TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：TC4422AVOA(LX) 编号：C52097915

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

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型号：IXDN604SITR 编号：C2677329

封装：SOIC-8-EP

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

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型号：IXDD609SIATR 编号：C2677099

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：L6491DTR 编号：C2970144

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

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型号：FAN73912MX 编号：C899115

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912 是一款单片半桥门极驱动器集成电路，适用于最高在 +1200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT 的高压和高速驱动。HIN 的高级输入滤波器针对干扰导致的短脉冲输入信号提供保护。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和接收 2 A 和 3 A。

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型号：MP6539GV-Z 编号：C5676243

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6539是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达100V。MP6539使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护（OCP）、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mmx6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。

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￥22.2836
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型号：MGD3160AM515EKR2 编号：C5191560

封装：SOT-1762-1

品牌：NXP(恩智浦)

是一款用于IGBT和SiC功率器件的单通道栅极驱动器。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。电流和温度感应可在故障期间将IGBT/SiC的应力降至最低。精确且可配置的欠压锁定（UVLO）可提供保护，同时确保足够的栅极驱动电压裕量。能够自主管理严重故障，并通过INTB和/或INTA引脚以及SPI接口报告故障和状态。能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。包含自测试、控制和保护功能，适用于高可靠性系统（ASIC C/D）的设计。符合汽车应用的严格要求，并完全符合AEC-Q100 1级标准。

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型号：BDR6307B 编号：C20622848

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平，支持3.3V 应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8 封装。

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￥0.4662
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型号：JSM5108G 编号：C19077360

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥0.772395 ￥0.9087
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￥0.3978 ￥0.468

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型号：XJNG2103 编号：C2887735

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：UCC27517ADBVR(UMW) 编号：C20623192

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

UMW UCC27517ADBVR 器件是一款用于功率 MOSFET 和 IGBT 的低压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁 CMOS 技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。UMW UCC27517ADBVR 的逻辑输入电平与低至 3V 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容

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型号：UCC27517ADBVR-TP 编号：C51939677

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥0.905236 ￥1.1911
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型号：MX27524ES 编号：C5341118

封装：EMSOP-8

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX27524 是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端均能够提供和吸收 5A 的峰值电流，最大额定电压为 20V。每个通道都有两个独立的使能引脚，若未连接，默认处于开启状态

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￥0.9164
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型号：U3116S 编号：C400131

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达300V。

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￥0.9625
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型号：MCP1415T-E/OT-JSM 编号：C18195000

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器。

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￥1.01272 ￥1.2659
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型号：IRS44273LTRPBF-TP 编号：C51939582

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥1.206956 ￥1.5881
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￥0.95418 ￥1.2555
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￥0.614308 ￥0.8083

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型号：IX4426NTR-JSM 编号：C7466362

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：6V~25V 峰值灌电流：2.0A 峰值拉电流：2.0A

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￥1.27208 ￥1.5901
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型号：IRS2104STRPBF-JSM 编号：C5804630

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥1.296845 ￥1.5257
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￥1.138235 ￥1.3391
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￥0.985405 ￥1.1593
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￥0.925055 ￥1.0883

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型号：TPNCP51100ASNT1G 编号：C51939663

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥1.408128 ￥1.8528
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￥1.113172 ￥1.4647
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￥0.829084 ￥1.0909
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￥0.75886 ￥0.9985
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型号：FAN3111ESX-JSM 编号：C20606851

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源、开关变换器、通用栅驱动器。

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￥1.4087
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￥1.2302
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￥1.0583

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型号：U2181C 编号：C41374696

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2181C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的直通导通

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￥1.3026
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￥1.2216
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￥1.0755

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型号：DOS4427 编号：C42395831

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

2A 双通道超高速功率开关驱动器

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￥1.1061
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￥0.9228
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￥0.8412
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￥0.7922

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型号：UCC27519DBVR-JSM 编号：C7466357

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

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￥1.25
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￥1.2
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￥1.17

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型号：EG44273 编号：C2987460

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG44273单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

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￥1.7534
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￥1.3615
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型号：GBI7254MMAR 编号：C5451741

封装：EMSOP-8

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

是双通道高速低端栅极驱动器，为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为14ns，24V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至-5V的负输入，以增强输入抗噪性。宽输入滞后与TTL和CMOS低压逻辑兼容。该器件的每个通道采用非重叠驱动器设计，以避免输出级直通。它可在-40℃至125℃的宽温度范围内工作。