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具有精确电流检测和高级监控功能的三相智能栅极驱动器
型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900
封装：HTQFP-48-EP(7x7)
品牌：TI(德州仪器)
DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。
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    带使能端的双路4A高速低端MOSFET驱动器
    型号：UCC27425DR 编号：C1848352
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性
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    单通道高速低侧栅极驱动器，具备负输入电压能力
    型号：UCC27517AQDBVRQ1 编号：C524784
    封装：SOT-23-5
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器
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    25mA 无刷直流BLDC电机驱动芯片 95V
    型号：DRV8353SRTAT 编号：C2150480
    封装：WQFN-40-EP(6x6)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器
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    汽车栅极驱动器单元（GDU），带有独立半桥控制装置和集成式电流检测放大器
    型号：DRV8343SPHPRQ1 编号：C2879411
    封装：HTQFP-48(7x7)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器
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    带使能端的双路4A高速低端MOSFET驱动器
    型号：UCC27424DGNR 编号：C783609
    封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性
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    620-V 高侧和低侧栅极驱动器，带互锁功能
    型号：UCC27712DR 编号：C485818
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器
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    LM5106 100-V 半桥栅极驱动器带可编程死区时间
    型号：LM5106SD/NOPB 编号：C2876328
    封装：WSON-10-EP(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器
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    高压、1A 峰值半桥栅极驱动器
    型号：LM5109AMAX/NOPB 编号：C129332
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器
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    具有 -10V 输入能力的单通道 30V、10A 低侧栅极驱动器
    型号：UCC27614DSGR 编号：C4154867
    封装：WSON-8-EP(2x2)
    品牌：TI(德州仪器)
    单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。 可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性
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    LM5110-2MX/NOPB
    型号：LM5110-2MX/NOPB 编号：C962895
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器
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    汽车90V半桥GaN驱动器
    型号：LM5113QDPRRQ1 编号：C2677036
    封装：WSON-10-EP(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5113-Q1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器
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    具有精确电流感应和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元
    型号：DRV3245AEPHPRQ1 编号：C5218867
    封装：HTQFP-48(7x7)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元
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    无刷直流BLDC电机驱动芯片 40V
    型号：DRV3205QPHPRQ1 编号：C2150636
    封装：HTQFP-48(7x7)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV3205-Q1 具有电流分流放大器和增强保护功能的汽车类 12V 和 24V 电池三相栅极驱动器
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    100V、53A GaN半桥功率级
    型号：LMG2100R026VBNR 编号：C44231310
    封装：VQFN-FCRLF-18(4.5x7)
    品牌：TI(德州仪器)
    集成式半桥 GaN FET 和驱动器，具有 93V 连续、100V 脉冲式电压额定值。封装经过优化，便于 PCB 布局。支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平，栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率。具有出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns），内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱动，具备电源轨欠压锁定保护，低功耗。外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热，大型 GND 焊盘实现底面散热。该器件配有用户友好型接口，提升了分立式 GaN FET 的优势，是需要小尺寸、高频、高效运行应用的理想解决方案。
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    高电压1A峰值半桥栅极驱动器
    型号：LM5109BSD/NOPB 编号：C544701
    封装：WSON-8-EP(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器
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    具备 -10V 输入能力的 30V、5A 双通道低侧栅极驱动器
    型号：UCC27624DGNR 编号：C6581862
    封装：HVSSOP-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率开关。UCC27624 的典型峰值驱动能力为 5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为 17 ns）可优化系统的死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和瞬态性能，从而提高功率级效率

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    集成自举二极管的80V、1.2A至5A半桥氮化镓驱动器
    型号：LMG1205YFXR 编号：C2653814
    封装：DSBGA-12
    品牌：TI(德州仪器)
    LMG1205 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器
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      ￥9.66

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    适用于高频和窄脉冲应用的汽车用低侧氮化镓（GaN）和MOSFET驱动器
    型号：LMG1025QDEETQ1 编号：C1858370
    封装：WSON-6-EP(2x2)
    品牌：TI(德州仪器)
    LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器
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    2.5A和5A低成本栅极驱动器
    型号：UCC27531DR 编号：C2677154
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案） 分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。
    数据手册

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      ￥4.58

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    高速双路MOSFET驱动器
    型号：UCC27323DR 编号：C2677152
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。
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    2.5A和5A低成本栅极驱动器
    型号：UCC27538DBVR 编号：C2677323
    封装：SOT-23-6
    品牌：TI(德州仪器)
    低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案） 分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。
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    有刷直流电机驱动芯片 5.5V
    型号：DRV8701ERGET 编号：C132049
    封装：VQFN-24(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8701 47V H 桥智能栅极驱动器
    数据手册

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    2.5A和5A，35V Max VDD场效应晶体管（FET）和绝缘栅双极晶体管(IGBT）单栅极驱动器
    型号：UCC27531QDBVRQ1 编号：C2677112
    封装：SOT-23-6
    品牌：TI(德州仪器)
    具有 8V UVLO、35V VDD 和分离输出的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125
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    LM5060 高侧保护控制器带低静态电流
    型号：LM5060Q1MM/NOPB 编号：C2653802
    封装：VSSOP-10
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5060-Q1 汽车类 5.5V 至 65V 高侧保护控制器
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    具有双路分流放大器和降压稳压器的三相栅极驱动器－硬件控制
    型号：DRV8302DCA 编号：C84672
    封装：HTSSOP-56-6mm
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8302 具有降压稳压器和电流分流放大器和硬件接口的最大 65V 三相智能栅极驱动器
    数据手册

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    LMG342xR030 600V 30mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 GaN FET
    型号：LMG3422R030RQZT 编号：C3655275
    封装：VQFN-54(12x12)
    品牌：TI(德州仪器)
    LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET
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    LM2105DR
    型号：LM2105DR 编号：C21316176
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
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    具备8V欠压锁定和负电压处理功能的120V半桥驱动器
    型号：UCC27289DRCR 编号：C6581860
    封装：VSON-10(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    是一款坚固的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使该驱动器能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，可与模拟和数字控制器配合使用

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    高频4A灌电流同步MOSFET驱动器
    型号：TPS28225DR 编号：C52897
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器
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