mos驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MIC5060YML-TR 编号：C621943

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC5060 MOSFET驱动器专为用作高端或低端开关的N沟道增强型功率MOSFET的栅极控制而设计。MIC5060能够无限期维持导通状态输出。MIC5060的工作电源电压范围为2.75V至30V

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型号：ADP3654ARHZ-R7 编号：C659220

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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型号：DRV8770RGER 编号：C3655708

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8770 100V H 桥栅极驱动器

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型号：TC4426EOA 编号：C27201

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428器件是早先TC426/TC427/TC428系列MOSFET驱动器的改进型。在MOSFET的门极充放电时，TC4426/TC4427/TC4428器件具有匹配的上升和下降时间。在额定功率和额定电压范围内的任何条件下，器件具有很好的锁定阻抗。即便接地引脚上出现高达5V的干扰峰值（无论是正向还是反向），器件也不会损坏。器件能够接受强行返回至输出的高达500mA的反向电流（无论极性如何），不会造成器件损坏或逻辑混乱。全部引脚都是完全静电放电（Electrostatic Discharge, ESD）保护的，能够承受至多4kV的静电。TC4426/TC4427/TC4428 MOSFET驱动器，能够在30ns之内，轻松地对1000pF的门极电容进行充电/放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗，确保MOSFET的期望状态不受影响，即便发生大的暂态也不会影响期望状态。其他兼容的驱动器是TC4426A/TC4427A/TC4428A系列器件。TC4426A/TC4427A/TC4428A器件，除了具有与TC4426/TC4427/TC4428器件类似的匹配上升和下降时间之外，还具有匹配的输入到输出的上升和下降延时时间。

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型号：TC4420CPA 编号：C48733

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：SIC639CD-T1-GE3 编号：C2653466

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC639 是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC639 采用威世（Vishay）专有的 5 mm×5 mm MLP 封装，使电压调节器设计能够每相提供高达 50 A 的连续电流。内部功率 MOSFET 采用了最先进的第四代 TrenchFET 技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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型号：IXDD614PI 编号：C1549426

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：MCP14A0454-E/MS 编号：C635867

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：1ED3123MU12HXUMA1 编号：C17449724

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：TC4427EUA713 编号：C628550

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：TC4420COA 编号：C636874

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：MD1213K6-G 编号：C621434

封装：QFN-12-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MD1213是一款高速双MOSFET驱动器。它旨在驱动高压P沟道和N沟道MOSFET，适用于医疗超声及其他需要为容性负载提供高输出电流的应用。MD1213的高速输入级可在1.8V至5V的逻辑接口下工作，最佳工作输入信号范围为1.8V至3.3V

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型号：1ED020I12FA2 编号：C530918

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED020I12FA2是一款采用PG-DSO-20封装的单通道IGBT电流隔离驱动器，典型输出电流能力为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输

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型号：DRV8353RHRGZR 编号：C2868224

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353R 具有降压稳压器和电流分流放大器的 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：TC4422CPA 编号：C640752

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

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型号：LTC7063RMSE#PBF 编号：C20047755

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达140V。高端和低端驱动器都可以用不同的接地参考驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和抗瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。其他功能包括欠压锁定、三态PWM输入、可调开启/关闭延迟和直通保护。

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型号：MIC4606-2YTS-TR 编号：C628054

封装：TSSOP-16

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是85V全桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控全桥两侧，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大化功率效率。防直通电路可防止错误输入和噪声同时导通桥每一侧的两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大化系统效率

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型号：LTC4442IMS8E#PBF 编号：C688570

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4442是一款高频栅极驱动器，专为在同步降压式DC/DC转换器拓扑结构中驱动两个N沟道MOSFET而设计。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4442的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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型号：TD310IDT 编号：C501103

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

带电流感应的三IGBT/MOS驱动器

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型号：MIC4606-2YML-TR 编号：C621922

封装：VQFN-16-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4606 是一款 85V 全桥 MOSFET 驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测全桥两侧，以尽量缩短高端和低端 MOSFET 转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。防直通电路可防止错误输入和噪声同时导通桥路每一侧的两个 MOSFET

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型号：TC4423COE 编号：C642020

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4423/TC4424/TC4425器件是一组3A双输出缓冲器/MOSFET驱动器。该系列器件与TC1426/27/28、TC4426/27/28和TC4426A/27A/28A双1.5A驱动器系列引脚兼容，其闩锁电流额定值提高到1.5A，使其在恶劣电气环境中运行时更加可靠。作为MOSFET驱动器，TC4423/TC4424/TC4425能够在35纳秒内轻松对1800pF的栅极电容进行充电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响

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型号：LTC7003EMSE#PBF 编号：C690097

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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型号：MP86998GMJT-Z 编号：C6595856

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

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型号：LMG1210RVRT 编号：C2862667

封装：WQFN-19(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

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型号：TLE9183QK 编号：C540105

封装：LQFP-64-EP(10x10)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款先进的栅极驱动IC，用于控制6个外部N沟道MOSFET，形成用于汽车领域大电流三相电机驱动应用的逆变器。一款精密的高压技术使TLE9183QK能够支持12V电池系统的应用，即使在恶劣的汽车环境中，结合高电机电流。因此，桥接、电机和电源相关引脚可以承受高达40V的电压。电机相关引脚甚至可以承受低至-15V的负电压瞬变而不会损坏。所有低侧和高侧输出级均基于浮动概念，其驱动强度允许驱动市场上常见的最低RDSON MOSFET。集成的SPI接口用于在上电后为应用配置TLE9183QK

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型号：LTC7000EMSE#TRPBF 编号：C690074

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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型号：LTC1693-2IS8#PBF 编号：C676438

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

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