TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：LM5101AMX/NOPB 编号：C575559

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥5.24
10+
￥4.23
30+
￥3.72
100+
￥3.21
500+
￥2.91
1000+
￥2.76

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型号：UCC27211AQDDARQ1 编号：C485921

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

数据手册

1+
￥5.33
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￥4.29
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￥3.78
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￥3.23
500+
￥2.93
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￥2.77

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型号：UCC27282DR 编号：C2867844

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

1+
￥5.77
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￥4.6
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￥4.01
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￥3.43
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￥3.11
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￥2.93

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型号：UCC27525DR 编号：C2676989

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

数据手册

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￥6.29
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￥5.58
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￥4.91
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￥4.41
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￥4.2
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￥4.1

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型号：DRV8305NQPHPRQ1 编号：C701780

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

数据手册

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￥21.73
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￥18.42
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￥16.57
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￥14.57
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￥13.65

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型号：LMG1210RVRR 编号：C2677136

封装：WQFN-19-EP(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

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1+
￥22.52
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￥19.08
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￥17.04
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￥14.98

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型号：DRV8353FSRTAR 编号：C1518717

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V（最大值）三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器

数据手册

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￥36.69
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￥31.33
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￥28.3
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￥25.56

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型号：UCC27519DBVR 编号：C93674

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥3.88
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￥3.14
30+
￥2.83
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￥2.43
500+
￥2.02
1000+
￥1.92

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型号：UCC27624QDRQ1 编号：C6731413

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率

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￥9.68
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￥7.96
30+
￥7.02
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￥5.96
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￥5.48
1000+
￥5.27

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型号：LMG5200MOFT 编号：C527479

封装：QFN-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

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￥77.74
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￥66.32
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￥59.36
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￥53.53

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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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1+
￥8.36
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￥6.85
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￥6.01
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￥5.07
500+
￥4.65

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型号：DRV8323RHRGZR 编号：C543035

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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1+
￥14.15
10+
￥11.93
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￥10.17
100+
￥8.75
500+
￥8.1

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型号：TPS2829DBVR 编号：C202321

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS2829 具有 40V VDD 的 2A/2A 单路栅极驱动器

数据手册

1+
￥5.31
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￥3.69
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￥2.83
1000+
￥2.66

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型号：LM5108DRCR 编号：C2676946

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

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1+
￥5.75
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￥4.65
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￥4.1
100+
￥3.56
500+
￥3.03
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￥2.86

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型号：LM5110-1MX/NOPB 编号：C485544

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

数据手册

1+
￥9.74
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￥8.16
30+
￥7.17
100+
￥6.16
500+
￥5.7
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￥5.5

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型号：DRV8714SQRVJRQ1 编号：C3655767

封装：VQFN-56(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动器

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1+
￥33.29
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￥29.79
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￥27.55
100+
￥25.39

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型号：LM2104DR 编号：C22427346

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥2.95
30+
￥2.58
100+
￥2.21
500+
￥1.99
1000+
￥1.88

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型号：UCC27324DGNR 编号：C128607

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC27324 双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

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1+
￥4.56
10+
￥3.34
30+
￥2.92
100+
￥2.49
500+
￥2.24
1000+
￥2.11

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型号：DRV8662RGPT 编号：C181554

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动器

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1+
￥25.72
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￥22.16
30+
￥20.04
250+
￥15.8

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型号：UCC27524DGNR 编号：C130088

封装：TSSOP-8-EP-3.0mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC27524 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥3.55
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￥2.79
30+
￥2.41
100+
￥2.04
500+
￥1.81
1000+
￥1.7

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型号：UCC27511ADBVR 编号：C2676982

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、分离输出和 5V 输入电压处理能力的 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140

数据手册

1+
￥3.74
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￥3
30+
￥2.63
100+
￥2.27
500+
￥2.05
1000+
￥1.94

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型号：UCC27201DR 编号：C47661

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器，具有独立输入，实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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1+
￥5.68
10+
￥4.56
30+
￥4
100+
￥3.45
500+
￥3.12
1000+
￥2.95

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型号：LM5106MM/NOPB 编号：C544493

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥6.87
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￥5.68
30+
￥5.03
100+
￥4.29
500+
￥3.89
1000+
￥3.74

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型号：LM5104MX/NOPB 编号：C206493

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥17.25
10+
￥14.53
30+
￥12.82
100+
￥11.08

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型号：UCC27624DR 编号：C3655293

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为5A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。具有快速传播延迟（典型值为17ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性

数据手册

1+
￥2.87
10+
￥2.24
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￥1.98
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￥1.64
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￥1.49
1000+
￥1.41

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型号：UCC27511DBVR 编号：C191027

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

数据手册

1+
￥2.97
10+
￥2.36
30+
￥2.1
100+
￥1.78
500+
￥1.54
1000+
￥1.45

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型号：UCD7100PWPR 编号：C523751

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCD7100 具有电流感应的数字控制兼容单输出低侧 +/- 4A MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥8.28
10+
￥6.84
30+
￥6.05
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￥5.16
500+
￥4.76
1000+
￥4.58

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型号：CSD97374Q4M 编号：C140327

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD97374Q4M 30V 25A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

数据手册

1+
￥15.46
10+
￥13.18
30+
￥11.75
100+
￥9.29
500+
￥8.63

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型号：LMG1020YFFT 编号：C2861308

封装：DSBGA-6

品牌：TI(德州仪器)

LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器

数据手册

1+
￥16.72
10+
￥14.08
30+
￥12.42
250+
￥10.73

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型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

数据手册

1+
￥24.4
10+
￥20.7
30+
￥18.5
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￥16.27
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￥15.25
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