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首页 > 热门关键词 > TIMOS驱动
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IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,并且该驱动器几乎不会发生闩锁
数据手册
  • 1+

    ¥56.8
  • 10+

    ¥48.72
  • 50+

    ¥43.8
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    ¥39.67
  • 有货
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      ¥4.509 ¥5.01
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      ¥3.708 ¥4.12
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      ¥3.303 ¥3.67
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      ¥2.907 ¥3.23
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      ¥2.664 ¥2.96
    • 1000+

      ¥2.547 ¥2.83
  • 有货
  • 高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥4.54
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      ¥4.04
    • 30+

      ¥3.79
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      ¥3.54
    • 500+

      ¥3.22
    • 1000+

      ¥3.14
  • 有货
  • 具有独立的高低侧传输通道 JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑,可用于故障条件下的通断关断。
    • 1+

      ¥4.84 ¥6.05
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      ¥3.976 ¥4.97
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      ¥3.504 ¥4.38
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      ¥2.968 ¥3.71
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      ¥2.728 ¥3.41
    • 1000+

      ¥2.616 ¥3.27
  • 有货
  • MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器,专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑,输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响,还有两路高电流图腾柱输出,极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定,以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.22
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      ¥4.15
    • 30+

      ¥3.62
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      ¥3.09
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      ¥2.77
    • 1000+

      ¥2.6
  • 有货
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      ¥5.53
    • 10+

      ¥4.49
    • 30+

      ¥3.97
    • 100+

      ¥3.45
    • 500+

      ¥3.14
    • 1000+

      ¥2.98
  • 有货
  • 高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 单价:

      ¥6.02 / 个
  • 有货
  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~25V 峰值灌电流:350mA 峰值拉电流:210mA
    • 1+

      ¥7.488 ¥9.36
    • 10+

      ¥6.192 ¥7.74
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      ¥5.48 ¥6.85
    • 100+

      ¥4.68 ¥5.85
    • 500+

      ¥4.32 ¥5.4
    • 1000+

      ¥4.16 ¥5.2
  • 有货
  • 双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟,结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺,可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和(安全)次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度,适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET,也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.53
    • 10+

      ¥7.99
    • 30+

      ¥7.03
    • 100+

      ¥6.05
    • 500+

      ¥5.6
  • 有货
  • 是一款隔离电压为2500Vrms的栅极驱动器,I/O延迟时间为75ns,最小输入脉冲宽度为60ns。它集成了欠压锁定(UVLO)功能和米勒钳位功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.74
    • 10+

      ¥7.98
    • 30+

      ¥7.02
    • 100+

      ¥5.93
    • 500+

      ¥5.44
  • 有货
  • 电流隔离4 A单重栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥10.02
    • 10+

      ¥8.33
    • 30+

      ¥7.39
    • 100+

      ¥6.34
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      ¥5.35
    • 1000+

      ¥5.14
  • 有货
  • SLMi332隔离驱动器是一款先进的光兼容单通道隔离IGBT栅极驱动器,具备有源保护功能,如去饱和检测、欠压锁定(UVLO)、隔离故障检测和有源密勒钳位。SLMi332可提供2.5A的峰值输出电流。对于无后缀H的器件,默认去饱和阈值为6.5V;对于有后缀H的器件,默认去饱和阈值为9V
    • 1+

      ¥10.87
    • 10+

      ¥9.11
    • 30+

      ¥8.14
    • 100+

      ¥7.04
    • 500+

      ¥6.56
  • 有货
  • 高压高侧/低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥10.88
    • 10+

      ¥9.16
    • 30+

      ¥8.09
    • 100+

      ¥6.99
    • 500+

      ¥6.49
    • 1000+

      ¥6.27
  • 有货
  • MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器,具有单输出,峰值驱动电流能力达 6A,直通电流低,上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容,是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电,在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗,以确保即使存在大的瞬态信号,MOSFET 的预期状态也不会受到影响
    数据手册
    • 1+

      ¥16.24
    • 10+

      ¥14.02
    • 30+

      ¥12.64
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      ¥10.45
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      ¥9.81
  • 有货
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      ¥21.52
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      ¥18.44
    • 30+

      ¥16.61
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      ¥14.75
    • 500+

      ¥13.9
    • 1000+

      ¥13.51
  • 有货
  • MP6539是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥,耐压高达100V。MP6539使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平,内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护(OCP)、可调死区时间控制、欠压锁定(UVLO)和热关断。MP6539提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28(9.7mmx6.4mm)和QFN - 28(4mmx5mm)封装。
    • 1+

      ¥22.2836
    • 50+

      ¥19.662
    • 100+

      ¥18.2693
  • 有货
    • 1+

      ¥29.06
    • 10+

      ¥24.78
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      ¥22.23
    • 100+

      ¥19.65
    • 500+

      ¥18.46
    • 1000+

      ¥17.92
  • 有货
  • IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力(2 A 源电流、3 A 灌电流),且静态电流需求低,这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护,并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障,从而防止过电压并减少电磁辐射
    数据手册
    • 1+

      ¥37.86
    • 10+

      ¥33.63
    • 30+

      ¥31.11
    • 100+

      ¥28.57
  • 有货
  • BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平,支持3.3V 应用;输出级可以提供较高的峰值电流驱动,采用绿色环保的SOP8 封装。
    • 5+

      ¥0.4598
    • 50+

      ¥0.3998
    • 150+

      ¥0.3698
    • 500+

      ¥0.3473
    • 2500+

      ¥0.3293
    • 4000+

      ¥0.3203
  • 有货
    • 5+

      ¥0.905236 ¥1.1911
    • 50+

      ¥0.715616 ¥0.9416
    • 150+

      ¥0.634372 ¥0.8347
    • 500+

      ¥0.532988 ¥0.7013
    • 3000+

      ¥0.487844 ¥0.6419
    • 6000+

      ¥0.460712 ¥0.6062
  • 有货
  • 一款高压半桥栅极驱动芯片,设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力,直通防止和死区时间,防止功率管发生直通,有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT,浮地通道工作电压最高可达300V。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9329
    • 50+

      ¥0.7313
    • 150+

      ¥0.6449
    • 500+

      ¥0.5107
    • 2500+

      ¥0.4627
  • 有货
  • 应用于交换式电源,开关变换器,通用栅驱动器。
    • 5+

      ¥0.96792 ¥1.2099
    • 50+

      ¥0.83352 ¥1.0419
    • 150+

      ¥0.77592 ¥0.9699
    • 500+

      ¥0.704 ¥0.88
    • 3000+

      ¥0.6912 ¥0.864
    • 6000+

      ¥0.672 ¥0.84
  • 有货
  • UMW UCC27524ADR 器件是一款双通道、高速、低端栅极驱动器件,能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。在对功率开关的栅极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。此外,在其额定功率和电压范围内的所有条件下,它都具有高度的抗闩锁能力
    • 5+

      ¥1.0768
    • 50+

      ¥0.9376
    • 150+

      ¥0.8779
    • 500+

      ¥0.8035
    • 2500+

      ¥0.7703
    • 5000+

      ¥0.7504
  • 有货
  • IRS2003S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 5+

      ¥1.1834
    • 50+

      ¥1.0321
    • 150+

      ¥0.9672
    • 500+

      ¥0.8863
    • 2500+

      ¥0.8503
    • 5000+

      ¥0.8287
  • 有货
    • 5+

      ¥1.18864 ¥1.564
    • 50+

      ¥0.939664 ¥1.2364
    • 150+

      ¥0.83296 ¥1.096
    • 500+

      ¥0.699884 ¥0.9209
    • 3000+

      ¥0.640604 ¥0.8429
    • 6000+

      ¥0.605036 ¥0.7961
  • 有货
    • 5+

      ¥1.19061 ¥1.3229
    • 50+

      ¥0.9558 ¥1.062
    • 150+

      ¥0.85527 ¥0.9503
    • 500+

      ¥0.72972 ¥0.8108
    • 2500+

      ¥0.67383 ¥0.7487
    • 4000+

      ¥0.64026 ¥0.7114
  • 有货
    • 5+

      ¥1.206956 ¥1.5881
    • 50+

      ¥0.95418 ¥1.2555
    • 150+

      ¥0.845804 ¥1.1129
    • 500+

      ¥0.7106 ¥0.935
    • 3000+

      ¥0.650408 ¥0.8558
    • 6000+

      ¥0.614308 ¥0.8083
  • 有货
  • 应用于交换式电源、开关变换器、通用栅驱动器。
    • 5+

      ¥1.24049 ¥1.4594
    • 50+

      ¥1.088765 ¥1.2809
    • 150+

      ¥1.02374 ¥1.2044
    • 500+

      ¥0.94265 ¥1.109
    • 3000+

      ¥0.906525 ¥1.0665
    • 6000+

      ¥0.88485 ¥1.041
  • 有货
  • EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V,Vcc的电源电压范围宽11V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.364
    • 50+

      ¥1.0701
    • 150+

      ¥0.9441
    • 500+

      ¥0.7869
    • 2500+

      ¥0.6468
  • 有货
    • 5+

      ¥1.408128 ¥1.8528
    • 50+

      ¥1.113172 ¥1.4647
    • 150+

      ¥0.986784 ¥1.2984
    • 500+

      ¥0.829084 ¥1.0909
    • 3000+

      ¥0.75886 ¥0.9985
    • 6000+

      ¥0.71668 ¥0.943
  • 有货
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