品牌：TI(德州仪器)
UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。 当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。
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    具有-10V输入能力的单通道30V、10A低侧栅极驱动器
    型号：UCC27614DR 编号：C5218775
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。 可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性
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    120V升压、4A峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
    型号：UCC27211DR 编号：C2871979
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140
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    带使能端的单通道9A高速低端MOSFET驱动器
    型号：UCC27322DR 编号：C2861813
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    具有分离输出和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 105
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    高频4A灌电流同步MOSFET驱动器
    型号：TPS28225DRBR 编号：C2676914
    封装：SON-8-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器
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    100V有刷直流栅极驱动器
    型号：DRV8770RGER 编号：C3655708
    封装：VQFN-24(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8770 100V H 桥栅极驱动器
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    无刷直流BLDC电机驱动芯片 60V
    型号：DRV8303DCAR 编号：C91880
    封装：HTSSOP-48-EP-6.1mm
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8303 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器
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    PWM 低边驱动器（1.5A 和 3A）适用于电磁阀、线圈、阀门、加热器和灯泡
    型号：DRV103H/2K5 编号：C544418
    封装：SOIC-8-EP
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV103 8V 至 32V PWM 低侧驱动器 (1.5A/3A)，适用于螺线管、线圈、阀、加热器和灯
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    100V三相智能栅极驱动器
    型号：DRV8353FHRTAR 编号：C1518721
    封装：WQFN-40-EP(6x6)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V（最大值）三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器
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    GaN半桥功率级
    型号：LMG5200MOFR 编号：C2680255
    封装：QFM-9(6x8)
    品牌：TI(德州仪器)
    LMG5200 80V GaN 半桥功率级
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    LMG342xR050 600V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 GaN FET
    型号：LMG3422R050RQZR 编号：C5218881
    封装：VQFN-54(12x12)
    品牌：TI(德州仪器)
    LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET
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    双路非反相功率驱动器
    型号：UC1708J 编号：C5218819
    封装：CDIP-8
    品牌：TI(德州仪器)
    采用高速、高压肖特基工艺制造，用于连接控制功能和高功率开关设备，特别是功率MOSFET。工作电源范围为5V至35V，包含两个独立通道。A和B输入与TTL和CMOS逻辑系列兼容，可承受高达VIN的输入电压。只要不超过功耗限制，每个输出可提供或吸收高达3A的电流
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    2.5A和5A，35V最大值VDD场效应晶体管（FET）和绝缘栅双极晶体管(IGBT）单栅极驱动器
    型号：UCC27532DBVR 编号：C2677173
    封装：SOT-23-6
    品牌：TI(德州仪器)
    具有 8V UVLO、35V VDD、CMOS 输入和分离输出的 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140
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    带使能端的双路4A高速低端MOSFET驱动器
    型号：UCC27423DR 编号：C2677322
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    具有 5V UVLO、使能功能和反相输入的 4A/4A 双通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 105
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    双5A高速低侧栅极驱动器
    型号：UCC27525D 编号：C1549461
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。
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    同步降压NexFET功率级
    型号：CSD95377Q4M 编号：C553139
    封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)
    品牌：TI(德州仪器)
    CSD95377Q4M 20V 35A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级
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    工业标准驱动替换 25-ns 最大上升/下降时间 和 40-ns 最大传播延迟 2-A 峰值输出电流
    型号：TPS2814DR 编号：C2676925
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS2814 具有 2 个与门输入（每个输出各一个）的 2A/2A 双路栅极驱动器
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    汽车用H桥栅极驱动器
    型号：DRV8703QRHBRQ1 编号：C181573
    封装：QFN-32-EP(5x5)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8703-Q1 具有 SPI 控制功能的汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器
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    具有互锁功能的620V、0.5A、1.0A高侧低侧栅极驱动器
    型号：UCC27710DR 编号：C2676981
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    具有互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125
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    有刷直流电机驱动芯片 45V
    型号：DRV8702QRHBRQ1 编号：C181608
    封装：HVQFN-32-EP(5x5)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8702-Q1 汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器
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    5V、4A至6A低端氮化镓驱动器
    型号：UCC27611DRVT 编号：C139645
    封装：WSON-6-EP(2x2)
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27611是一款单通道高速栅极驱动器，针对5V驱动进行了优化，尤其适用于增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。驱动电压VREF由内部线性稳压器精确控制在5V。UCC27611具备非对称轨到轨峰值电流驱动能力，源电流为4A，灌电流为6A
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    无刷直流BLDC电机驱动芯片 60V
    型号：DRV8328ARUYR 编号：C3681415
    封装：WQFN-28(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器
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    UCC27301ADR
    型号：UCC27301ADR 编号：C41558418
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。 输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值
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    适用于汽车应用，具有 -10V 输入能力的 30V、5A 双通道低侧栅极驱动器
    型号：UCC27624QDGNRQ1 编号：C7372268
    封装：HVSSOP-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率

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    65V 三相栅极驱动器
    型号：DRV8328BRUYR 编号：C5218864
    封装：WQFN-28(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器
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    100V三相智能栅极驱动器
    型号：DRV8353RHRGZR 编号：C2868224
    封装：VQFN-48-EP(7x7)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8353R 具有降压稳压器和电流分流放大器的 102V（最大值）三相智能栅极驱动器
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    具有可调节死区时间的半桥MOSFET和GaNFET驱动器
    型号：LMG1210RVRT 编号：C2862667
    封装：WQFN-19(3x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器
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    UCC2751x单通道、高速、低侧栅极驱动器
    型号：UCC27517DBVT 编号：C2877770
    封装：SOT-23-5
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。 当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。
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    单通道、高速、低端栅极驱动器
    型号：UCC27511DBVT 编号：C154934
    封装：SOT-23-6
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器
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    单通道高速、低侧栅极驱动器，4A峰值拉电流和8A峰值灌电流
    型号：UCC27511AQDBVRQ1 编号：C2653788
    封装：SOT-23-6
    品牌：TI(德州仪器)
    具有 5V UVLO 和分离输出的汽车类 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125
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