TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSG5183 编号：C52975935

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥4.44
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型号：JSM2113STR 编号：C18195292

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有独立的高低侧传输通道 JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。

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型号：NCP1393BDR2G 编号：C380792

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术，该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻，驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节

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型号：NSD1025E-DHMSR 编号：C5439828

封装：MSOP-8

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1025E 是一款宽电源、同相、双通道、高速、低端栅极驱动器，适用于 MOSFET 和 IGBT。它能够向容性负载提供 5A 的灌电流和拉电流，同时具备轨到轨输出，以减少 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。快速的上升和下降时间以及两个输出通道匹配的传播延迟，使 NSD1025E 适用于高频电源转换器应用

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￥5.59
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型号：COS3122SR 编号：C30212522

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-18V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

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型号：MIC4424YM-TR 编号：C511339

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4423/4424/4425系列是高可靠性的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器。它们是MIC4426/4427/4428的高输出电流版本，而MIC4426/4427/4428是MIC426/427/428的改进版本。这三个系列的引脚均兼容

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型号：NCV5701ADR2G 编号：C603967

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5701 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包含感应加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中等到高功率应用。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5701A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5701C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5701B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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￥6.03
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型号：FAN7392MX-MNS 编号：C47967295

封装：SOP-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392MX 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。

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￥6.59
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型号：2EDL05N06PF 编号：C533066

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容

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￥6.6564 ￥7.74
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型号：TC4427COA713 编号：C144205

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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￥7.56
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￥5.81
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￥5.22
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型号：MAX5048BAUT 编号：C3655031

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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型号：IR2111STRPBF 编号：C520630

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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￥9.0904 ￥10.33
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型号：NCV7718BDQR2G 编号：C513035

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7718B/C由十二个DMOS功率驱动器（六个PMOS高端驱动器和六个NMOS低端驱动器）组成，这些驱动器配置为六个半桥，可实现三个独立的全桥操作。每个输出驱动器的最大直流负载为550 mA，典型浪涌能力为2 A（在VSx = 13.2 V时）。必须严格遵守集成电路管芯温度要求

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￥11.6
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￥8.94
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型号：MP1907GQ-Z 编号：C91944

封装：QFN-10(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP1907是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道可独立控制，且延时匹配误差小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源供电不足时会强制其输出为低电平

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￥15.1561
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￥12.8622
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￥6.8817

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型号：MCP14A1202T-E/SN 编号：C622986

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14A1201/2 器件是高速 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 12.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择：反相（MCP14A1201）和同相（MCP14A1202）。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及匹配的传播延迟，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A1201/2 系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效使能引脚可拉低，以使 MCP14A1201/2 的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们能够承受高达 500 mA 的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达 2 kV（HBM）和 200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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￥15.35
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￥13.03
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￥11.58
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型号：AUIRS2181STR 编号：C533513

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS2181(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥17.52
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￥12.8

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型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

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￥18.91
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￥16.14
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型号：2SC0435T2G1-17 编号：C1524114

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

SCALE™ - 2+双驱动器内核2SC0435T2G1 - 17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI性能；无铅）/ 2SC0435T2G1C - 17（采用Lackwerke Peters公司的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本）将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器专为要求高可靠性的通用应用而设计。2SC0435T2G1(C) - 17可驱动所有常见的最高1700V的高功率IGBT模块

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￥348.2
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￥329.72

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型号：UCC27517DBVR-TP 编号：C51939678

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥0.804688 ￥1.0588
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￥0.473784 ￥0.6234
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￥0.433656 ￥0.5706
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￥0.409564 ￥0.5389

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型号：EG3033 编号：C20416138

封装：QFN-16(3x3)

品牌：EG(屹晶微)

EG3033 是一款高性价比三相PMOS、NMOS 管栅极驱动专用芯片，内部集成了LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。 EG3033 的电源电压范围 6V~36V ，静态功耗小于1mA。该芯片集成5V 输出LDO，可为外部MCU等器件供电。

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￥0.8263
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型号：MCP1415T-E/OT(UMW) 编号：C20623196

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

MCP1415/6 器件是一款用于功率 MOSFET 和 IGBT 的低电压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁 CMOS 技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。MCP1415/6 的逻辑输入电平与低至 3V 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容

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￥0.9711
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型号：G2020Q 编号：C41414473

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

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￥1.1605
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型号：U3117SD 编号：C52953430

封装：SOP-10

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

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型号：U3118SD 编号：C52953431

封装：SOP-10

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

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￥1.2123
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型号：IRS2005STR(UMW) 编号：C20623177

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2005STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基晶体管 - 晶体管逻辑（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：EG2226 编号：C20416242

封装：SSOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG2226是一款高性价比的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2226高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-Δ 0.6/1.0A，采用SSOP16封装。

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￥1.4041
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型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

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￥1.4916
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型号：UCC27324DR(UMW) 编号：C20623189

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW UCC27324DR 是一款功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。UMW UCC27324DR 在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高抗闩锁能力

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型号：HP3000-AA000-SP08R 编号：C22394786

封装：SOP-8L

品牌：Hynetek(慧能泰)

HP3000 是慧能泰 HySwitch 产品系列下一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 HP3000的典型峰值驱动强度为5 A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 22 ns），可改善系统的死区时间，优化控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。通道数:2 输出电流:5 A 输入电压（最小）:4.5 V 输入电压（最大）:30 V 工作温度范围：-40 到 150 ℃ 输入负向耐压：-12 V

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型号：EG27517 编号：C2987449

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小。

数据手册

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