TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：PDIP-8

这些驱动器采用CMOS制造，与双极型驱动器相比，功耗更低，运行效率更高。两个器件都有TTL/CMOS兼容输入，可驱动高达VDD + 0.3V或低至-5V，而不会对器件造成干扰或损坏。这消除了对外部电平转换电路及其相关成本和尺寸的需求。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭排序期间。与其他驱动器不同，这些驱动器几乎不会出现闩锁现象。它们取代了三个或更多分立元件，节省了PCB面积和元件数量，并提高了整个系统的可靠性。

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型号：MCP14E5-E/SN 编号：C635886

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5器件是一系列4.0A缓冲器/MOSFET驱动器。提供双反相、双同相和互补输出等标准逻辑选项。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5驱动器能够在4.5V至18V的单电源下工作，并且可以在15 ns（典型值）内轻松对2200 pF的栅极电容进行充放电。它们在导通和关断状态下均提供低阻抗，以确保MOSFET的预期状态不会受到影响，即使存在大的瞬态信号。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5的输入可以直接由TTL或CMOS（2.4V至18V）驱动。通过使用独立的使能功能，可以对MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5的输出进行额外控制。ENB_A和ENB_B引脚为高电平有效，并且内部上拉至VDD。在标准操作中，这些引脚可以悬空。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5双输出4.0A驱动器系列提供表面贴装和通孔封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。热增强型DFN封装的低热阻使其能够在驱动较大电容性或电阻性负载时具有更高的功率耗散能力。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们可以承受高达1.5A的反向电流回流到其输出端而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4 kV的静电放电（ESD）保护。

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型号：SLMi335CG-DG 编号：C6332183

封装：SOP-16W

品牌：Sillumin(数明半导体)

隔离驱动器是一种先进的光兼容单通道隔离栅极驱动器，用于碳化硅（SiC）/绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源米勒钳位。可提供4A峰值输出电流，具有自动故障复位功能。无后缀H的器件默认去饱和阈值为6.5V，带后缀H的器件为9V。输入侧电源工作范围为3V至18V，输出侧电源范围为14V至40V

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型号：NCP51820AMNTWG 编号：C894995

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +650 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51820 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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型号：TC1427CPA 编号：C640724

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC1426/TC1427/TC1428 是一系列 1.2A 双路高速驱动器。采用 CMOS 制造工艺，实现低功耗和高效率。这些器件采用外延层制造，可有效短路导致 CMOS 闩锁的固有寄生晶体管。它们还采用了许多其他设计和工艺改进措施，以提高长期可靠性。TC1426 与双极型 DS0026 兼容，但静态电流仅为其 1/5。TC1426/TC1427/TC1428 也与 TC426/TC427/TC428 兼容，但峰值输出电流为 1.2A，而 TC426/TC427/TC428 器件为 1.5A。其他兼容的驱动器有 TC4426/TC4427/TC4428 和 TC4426A/TC4427A/TC4428A。TC4426/TC4427/TC4428 增加了输入可通过二极管保护电路承受高达 5V 负电压的特性。TC4426A/TC4427A/TC4428A 的输入到输出上升沿和下降沿延迟 t↑01 和 tD2 相匹配，适用于处理 25 纳秒范围内的短脉冲。上述所有驱动器引脚兼容。高输入阻抗的 TC1426/TC1427/TC1428 驱动器与 CMOS/TTL 输入兼容，无需双极型器件所需的加速电路，且可由大多数 PWM 集成电路直接驱动。该系列器件有反相和同相版本。规格经过优化，以实现低成本、高性能的器件，非常适合大批量制造商。

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型号：1ED3321MC12NXUMA1 编号：C17453854

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器

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型号：TC4422AVOA 编号：C37183

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

用于超大负载线路的线路驱动器；脉冲发生器；驱动大功率的MOSFET和IGBT；本地电源开关；电机和螺线管驱动器；LF起动器。这些器件是强电流缓冲器／驱动器，能够驱动大功率MOSFET或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。除具有匹配的输出上升和下降时间外，还具有匹配的上升沿和下降沿传输时延。还具有极低的交叉导通电流，可以降低器件的总功耗。这些器件基本上不受任何干扰因素的影响，除非直接过压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内，任何情况下都不会闭锁。当接地端的地弹反射小于等于5V的情况下，这些器件不会受损或产生误操作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任何极性的大于1A的感应电流，而不会造成器件损害或逻辑混乱。另外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为4kV的静态放电。输入端可以由TTL或CMOS（3V至18V）直接驱动。此外，输入端有300mV的迟滞电压，可以防止噪声干扰，并允许使用缓慢上升或下降的波形来驱动器件。采用表面贴装和过孔封装形式，并且具有宽的工作温度范围，适合于大多数需要很高的门／线路容性驱动的应用。

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型号：MPQ6528GVE-AEC1-Z 编号：C6097576

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6528 是一款 H 桥栅极驱动 IC，可在 5V 至 60V 宽输入电压（VIN）范围内驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥。该器件集成的稳压电荷泵可产生栅极驱动电源（VREG），自举（BST）电容为高端 MOSFET（HS-FET）驱动器提供电源电压。即使在 100%占空比下，内部涓流充电电路也能维持足够的 HS-FET 栅极驱动电压。完整的保护功能包括可配置的短路保护（SCP）、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）保护、可调死区时间（DT）控制和热关断。MPQ6528 采用带有外露散热焊盘的 QFN-28（4mmx5mm）封装。

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型号：TC4421AVAT 编号：C641432

封装：TO-220-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：LT1910ES8#TRPBF 编号：C579923

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：LKS561 编号：C2798405

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS561 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。高侧驱动采用浮动电源设计，最高耐压 +300V，可承受瞬时负压，芯片电源供电范围 10~25V，有欠压保护功能，输入电平3.3/5/15V 兼容，双通道延时匹配。

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单价：
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型号：BDR6301 编号：C48579941

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

是一款高压大功率 MOS 管/IGBT管栅极驱动专用芯片,应用领域：电动工具、移动电源高压快充开关电源、变频水泵控制器、电动车控制、无刷电机驱动器等。

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型号：U3115E 编号：C22398250

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115E 是一款可在高达 +350V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

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型号：U21276 编号：C41374695

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U21276 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。采用专有 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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型号：SLM2005ECA-DG 编号：C5298378

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

200V半桥，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

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型号：EG2304 编号：C5346627

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

高压600v半桥MOS管驱动芯片

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￥1.1933
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型号：COS1415 编号：C7190312

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单反相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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型号：ZXGD3009E6TA 编号：C156293

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009E6是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达2A的峰值源极/灌电流，以对容性负载进行有效充放电。这款栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

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5+
￥1.5601
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型号：TPK20I4US5 编号：C51939652

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥1.664096 ￥2.1896
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型号：DOS2103 编号：C52140043

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：U3215C 编号：C20626026

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

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￥1.3981
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型号：HX4423-S 编号：C19186049

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX4423/4424/4425系列是一款高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器，在改进功能的同时，提供了比HX4426/4427/4428更高的输出电流版本。这些系列引脚兼容，HX4423/4424/4425驱动器专门设计用于要求更苛刻的电气环境，在额定功率和电压范围内的任何条件下都能提供可靠的服务。无论极性如何，它们都能承受接地引脚高达5V的噪声尖峰

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￥1.5
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型号：FAN3111CSX-JSM 编号：C18195023

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器。

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￥1.2848
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型号：SLM2101SCA-13GTR 编号：C461468

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:160/220 ns, DT:NA, MT:60ns

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型号：EG4427 编号：C2929102

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能双路驱动芯片

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型号：EG2153 编号：C2987446

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2153是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个振荡器，形成一款多功能，更加安全的功率驱动芯片。CT管脚具有保护关断功能，可以用一个电压信号使驱动器停止输出。VDD上电低于开启电压时，输出低电平，超过开启阈值，驱动器就能稳定的频率振荡。

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型号：COS1416R 编号：C7190315

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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￥2.35
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￥1.63
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型号：TF0216-USQ 编号：C2683769

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：SL27531 编号：C20539704

封装：SOT-23-6

品牌：Slkor(萨科微)

SL27531系列单通道、高速、低端栅极驱动器器件可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SL27531系列产品采用了从本质上降低直通电流的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，传播延迟极小，典型值为21 ns。在18 V VDD电源供电时，SL27531可提供5 A的源极和5 A的漏极峰值驱动电流

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型号：SL27524A 编号：C46061829

封装：SOIC-8

品牌：Slkor(萨科微)

是5A双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效且安全地驱动MOSFET和IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOIC-8封装使MOSFET能够以数百kHz的频率开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步MOSFET的死区时间精度直接影响转换器的效率。该驱动器能够将两个通道并联以增加输出驱动电流

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