mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8300NRGER 编号：C3655266

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

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￥3.6
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￥2.87
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￥2.5
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￥2.14
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￥1.81

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型号：LMG1020YFFR 编号：C6423790

封装：BGA-6

品牌：Tokmas(托克马斯)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.75V~5.25V 峰值灌电流：5A 峰值拉电流：7A 具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低侧 GaN 驱动器 6-DSBGA -40 to 125

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￥2.27

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型号：LM2105DSGR 编号：C22399677

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

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￥4.76
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型号：IX4340NETR 编号：C3029625

封装：SOIC-8-EP

品牌：Littelfuse/IXYS

是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端均能提供和吸收5A的峰值电流，最大额定电压为20V。两个输出端可并联以用于更高电流的应用。快速的传播延迟时间（典型值16ns）和快速的上升和下降时间（7ns）使其非常适合高频应用。输入与TTL和CMOS逻辑兼容，每个输出都有独立的使能功能。欠压锁定电路（UVLO）可防止高端源极驱动器在电源电压不足时导通。如果逻辑输入悬空，输出将保持低电平。

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￥5.14
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￥2.5

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型号：SGM48000XS8G/TR 编号：C700286

封装：SOIC-8

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM48000/1/2系列是双通道低端驱动器，典型源电流和灌电流能力为2A。反相和同相输入均可用，可选择三种组合以实现灵活的逻辑应用。SGM48000/1/2的上升时间和下降时间分别匹配为12ns和13ns，这使得脉冲宽度能够以最小的时序误差和时钟偏移问题传输到输出端

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￥5.69
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￥4.37
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￥3.71
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型号：IXDI602SIATR 编号：C2677097

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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￥8.63
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￥7.11
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￥6.28
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￥5.35
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￥4.93
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￥4.74

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型号：IXDN609SIATR 编号：C5242049

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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￥8.89
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￥4.88

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型号：UCD7100PWPR 编号：C523751

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCD7100 具有电流感应的数字控制兼容单输出低侧 +/- 4A MOSFET 驱动器

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￥8.91
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￥6.68
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￥5.21

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型号：IXDD609SIATR 编号：C2677099

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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￥12.07
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￥10.48
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型号：UCC27611DRVT 编号：C139645

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27611是一款单通道高速栅极驱动器，针对5V驱动进行了优化，尤其适用于增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。驱动电压VREF由内部线性稳压器精确控制在5V。UCC27611具备非对称轨到轨峰值电流驱动能力，源电流为4A，灌电流为6A

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￥12.07
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￥10.8
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￥9.91
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￥9.09
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￥8.71

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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￥13.92
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￥10.87
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￥6.89
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￥6.66

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型号：LMG1020YFFT 编号：C2861308

封装：DSBGA-6

品牌：TI(德州仪器)

LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器

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￥19.31
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￥13.31

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型号：TD352IDT 编号：C155594

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

先进的IGBT/MOSFET驱动器

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￥21.38
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￥18.3
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型号：DRV8305NPHPR 编号：C75602

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 45V 三相智能栅极驱动器

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￥24.64
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￥18.21
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500+
￥15.33

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型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

数据手册

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￥27.06
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￥23.36
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￥21.16
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￥18.94
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￥17.91

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型号：MX1020W 编号：C5875701

封装：CSP-6

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX1020W 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和小脉冲失真相结合，可显著提升激光雷达、飞行时间测量（ToF）和功率转换器的性能。

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￥1.2123
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￥0.5733

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型号：FAN3111CSX(UMW) 编号：C20623207

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。具有双 CMOS 输入，其阈值参考 VDD，可与 PWM 控制器和其他与驱动器使用相同电源电压的输入信号源配合使用。

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￥1.2164
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￥0.8408
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￥0.7002
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￥0.6376
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型号：FAN3100CSX-TP 编号：C51939553

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥1.6093 ￥2.1175
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￥1.272164 ￥1.6739
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￥1.127764 ￥1.4839
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￥0.819052 ￥1.0777

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型号：GT4428DTR 编号：C19267460

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

栅极驱动IC 负载类型：MOSFET ,工作范围：4.5V~25V，输出峰值电流：2A,最大输入负压可达 -5V，宽温度范围：-40℃~ 125℃，锁存保护：可承受 0.5A 反向电流，传播延时：40ns

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￥1.656 ￥2.07
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￥1.448 ￥1.81
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型号：LN4201SF-G 编号：C17701718

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

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￥1.8213
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￥1.0297
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￥0.9897
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￥0.932

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型号：IRS2103STR(UMW) 编号：C29780641

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2103 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.86
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￥1.62
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￥1.34
1000+
￥1.3

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型号：GHD3440QE 编号：C42385771

封装：QFN24

品牌：Geehy(极海半导体)

GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。

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￥2.3
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￥1.77
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￥1.54
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￥1.26
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￥1.13
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￥1.05

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型号：NSG2024 编号：C53436442

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.385 ￥2.65
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￥1.917 ￥2.13
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￥1.719 ￥1.91
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￥1.467 ￥1.63
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￥1.287 ￥1.43

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型号：UCC27518DBVR-TP 编号：C51939679

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥2.4168 ￥3.18
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￥1.9152 ￥2.52
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￥1.6948 ￥2.23
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￥1.4212 ￥1.87
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￥1.3072 ￥1.72
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￥1.2312 ￥1.62

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型号：FAN7382MX 编号：C5804629

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥2.457 ￥2.73
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￥2.178 ￥2.42
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￥2.043 ￥2.27
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￥1.899 ￥2.11
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￥1.818 ￥2.02
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￥1.782 ￥1.98

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型号：EG2185 编号：C20416236

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 4/4A，采用SOP8封装。

1+
￥2.71
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￥2.38
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￥2.22
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￥2.06
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￥1.96
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￥1.91

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型号：NCP81151MNTBG 编号：C603810

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81151 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧电源 MOSFET的门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 25 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。电源电压较低时，UVLO 功能可保证低输出。

数据手册

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￥2.76
10+
￥2.17
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￥1.92
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￥1.6
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￥1.39
1000+
￥1.3

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型号：EG3114 编号：C20416244

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3114是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3114高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

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￥3
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￥2.03
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￥1.67
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￥1.63
1000+
￥1.53

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型号：NSG10752 编号：C53463331

封装：SOT-23-6

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥3.384 ￥3.76
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￥2.781 ￥3.09
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￥2.484 ￥2.76
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￥2.178 ￥2.42
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￥1.998 ￥2.22
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￥1.908 ￥2.12

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