TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8323RSRGZT 编号：C2653553

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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1+
￥33.58
10+
￥28.84
30+
￥25.96
100+
￥23.53

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型号：DRV8353FSRTAR 编号：C1518717

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V（最大值）三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器

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1+
￥40.18
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￥34.82
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￥31.78

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型号：UCC27511ADBVR 编号：C2676982

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、分离输出和 5V 输入电压处理能力的 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140

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1+
￥3.98
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￥3.25
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￥2.88
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￥2.52

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型号：UCC27323DR 编号：C2677152

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。

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1+
￥5.21
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￥4.47
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￥3.94
100+
￥3.51
500+
￥3.37

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型号：LM5109AMAX/NOPB 编号：C129332

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥7.19
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￥6.08
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￥5.46
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￥4.77
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型号：UCC27282DRMR 编号：C6902719

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282是一款坚固耐用的N沟道MOSFET驱动器，其开关节点（HS）的最大额定电压为100 V。它允许以半桥或同步降压配置为基础的拓扑结构来控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流，以及低上拉和下拉电阻，使得UCC27282能够在MOSFET米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET

1+
￥8.63
10+
￥7.71
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￥6.84

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型号：UCC27614DSGR 编号：C4154867

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性

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1+
￥8.78
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￥7.33
30+
￥6.53
100+
￥5.62
500+
￥5.22

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型号：DRV8702QRHBRQ1 编号：C181608

封装：HVQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8702-Q1 汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器

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1+
￥10.1
10+
￥8.46
30+
￥7.56

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型号：LM5060Q1MM/NOPB 编号：C2653802

封装：VSSOP-10

品牌：TI(德州仪器)

LM5060-Q1 汽车类 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

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1+
￥16.66
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￥14.34
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￥12.89
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￥11.41

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型号：DRV8353HRTAR 编号：C2150766

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

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10+
￥20.76
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￥19.376
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￥19.03
1000+
￥18.684

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型号：DRV8244HQDGQRQ1 编号：C6183904

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

1+
￥30.26
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￥26.98
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￥22.86

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型号：LMG2100R026VBNR 编号：C44231310

封装：VQFN-FCRLF-18(4.5x7)

品牌：TI(德州仪器)

集成式半桥 GaN FET 和驱动器，具有 93V 连续、100V 脉冲式电压额定值。封装经过优化，便于 PCB 布局。支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平，栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率。具有出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns），内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱动，具备电源轨欠压锁定保护，低功耗。外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热，大型 GND 焊盘实现底面散热。该器件配有用户友好型接口，提升了分立式 GaN FET 的优势，是需要小尺寸、高频、高效运行应用的理想解决方案。

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1+
￥93.98
10+
￥85.2
30+
￥82.01

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型号：UCC27517DBVT 编号：C2877770

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

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5+
￥1.3259
50+
￥1.0668
250+
￥0.8939
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￥0.7553

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型号：UCC27423DR 编号：C2677322

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、使能功能和反相输入的 4A/4A 双通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 105

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1+
￥4.6
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￥3.94
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￥3.48
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￥3.1

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型号：LM5106SD/NOPB 编号：C2876328

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥5.5242 ￥8.37
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￥4.3176 ￥7.71
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￥3.3534 ￥7.29
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￥3.1602 ￥6.87
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￥3.0728 ￥6.68
1000+
￥3.0314 ￥6.59

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型号：UCC27531QDBVRQ1 编号：C2677112

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO、35V VDD 和分离输出的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125

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1+
￥6.59
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￥5.46
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￥4.84

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型号：LM5109BSD/NOPB 编号：C544701

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥3.015773 / 个

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型号：UCC27211DR 编号：C2871979

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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1+
￥10.95
10+
￥9.08
30+
￥7.91

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型号：UCC23525CDWYR 编号：C49279569

封装：SOIC-6

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥4.24
10+
￥3.6
30+
￥3.15
100+
￥2.78
500+
￥2.66

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型号：UCC27525D 编号：C1549461

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

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1+
￥5.45
10+
￥4.93
30+
￥4.65
100+
￥4.33

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型号：UCC27624DGNR 编号：C6581862

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率开关。UCC27624 的典型峰值驱动能力为 5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为 17 ns）可优化系统的死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和瞬态性能，从而提高功率级效率

1+
￥7.49
10+
￥6.21
30+
￥5.51
100+
￥4.71

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型号：UCC27536DBVR 编号：C2677321

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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1+
￥8.78
10+
￥7.76
30+
￥7.04
100+
￥6.38

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型号：UCC27614DR 编号：C5218775

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性

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