TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

NSG21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

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型号：FAN73901MX-JSM 编号：C7498960

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

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￥3.927 ￥4.62
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￥2.9495 ￥3.47

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型号：M81740FP-JSM 编号：C44606287

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

M81740FP是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

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型号：IRS2008STRPBF-JSM 编号：C18194972

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：MAX4427EPA-JSM 编号：C20616631

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带上下电保护、欠压保护 MAX4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。MAX4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

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型号：SLM2181CA-DG 编号：C2986826

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:180/200 ns， DT:NA; MT:35ns

数据手册

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型号：IRS2308STRPBF-JSM 编号：C18194985

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS2308S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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型号：SCT52240STDR 编号：C509057

封装：SOP-8

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT52240是一款宽电源、双通道、高速、低端栅极驱动器，适用于功率MOSFET和IGBT。每个通道可提供和吸收4A的峰值电流，并具备轨到轨输出能力。24V电源轨增强了功率器件转换期间驱动器输出的抗振铃能力

数据手册

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型号：IR2110PBF-HX 编号：C52191358

封装：DIP-14

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2110PBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具独立高低端输出，兼容3.3V逻辑输入，高边驱动电压达600V，延时匹配适用于高频应用

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型号：IRS2128STRPBF-JSM 编号：C41421793

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电机控制和驱动，电动汽车快速充电。

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￥4.62
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￥3.65

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型号：XJNG21531D 编号：C53190624

封装：SOP8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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型号：IR2113-MNS 编号：C47967296

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

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型号：TFB0504-NHP 编号：C7436033

封装：TDFN-10

品牌：TFSS(德律风根)

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.26
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￥3.28

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型号：IR2127STRPBF-JSM 编号：C7432818

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IR2127S是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

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￥3.0422 ￥3.71

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型号：TF0579U-NHP 编号：C22375958

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：TFSS(德律风根)

100V, 单相, 内置自举二极管高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.426 ￥7.14
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型号：FAN7385MX-JSM 编号：C19673773

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

750V，双通道高侧驱动器电机驱动

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￥6.632 ￥8.29
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型号：MC33152VDR2G 编号：C233740

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

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￥6.64
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￥5.95
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￥5.57
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￥5.14
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￥4.95

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型号：NSD1624-DSPR 编号：C5290345

封装：SOP-8_150mil

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1624是一款高压高低侧栅极驱动器，能够提供4A的灌电流和拉电流，以驱动功率MOSFET或IGBT。高端部分采用创新且成熟的隔离技术，设计可承受超过1200V的直流电压。NSD1624具备同类产品中最佳的传播延迟、低静态电流，以及SW引脚具有高负向和dv/dt抗扰度

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￥7.49
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￥3.64

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型号：IRS21844STRPBF-JSM 编号：C7498968

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相。大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥9.1675 ￥9.65
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￥7.6285 ￥8.03
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￥5.206 ￥5.48

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型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

数据手册

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￥12.0714 ￥12.98
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￥9.9185 ￥11.95
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￥8.2563 ￥11.31
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￥7.7745 ￥10.65
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￥7.5555 ￥10.35
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￥7.4606 ￥10.22

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型号：IXDI609SIA 编号：C1549670

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

数据手册

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￥12.52
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￥10.56
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￥9.33
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￥8.07
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￥7.51

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型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

数据手册

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￥13.8043 ￥18.91
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￥10.1682 ￥16.14
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￥7.632 ￥14.4
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￥6.6886 ￥12.62
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￥6.2646 ￥11.82
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￥6.0791 ￥11.47

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型号：MP1923GS-Z 编号：C6306878

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1923是一款高频N沟道MOSFET半桥栅极驱动器。该器件的低端MOSFET（LS - FET）和高端MOSFET（HS - FET）驱动通道可独立控制，且延时匹配在5ns以内。在供电不足的情况下，器件的高端MOSFET和低端MOSFET欠压锁定（UVLO）保护会强制输出为低电平

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￥20.727
50+
￥18.1054
100+
￥16.4669

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型号：IXDD614YI 编号：C1556549

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

数据手册

1+
￥33.78
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￥28.95
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￥26.08
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￥23.18

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型号：MP86956GMJ-Z 编号：C6595839

封装：LGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86956是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，MP86956可实现70A的连续输出电流。MP86956采用单片IC方案，每相可驱动高达70A的电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86956的工作频率范围为100kHz至3MHz。MP86956具备多种特性，可简化系统设计。它可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86956非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。该器件提供LGA和TLGA（5mmx6mm）封装。

1+
￥38.5867
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￥37.3717
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￥33.4254
500+
￥28.428
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￥21.2186

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型号：LT1158ISW#TRPBF 编号：C662899

封装：SO-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

数据手册

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￥56.0032 ￥65.12
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￥55.2636 ￥64.26
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￥53.9736 ￥62.76
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￥52.847 ￥61.45

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型号：LKS570 编号：C22447892

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS570 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +250V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。

单价：
￥0.3596 / 个

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型号：NSG3021 编号：C53436444

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

5+
￥0.40293 ￥0.4477
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￥0.39492 ￥0.4388
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￥0.38952 ￥0.4328
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￥0.38421 ￥0.4269

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型号：LKS561 编号：C2798405

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS561 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。高侧驱动采用浮动电源设计，最高耐压 +300V，可承受瞬时负压，芯片电源供电范围 10~25V，有欠压保护功能，输入电平3.3/5/15V 兼容，双通道延时匹配。

数据手册

单价：
￥0.414 / 个

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型号：NSG531 编号：C53436481

封装：SOT-23-5

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥0.47754 ￥0.5306
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￥0.468 ￥0.52
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￥0.4617 ￥0.513
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￥0.45531 ￥0.5059

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