TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27519DBVR 编号：C93674

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥3.88
10+
￥3.14
30+
￥2.83
100+
￥2.43
500+
￥2.02
1000+
￥1.92

有货

立即购买

型号：DRV8300DRGER 编号：C3655801

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

数据手册

单价：
￥2.155295 / 个

我要订货

型号：UCC27537DBVR 编号：C130224

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27537 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

数据手册

1+
￥8.84
10+
￥7.45
30+
￥6.68
100+
￥5.81
500+
￥5.18
1000+
￥5.01

有货

立即购买

型号：DRV8303DCAR 编号：C91880

封装：HTSSOP-48-EP-6.1mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8303 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥16.62
10+
￥14.17
30+
￥12.64
100+
￥11.07
500+
￥10.36
1000+
￥10.05

有货

立即购买

型号：UCC27524DGNR 编号：C130088

封装：TSSOP-8-EP-3.0mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC27524 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥3.73
10+
￥3.22
30+
￥2.87
100+
￥2.57
500+
￥2.48
1000+
￥2.42

有货

立即购买

型号：UCC27624QDRQ1 编号：C6731413

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率

1+
￥6.25
10+
￥5.12
30+
￥4.56
100+
￥4
500+
￥3.66
1000+
￥3.49

有货

立即购买

型号：LM5060MMX/NOPB 编号：C2676940

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5060 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

数据手册

1+
￥7.49
10+
￥6.27
30+
￥5.6
100+
￥4.69
500+
￥4.36
1000+
￥4.21

有货

立即购买

型号：UCC27201ADR 编号：C913823

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

数据手册

1+
￥7.57
10+
￥6.34
30+
￥5.67
100+
￥4.9
500+
￥4.46
1000+
￥4.31

有货

立即购买

型号：UCC27211AQDDARQ1 编号：C485921

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

数据手册

1+
￥7.84
10+
￥6.28
30+
￥5.5
100+
￥4.69
500+
￥4.22
1000+
￥3.98

有货

立即购买

型号：LMG5200MOFT 编号：C527479

封装：QFN-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

数据手册

1+
￥84.35
10+
￥80.66
30+
￥74.27
100+
￥68.7

有货

立即购买

型号：LM2104DR 编号：C22427346

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

1+
￥4.1
10+
￥3.36
30+
￥2.99
100+
￥2.62
500+
￥2.4
1000+
￥2.29

有货

立即购买

型号：LM2105DSGR 编号：C22399677

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

1+
￥4.76
10+
￥4.08
30+
￥3.6
100+
￥3.2
500+
￥3.08
1000+
￥3

有货

立即购买

型号：UCD7100PWPR 编号：C523751

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCD7100 具有电流感应的数字控制兼容单输出低侧 +/- 4A MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥8.91
10+
￥7.47
30+
￥6.68
100+
￥5.79
500+
￥5.39
1000+
￥5.21

有货

立即购买

型号：UCC27611DRVT 编号：C139645

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27611是一款单通道高速栅极驱动器，针对5V驱动进行了优化，尤其适用于增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。驱动电压VREF由内部线性稳压器精确控制在5V。UCC27611具备非对称轨到轨峰值电流驱动能力，源电流为4A，灌电流为6A

数据手册

1+
￥12.07
10+
￥10.8
30+
￥9.91
250+
￥9.09
500+
￥8.71

有货

立即购买

型号：LMG1020YFFT 编号：C2861308

封装：DSBGA-6

品牌：TI(德州仪器)

LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器

数据手册

1+
￥19.31
10+
￥16.66
30+
￥15.01
250+
￥13.31

有货

立即购买

型号：DRV8305NPHPR 编号：C75602

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 45V 三相智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥24.64
10+
￥21.36
30+
￥18.21
100+
￥16.24
500+
￥15.33

有货

立即购买

型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

数据手册

1+
￥27.06
10+
￥23.36
30+
￥21.16
100+
￥18.94
500+
￥17.91

有货

立即购买

型号：DRV8300NRGER 编号：C3655266

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥3.6
10+
￥2.87
30+
￥2.5
100+
￥2.14
500+
￥1.92
1000+
￥1.81

有货

立即购买

型号：UCC27201DR 编号：C47661

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器，具有独立输入，实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

数据手册

1+
￥7.73
10+
￥6.62
30+
￥6.06
100+
￥5.51
500+
￥5.18
1000+
￥5

有货

立即购买

型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

数据手册

1+
￥9.72
10+
￥8.2
30+
￥7.37
100+
￥6.43

有货

立即购买

型号：UCC27211ADRMR 编号：C1848363

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

数据手册

1+
￥11.31
10+
￥9.56
30+
￥8.6
100+
￥7.22
500+
￥6.74

有货

立即购买

型号：DRV8328ARUYR 编号：C3681415

封装：WQFN-28(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥11.63
10+
￥10.35
30+
￥9.45
100+
￥8.63
500+
￥8.25

有货

立即购买

型号：DRV8770RGER 编号：C3655708

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8770 100V H 桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥13.15
10+
￥11.68
30+
￥10.63
100+
￥9.68
500+
￥9.24

有货

立即购买

型号：LM5101CSD/NOPB 编号：C1880281

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5101C 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥31.26
10+
￥26.74
30+
￥24.06
100+
￥21.35

有货

立即购买

型号：UCC27424DR 编号：C138519

封装：SOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器能够向容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

数据手册

1+
￥3.05
10+
￥2.45
30+
￥2.2
100+
￥1.88
500+
￥1.79
1000+
￥1.71

有货

立即购买

型号：TPS28225DR 编号：C52897

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥5.64
10+
￥4.52
30+
￥3.96
100+
￥3.41
500+
￥3.08
1000+
￥2.91

有货

立即购买

型号：TPS2829DBVR 编号：C202321

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS2829 具有 40V VDD 的 2A/2A 单路栅极驱动器

数据手册

1+
￥6.66
10+
￥5.34
30+
￥4.69
100+
￥4.03
500+
￥3.64
1000+
￥3.44

有货

立即购买

型号：LMG1210RVRR 编号：C2677136

封装：WQFN-19-EP(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥19.98
10+
￥17.65
30+
￥16.47

有货

立即购买

型号：UCC27323DGNR 编号：C2873602

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。

数据手册

1+
￥3.55
10+
￥2.87
30+
￥2.53
100+
￥2.19
500+
￥1.99
1000+
￥1.89

有货

立即购买

型号：UCC27282DR 编号：C2867844

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

1+
￥5.88
10+
￥4.7
30+
￥4.11
100+
￥3.53
500+
￥3.21

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示