TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

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型号：FAN7385MX-JSM 编号：C19673773

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

750V，双通道高侧驱动器电机驱动

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型号：COS4422SR 编号：C5175411

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO过温保护功能

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型号：IXDF602SIATR 编号：C3655725

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

这款双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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型号：1EDC20H12AH 编号：C530940

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：SI8233AD-D-ISR 编号：C22457486

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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型号：1ED3124MU12HXUMA1 编号：C5353840

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：TC4422AVOA713 编号：C157601

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：TC4429CPA 编号：C640801

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这些驱动器采用CMOS制造，与双极型驱动器相比，功耗更低，运行效率更高。两个器件都有TTL/CMOS兼容输入，可驱动高达VDD + 0.3V或低至-5V，而不会对器件造成干扰或损坏。这消除了对外部电平转换电路及其相关成本和尺寸的需求。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭排序期间。与其他驱动器不同，这些驱动器几乎不会出现闩锁现象。它们取代了三个或更多分立元件，节省了PCB面积和元件数量，并提高了整个系统的可靠性。

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型号：MPQ6528GVE-AEC1-Z 编号：C6097576

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6528 是一款 H 桥栅极驱动 IC，可在 5V 至 60V 宽输入电压（VIN）范围内驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥。该器件集成的稳压电荷泵可产生栅极驱动电源（VREG），自举（BST）电容为高端 MOSFET（HS-FET）驱动器提供电源电压。即使在 100%占空比下，内部涓流充电电路也能维持足够的 HS-FET 栅极驱动电压。完整的保护功能包括可配置的短路保护（SCP）、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）保护、可调死区时间（DT）控制和热关断。MPQ6528 采用带有外露散热焊盘的 QFN-28（4mmx5mm）封装。

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￥26.2568
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￥21.5355
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型号：MIC4224YM 编号：C637528

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流，并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动

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￥39.36
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￥34.09
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型号：IXDN630CI 编号：C1524123

封装：TO-220-5

品牌：Littelfuse/IXYS

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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￥58.01
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型号：2SC0108T2G0-17 编号：C1549443

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

低功耗SCALE-˙2+双驱动器内核2SC0108T2G0-17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI能力；实现了SSD；无铅）/2SC0108T2G0C-17（采用Lackwerke Peters的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本），将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器设计用于需要高可靠性的通用应用。2SC0108T2G0(C)-17可驱动所有常用的IGBT模块，最高可达600A/1200V或450A/1700V。

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型号：LKS561 编号：C2798405

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS561 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。高侧驱动采用浮动电源设计，最高耐压 +300V，可承受瞬时负压，芯片电源供电范围 10~25V，有欠压保护功能，输入电平3.3/5/15V 兼容，双通道延时匹配。

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单价：
￥0.378 / 个

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型号：BDR6301 编号：C48579941

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

是一款高压大功率 MOS 管/IGBT管栅极驱动专用芯片,应用领域：电动工具、移动电源高压快充开关电源、变频水泵控制器、电动车控制、无刷电机驱动器等。

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￥0.5267
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￥0.4187
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￥0.3647
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￥0.3242
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型号：U3115C 编号：C19193019

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥0.6529
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￥0.5089
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￥0.4369
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￥0.3829
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￥0.3397

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型号：U3115E 编号：C22398250

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115E 是一款可在高达 +350V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

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￥0.7912
50+
￥0.6232
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￥0.5391
500+
￥0.4761
2500+
￥0.4257

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型号：U2106C 编号：C19193020

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.9085
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￥0.7069
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￥0.6205
500+
￥0.5127

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型号：NSG0462UQ 编号：C41414784

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。此外，采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。为PMOS和NMOS输出10V门电源电压，为了简化PCB设计，集成了一个5V/40mA的LDO，用于为MCU或其他芯片供电。此外出于安全考虑，还集成了热关闭保护。

5+
￥0.9257
50+
￥0.8052
150+
￥0.7535
500+
￥0.689
2500+
￥0.6603

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型号：MX27517 编号：C19078226

封装：SOT-23-6L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

低边驱动单通道，低边驱动，耐压20V，SOT23-6

5+
￥0.9439
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￥0.7423
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￥0.6559
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￥0.5481
3000+
￥0.4529

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型号：SFD2606S 编号：C44606284

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SFD2606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SFD2606S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥1.0685
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￥1.0426
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￥1.0253
500+
￥1.008

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型号：U1001A 编号：C41374694

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U1001A 是一款单通道 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相关的低端参考输出通道。专有高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 MOS 或低功耗肖特基 TTL 输出兼容，低至3.3V

5+
￥1.6147
50+
￥1.2619
150+
￥1.1107
500+
￥0.9221

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型号：NSG27517 编号：C7421046

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、双输入（IN+&IN-)、拉/灌电流：4/4A，输入耐受低至-10V

5+
￥1.6896
50+
￥1.3293
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￥1.1749
500+
￥0.9822
3000+
￥0.8965

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型号：EG2005 编号：C48580020

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2005是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

5+
￥1.7325
50+
￥1.3696
150+
￥1.2141
500+
￥1.02
2500+
￥0.9336

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型号：EG12522 编号：C48580024

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG12522是一款高性价比的双管正激专用半桥驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路，专用于双管正激电源场合。

5+
￥1.7325
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￥1.3696
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￥1.2141
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￥1.02
2500+
￥0.9336

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型号：NSG6000 编号：C41414489

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.6/1.0A

5+
￥1.8859
50+
￥1.5671
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￥1.4305
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￥1.26
2500+
￥1.1841

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型号：EG2106 编号：C480655

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2106高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

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5+
￥2.0125
50+
￥1.5226
150+
￥1.3126
500+
￥1.0507

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型号：EG2104D 编号：C20416233

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104D是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104D高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V-25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

5+
￥2.0174
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￥1.5638
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￥1.3694
500+
￥1.1269

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型号：APR346K6TR-G1 编号：C2650178

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

APR346 是一款用于同步整流的次级侧 MOSFET 驱动器，支持连续导通模式（CCM）、不连续导通模式（DCM）和准谐振反激拓扑。同步整流可有效降低次级侧整流器的功耗，并提供高性能解决方案。通过检测初级 MOSFET 的栅源电压，APR346 只需较少的外部元件即可输出理想的驱动信号

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￥2.208 ￥2.3
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￥1.7458 ￥2.03
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￥1.4516 ￥1.91
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￥1.3376 ￥1.76
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￥1.292 ￥1.7
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￥1.2616 ￥1.66

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型号：SL27511A 编号：C46061828

封装：SOT-23-6L

品牌：Slkor(萨科微)

是一款4A峰值源电流和8A峰值灌电流驱动的单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效且安全地驱动MOSFET、IGBT和新兴的WBG功率开关。低传播延迟和紧凑的SOT23封装可实现数百kHz的快速开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步MOSFET的死区时间精度直接影响转换器的效率。宽VDD工作范围为4.5V至20V，可有效驱动MOSFET或GaN功率开关。集成的欠压锁定（UVLO）保护可确保在异常条件下输出保持低电平。独立输入范围为 -5V至24V，可确保在寄生电感引起的下冲或过冲情况下稳定运行。输入阈值与TTL输入兼容。

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￥2.2859
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