TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：COS4424SR 编号：C5307912

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

4A，4.5V-25V，双同相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

5+
￥3.01
50+
￥2.32
150+
￥2.03
500+
￥1.66
2500+
￥1.5
4000+
￥1.4

有货

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型号：FAN7380MX-JSM 编号：C17701710

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 FAN7380是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.016 ￥3.77
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￥2.432 ￥3.04
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￥2.136 ￥2.67
100+
￥1.848 ￥2.31
500+
￥1.672 ￥2.09
1000+
￥1.584 ￥1.98

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型号：TC4426AVOA713-JSM 编号：C7466364

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：6V~25V 峰值灌电流：2.0A 峰值拉电流：2.0A

1+
￥3.1195 ￥3.67
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￥3.043 ￥3.58
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￥3.0005 ￥3.53
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￥2.9495 ￥3.47

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型号：DGD2106MS8-13 编号：C2677310

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2106M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以高端/低端配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2106M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2106M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

1+
￥3.16
10+
￥2.85
30+
￥2.69
100+
￥2.4
500+
￥2.31
1000+
￥2.26

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型号：ZXGD3003E6TA 编号：C90743

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

特性：高速、非反相单栅极驱动器，用于开关MOSFET或IGBT。可向栅极传输高达5A的峰值源/灌电流，以有效对电容性栅极负载进行充电和放电。确保MOSFET快速开关，以最大限度减少高电流开关应用中的功率损耗和失真。通常只需来自控制器的10mA输入，即可向低栅极阻抗驱动1.5A电流。应用：功率MOSFET和IGBT的栅极驱动: -AC-DC电源（SMPS）。 -DC-DC转换器

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥2.45
30+
￥2.15
100+
￥1.77
500+
￥1.6
1000+
￥1.5

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型号：NCP5106ADR2G-JSM 编号：C44606286

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

NCP5106A是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.25
10+
￥2.61
30+
￥2.28
100+
￥1.96

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型号：U3315 编号：C400134

封装：TSSOP-20

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3315/6是一款高速三相栅极驱动器，适用于功率MOSFET和IGBT器件，具备三个独立的高端和低端参考输出通道。内置的死区时间保护和直通保护功能可防止半桥损坏。欠压锁定（UVLO）电路可在VCC和VBS低于指定阈值电压时防止器件出现故障

数据手册

1+
￥3.45
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￥2.74
30+
￥2.44
100+
￥2.06
500+
￥1.72

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型号：HX34151-S 编号：C41399169

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX34151-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

1+
￥3.66
10+
￥2.95
30+
￥2.59
100+
￥2.24

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型号：TF2011M-TAH 编号：C5372145

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

中压200V, 高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.68
10+
￥3.28
30+
￥3.09
100+
￥2.89
500+
￥2.77

有货

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型号：NSG2127 编号：C41414524

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流：0.3/0.6A

1+
￥3.73
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￥3.31
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￥3.1
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￥2.9
500+
￥2.77
1000+
￥2.71

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型号：IRS2127STRPBF-JSM 编号：C7432819

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带故障报告 IRS2127是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

1+
￥3.77
10+
￥3.04
30+
￥2.67
100+
￥2.31
500+
￥2.09
1000+
￥1.98

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型号：IR21271STRPBF-JSM 编号：C18194993

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于DC-DC转换器，UPS,电动汽车快速充电等等。

1+
￥3.77
10+
￥3.04
30+
￥2.67
100+
￥2.31

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型号：FAN73832MX-JSM 编号：C7498966

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

1+
￥3.834 ￥4.26
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￥3.06 ￥3.4
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￥2.673 ￥2.97
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￥2.286 ￥2.54
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￥2.052 ￥2.28
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￥1.935 ￥2.15

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型号：TF2136M-TLH 编号：C2683765

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥3.91
10+
￥3.18
30+
￥2.81
100+
￥2.2
500+
￥1.98

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型号：IR21271STRPBF 编号：C440505

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

数据手册

1+
￥4.31
10+
￥3.51
30+
￥3.12
100+
￥2.72
500+
￥2.18
1000+
￥2.06

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型号：IRS21281STRPBF-JSM 编号：C41421794

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

1+
￥4.69
10+
￥4.22
30+
￥3.97
100+
￥3.68

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型号：SIC534CD-T1-GE3 编号：C2653469

封装：MLP4535-22L(3.5x4.5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC534是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC534采用威世（Vishay）专有的4.5 mm × 3.5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达30 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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1+
￥4.91
10+
￥4.4
30+
￥4.12
100+
￥3.724 ￥3.8
500+
￥3.5868 ￥3.66
1000+
￥3.528 ￥3.6

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型号：IR2110-MNS 编号：C47967292

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

1+
￥5
10+
￥4.05
25+
￥3.57
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￥3.1
500+
￥2.82
1000+
￥2.67

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型号：IR2110PBF-HX 编号：C52191358

封装：DIP-14

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2110PBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具独立高低端输出，兼容3.3V逻辑输入，高边驱动电压达600V，延时匹配适用于高频应用

1+
￥5
10+
￥4.05
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￥3.57
100+
￥3.1

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型号：NSG4420 编号：C46473158

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG4420是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4420逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

1+
￥5.12
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￥4.07
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￥3.55
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￥3.03
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￥2.72
1000+
￥2.56

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型号：ADP3654ARDZ-RL 编号：C659218

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥5.6028 ￥6.44
10+
￥5.481 ￥6.3
30+
￥5.394 ￥6.2
100+
￥5.307 ￥6.1

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型号：MC33152VDR2G 编号：C233740

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥5.88
10+
￥5.27
30+
￥4.94
100+
￥4.56
500+
￥4.39
1000+
￥4.31

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型号：FAN3278TMX 编号：C903510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3278是一款双通道1.5A栅极驱动器，针对在电压轨道最高值为27V的电机控制应用中驱动一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET进行了优化。内部电路将加在外部MOSFET栅极上的电压限制在最大值13V。驱动器具有TTL输入限制，提供逻辑输入的缓冲和电平转换。内部电路防止输出开关器件在V

数据手册

1+
￥5.89
10+
￥5.29
30+
￥4.96
100+
￥4.59
500+
￥4.43
1000+
￥4.35

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型号：MIC4427YM-TR 编号：C461590

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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1+
￥6.14
10+
￥4.97
30+
￥4.38

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型号：MC33152DR2G 编号：C12160

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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