TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：JSM27517 编号：C19077363

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单通道栅极驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 采用 SOT-23-5 封装具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

5+
￥1.71216 ￥2.1402
50+
￥1.36944 ￥1.7118
150+
￥1.22256 ￥1.5282
500+
￥1.03936 ￥1.2992
3000+
￥0.95776 ￥1.1972
6000+
￥0.90872 ￥1.1359

有货

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型号：UCC27519DBVR-JSM 编号：C7466357

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

5+
￥1.328 ￥1.66
50+
￥1.16 ￥1.45
150+
￥1.088 ￥1.36
500+
￥1 ￥1.25
3000+
￥0.96 ￥1.2
6000+
￥0.936 ￥1.17

有货

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型号：EG3012S 编号：C2987452

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽11V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥1.364
50+
￥1.0701
150+
￥0.9441
500+
￥0.7869
2500+
￥0.6468

有货

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型号：TPNCP51100ASNT1G 编号：C51939663

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.408128 ￥1.8528
50+
￥1.113172 ￥1.4647
150+
￥0.986784 ￥1.2984
500+
￥0.829084 ￥1.0909
3000+
￥0.75886 ￥0.9985
6000+
￥0.71668 ￥0.943

有货

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型号：GT4426DTR 编号：C19267458

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

栅极驱动IC 负载类型：MOSFET ,工作范围：4.5V~25V，输出峰值电流：2A,最大输入负压可达 -5V，宽温度范围：-40℃~ 125℃，锁存保护：可承受 0.5A 反向电流，传播延时：40ns

1+
￥1.584 ￥1.98
10+
￥1.384 ￥1.73
30+
￥1.296 ￥1.62
100+
￥1.192 ￥1.49
500+
￥1.144 ￥1.43
1000+
￥1.112 ￥1.39

有货

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型号：JSM5109G 编号：C19077361

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低至3.3V

5+
￥1.5901
50+
￥1.2373
150+
￥1.0861
500+
￥0.8975
2500+
￥0.8695
4000+
￥0.819

有货

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型号：G2060 编号：C7421051

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.5/1.8A

1+
￥1.65
10+
￥1.43
30+
￥1.33
100+
￥1.21
500+
￥1.16
1000+
￥1.13

有货

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型号：EG27519 编号：C2987450

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG27519单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，外围器件少。

数据手册

5+
￥1.7003
50+
￥1.3375
150+
￥1.1819
500+
￥0.9879

有货

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型号：EG12521 编号：C2929087

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

一款高性价比的双管正激高压驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路，专用于双管正激电源、无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽4V-20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + /-0.8/1.2A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥1.8603
50+
￥1.4684
150+
￥1.3004
500+
￥1.0909
2500+
￥0.933

有货

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型号：JSM27519 编号：C19077364

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM27519 器件是一款用于低电压功率 MOSFET 和 IGBT 的同相栅极驱动器。专有的抗闭锁 CMOS 技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。JSM27519 的逻辑输入电平与低至 3 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容

5+
￥1.888 ￥2.36
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￥1.48 ￥1.85
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￥1.312 ￥1.64
500+
￥1.096 ￥1.37
3000+
￥1 ￥1.25
6000+
￥0.936 ￥1.17

有货

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型号：NSG2106 编号：C53436222

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

5+
￥2.06361 ￥2.2929
50+
￥1.65672 ￥1.8408
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￥1.48239 ￥1.6471
500+
￥1.26477 ￥1.4053
2500+
￥1.16793 ￥1.2977
4000+
￥1.10979 ￥1.2331

有货

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型号：EG6288 编号：C54102120

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

5+
￥2.1656
50+
￥1.712
150+
￥1.5176
500+
￥1.275
2500+
￥1.167

有货

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型号：EG2105D 编号：C53128421

封装：MSOP-10

品牌：EG(屹晶微)

5+
￥2.1656
50+
￥1.712
150+
￥1.5176
500+
￥1.275
2500+
￥1.167

有货

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型号：BP6830 编号：C7498955

封装：SOP-16

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三相高速功率MOSFET驱动器

1+
￥2.184 ￥2.73
10+
￥1.936 ￥2.42
30+
￥1.816 ￥2.27
100+
￥1.688 ￥2.11
500+
￥1.616 ￥2.02
1000+
￥1.584 ￥1.98

有货

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型号：EG2184S 编号：C48580027

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2184S 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。

1+
￥2.32
10+
￥2.04
30+
￥1.92
100+
￥1.77
500+
￥1.7
1000+
￥1.66

有货

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型号：TF2304M-TAH 编号：C2683759

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.3545 ￥2.77
10+
￥2.125 ￥2.5
30+
￥2.006 ￥2.36
100+
￥1.887 ￥2.22
500+
￥1.649 ￥1.94
1000+
￥1.6065 ￥1.89

有货

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型号：TPM27524-DF4R 编号：C5211279

封装：DFN-8(2x2)

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源电流和灌电流能力，可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最大25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力，提高了系统的鲁棒性，尤其在嘈杂的工业应用中。超低传播延迟和两个通道之间的出色匹配，适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成，允许客户根据应用需求进行选择。封装范围广泛，支持SOP8、EMSOP8和DFN3X3-8，符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源模块中超紧凑型同步整流器的设计。

5+
￥2.62
50+
￥2.02
150+
￥1.76
500+
￥1.44

有货

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型号：DRV8300DRGER-JSM 编号：C41421801

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

DRV8300D是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。 DRV8300D输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。

1+
￥3.12
10+
￥2.41
30+
￥2.11
100+
￥1.73

有货

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型号：IR2136STRPBF-JSM 编号：C7466365

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

1+
￥3.184 ￥3.98
10+
￥2.824 ￥3.53
30+
￥2.648 ￥3.31
100+
￥2.464 ￥3.08
500+
￥2.36 ￥2.95
1000+
￥2.304 ￥2.88

有货

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型号：TC4424VPA-JSM 编号：C20616626

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道同相 4A 超高速功率开关驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 带上下电保护、欠压保护。-40 to 125

1+
￥3.357 ￥3.73
10+
￥2.952 ￥3.28
50+
￥2.754 ￥3.06
100+
￥2.547 ￥2.83
500+
￥2.43 ￥2.7
1000+
￥2.367 ￥2.63

有货

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型号：SLM21867CA-DG 编号：C496627

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：7-20V，HI/LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

数据手册

1+
￥3.86
10+
￥3.09
30+
￥2.71

有货

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型号：NSG5183 编号：C52975935

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

1+
￥4.44
10+
￥3.6
30+
￥3.18
100+
￥2.76
500+
￥2.51
1000+
￥2.38

有货

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型号：FD6287T 编号：C2688380

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6287T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达 +250V 电压下工作。FD6287T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD6287T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。FD6287T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

1+
￥4.47
10+
￥3.53
30+
￥3.06
100+
￥2.6
500+
￥2.32
1000+
￥2.17

有货

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型号：JSM2136STR 编号：C19077366

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

1+
￥4.48 ￥5.6
10+
￥3.608 ￥4.51
30+
￥3.168 ￥3.96
100+
￥2.736 ￥3.42
500+
￥2.6 ￥3.25
1000+
￥2.464 ￥3.08

有货

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型号：NSD1025-DSPR 编号：C3029745

封装：SOP-8

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1025是一款宽电源、同相、双通道、高速、低端栅极驱动器，适用于MOSFET和IGBT。它能够向容性负载提供5A的灌电流和拉电流，同时具备轨到轨输出，可减少MOSFET开关转换期间的米勒效应。快速的上升和下降时间以及两个输出通道匹配的传播延迟，使NSD1025适用于高频功率转换器应用

数据手册

1+
￥4.53
10+
￥3.59
30+
￥3.12
100+
￥2.66
500+
￥2.38
1000+
￥2.23
2500+
￥2.2
5000+
￥2.18

有货

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型号：NCP1393BDR2G 编号：C380792

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术，该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻，驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节

数据手册

1+
￥4.82
10+
￥3.85
30+
￥3.33
100+
￥2.85
500+
￥2.56
1000+
￥2.42

有货

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型号：NCV5701ADR2G 编号：C603967

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5701 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包含感应加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中等到高功率应用。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5701A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5701C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5701B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

数据手册

1+
￥4.86
10+
￥4.39
30+
￥4.15
100+
￥3.92
500+
￥3.3
1000+
￥3.23

有货

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型号：TF2136M-TR 编号：C7466366

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

1+
￥4.879 ￥5.74
10+
￥3.9525 ￥4.65
30+
￥3.485 ￥4.1
100+
￥3.026 ￥3.56
500+
￥2.754 ￥3.24
1000+
￥2.6095 ￥3.07

有货

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型号：EG2125 编号：C2987445

封装：SSOP-24

品牌：EG(屹晶微)

EG2125是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2125高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.8/1.3A，采用SSOP24封装。

数据手册

1+
￥5.01
10+
￥3.96
30+
￥3.44
100+
￥2.92
500+
￥2.53
1000+
￥2.37

有货

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型号：COS3122SR 编号：C30212522

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-18V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

1+
￥5.27
10+
￥4.74
30+
￥4.45
100+
￥4.13
500+
￥3.78
1000+
￥3.71

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