mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：JSM6288Q 编号：C19077370

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

此版本为高欠压VCC≥8V；C52196409为低欠压VCC≥5V；三相高低侧栅极驱动芯片，大电流带欠压保护兼容FD6288Q。

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￥3.18
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￥2.48
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￥1.76

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型号：NSG7385 编号：C53436472

封装：SOP-14

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥8.514 ￥9.46
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￥7.173 ￥7.97
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￥6.435 ￥7.15
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型号：MIC4452YM-TR 编号：C435908

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

数据手册

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￥9.9
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型号：TC1410EOA713 编号：C624881

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

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型号：L6206QTR 编号：C726089

封装：HVQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

数据手册

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型号：MAX4427ESA+T 编号：C559513

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双路、高速、1.5A MOSFET驱动器

数据手册

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型号：AUIR2085STR 编号：C2677064

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置。死区时间可通过适当选择CT来控制，范围为50ns至200ns

数据手册

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￥12.77
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￥11.03
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￥10.24
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型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

数据手册

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￥17.28
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￥15.79
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型号：LMG5200MOFT 编号：C527479

封装：QFN-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

数据手册

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￥84.35
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￥74.27
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型号：UCC27511DBVR(UMW) 编号：C20623190

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27511DBVR单通道高速低端栅极驱动器器件可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27511DBVR能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极短。

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￥1.2283
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￥0.601

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型号：EG3002 编号：C5267392

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。电源电压范围宽3V~30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。

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￥1.3263
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￥1.0324
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￥0.7492
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型号：COS1416 编号：C7190314

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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￥1.418
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￥0.7749
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￥0.65

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型号：UCC27519DBVR(UMW) 编号：C20623193

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27519器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。UCC27519的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

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￥1.433
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￥1.1209
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￥0.7012

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型号：L6388ED013TR-JSM 编号：C17701712

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

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￥2.0485 ￥2.41
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￥1.6235 ￥1.91
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￥1.207 ￥1.42
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￥1.105 ￥1.3
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￥1.0455 ￥1.23

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型号：FAN3100CSX-JSM 编号：C7432824

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器

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￥2.115 ￥2.35
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￥1.872 ￥2.08
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￥1.746 ￥1.94
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￥1.629 ￥1.81
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￥1.512 ￥1.68

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型号：IR4426STRPBF-JSM 编号：C7462830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，电机控制等，DQ类开关放大器

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￥2.204 ￥2.32
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￥1.7195 ￥1.81
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￥1.52 ￥1.6
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￥1.178 ￥1.24
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￥1.102 ￥1.16

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型号：NSG2203U 编号：C53436488

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.385 ￥2.65
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￥1.917 ￥2.13
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￥1.719 ￥1.91
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￥1.467 ￥1.63
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￥1.287 ￥1.43

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型号：G2061 编号：C53436212

封装：TSSOP-20

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.439 ￥2.71
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￥1.962 ￥2.18
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￥1.755 ￥1.95
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￥1.494 ￥1.66
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￥1.314 ￥1.46

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型号：NSG2065 编号：C53436440

封装：TSSOP-20

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.547 ￥2.83
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￥2.043 ￥2.27
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￥1.827 ￥2.03
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￥1.368 ￥1.52

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型号：TPM27523-SO1R 编号：C38403282

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

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￥2.62
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￥2.02
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￥1.29
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型号：TPM27524-DF6R 编号：C38487412

封装：DFN-8(3x3)

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源电流和灌电流能力，可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最大25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力，提高了系统的鲁棒性，尤其在嘈杂的工业应用中。超低传播延迟和两个通道之间的出色匹配，适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成，允许客户根据应用需求进行选择。封装范围广泛，支持SOP8、EMSOP8和DFN3X3-8，符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源模块中超紧凑型同步整流器的设计。

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￥2.62
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￥1.29

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型号：TPM27524-SO1R 编号：C20416757

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是一系列用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源极和漏极电流能力可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最高25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力，提高了系统的鲁棒性，尤其在嘈杂的工业应用中。超低的传播延迟和两个通道之间出色的匹配度，适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成，允许客户根据应用需求进行选择。广泛的封装支持SOP-8、EMSOP-8和DFN3X3-8，符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源砖中超紧凑型同步整流器的设计。

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￥2.62
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￥1.29

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型号：FD6187T 编号：C5126666

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6187T是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计。内置欠压(UVLO)保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。内置防直通和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

数据手册

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￥2.73
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￥2.16
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￥1.92
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￥1.62
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￥1.49
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￥1.4

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型号：G2063Q 编号：C53436485

封装：QFN-24(4x4)

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.781 ￥3.09
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￥2.232 ￥2.48
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￥1.998 ￥2.22
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￥1.71 ￥1.9
500+
￥1.575 ￥1.75
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￥1.494 ￥1.66

有货

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型号：NSG2308 编号：C53436449

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥2.862 ￥3.18
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￥2.295 ￥2.55
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￥2.061 ￥2.29
100+
￥1.755 ￥1.95
500+
￥1.62 ￥1.8
1000+
￥1.539 ￥1.71

有货

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型号：UCC27511DBVR-JSM 编号：C7466358

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

1+
￥3.009 ￥3.54
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￥2.363 ￥2.78
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￥2.091 ￥2.46
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￥1.7425 ￥2.05
500+
￥1.5895 ￥1.87
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￥1.496 ￥1.76

有货

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型号：EG2133 编号：C190343

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片，配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。

数据手册

1+
￥3.31
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￥2.57
30+
￥2.26
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￥1.86
500+
￥1.62
1000+
￥1.52

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型号：HX34151-S 编号：C41399169

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX34151-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

1+
￥3.339 ￥3.71
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￥2.7 ￥3
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￥2.376 ￥2.64
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￥2.061 ￥2.29
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￥1.872 ￥2.08
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￥1.773 ￥1.97

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型号：LM2104DR 编号：C22427346

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

1+
￥4.1
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￥3.36
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￥2.99
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￥2.62
500+
￥2.4
1000+
￥2.29

有货

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型号：MCP1402T-E/OT 编号：C128573

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高速MOSFET驱动器，可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平（3V至18V）直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升／下降时间和传输时延特性，使得它们成为高开关频率应用的理想选择。可由4.5V至18V的单电源供电，且可轻松地在不到19 ns（典型值）的时间内对470 pF的栅极电容进行充放电。在导通和关断状态下，均可提供足够低的阻抗，以确保即使有很大的瞬态信号也不会影响MOSFET的预期状态。只要在其功率和电压范围内，任何情况下这些器件都很难闭锁。当接地端出现幅度小于等于5V（任何极性）的噪声尖峰时，这些器件也不会损坏。它们能承受大小在500mA内的反向电流灌入其输出端，而不会损坏或出现逻辑颠倒。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为3kV（HBM）和400V（MM）的静电放电（ESD）。

数据手册

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￥4.41
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￥3.6
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￥3.19
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￥2.79
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￥2.55
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