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UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器
数据手册
  • 1+

    ¥3.88
  • 10+

    ¥3.14
  • 30+

    ¥2.83
  • 100+

    ¥2.43
  • 500+

    ¥2.02
  • 1000+

    ¥1.92
  • 有货
  • 单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 5+

      ¥1.821055 ¥1.9169
    • 50+

      ¥1.40733 ¥1.4814
    • 150+

      ¥1.23006 ¥1.2948
    • 500+

      ¥1.046805 ¥1.1019
    • 2500+

      ¥0.948385 ¥0.9983
    • 4000+

      ¥0.8892 ¥0.936
  • 有货
  • EG2106是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2106高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-0.3/0.6A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0125
    • 50+

      ¥1.5226
    • 150+

      ¥1.3126
    • 500+

      ¥1.0507
    • 2500+

      ¥1.033
    • 4000+

      ¥0.963
  • 有货
  • DRV8300D是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。 DRV8300D输出能够提供较大的驱动能力,输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。
    • 1+

      ¥2.1
    • 10+

      ¥1.83
    • 30+

      ¥1.71
    • 100+

      ¥1.56
    • 500+

      ¥1.54
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 LF2304N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥2.115 ¥2.35
    • 10+

      ¥1.872 ¥2.08
    • 30+

      ¥1.746 ¥1.94
    • 100+

      ¥1.629 ¥1.81
    • 500+

      ¥1.557 ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.512 ¥1.68
  • 有货
  • 驱动两个N-MOSFET,DC-DC转换
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1845
    • 50+

      ¥1.7461
    • 150+

      ¥1.5583
    • 500+

      ¥1.2978
    • 2500+

      ¥1.1934
    • 5000+

      ¥1.1308
  • 有货
  • EG2104M是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104M高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻,SD(overline)内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-0.3A/0.6A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2759
    • 50+

      ¥1.786
    • 150+

      ¥1.5761
    • 500+

      ¥1.3141
    • 2500+

      ¥1.1841
  • 有货
  • 具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125
    • 1+

      ¥2.312 ¥2.89
    • 10+

      ¥1.832 ¥2.29
    • 30+

      ¥1.624 ¥2.03
    • 100+

      ¥1.36 ¥1.7
    • 500+

      ¥1.2 ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.128 ¥1.41
  • 有货
  • FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2606S内置VCC和VB欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作。FD2606S逻辑输入兼容TTL和CMOS(低至3.3V),方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.34
    • 50+

      ¥1.86
    • 150+

      ¥1.65
    • 500+

      ¥1.39
    • 3000+

      ¥1.27
  • 有货
  • 单相桥驱动,高同低反,逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥2.538 ¥2.82
    • 10+

      ¥1.998 ¥2.22
    • 30+

      ¥1.764 ¥1.96
    • 100+

      ¥1.467 ¥1.63
    • 500+

      ¥1.341 ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.26 ¥1.4
  • 有货
  • 1.5A,4.5V-25V,双反相, 双高速低功耗 MOSFET低边驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.62
    • 50+

      ¥2.02
    • 150+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.44
    • 2500+

      ¥1.29
    • 4000+

      ¥1.2
  • 有货
    • 1+

      ¥2.7 ¥3
    • 10+

      ¥2.169 ¥2.41
    • 30+

      ¥1.944 ¥2.16
    • 100+

      ¥1.656 ¥1.84
    • 500+

      ¥1.53 ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.458 ¥1.62
  • 有货
  • U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在将驱动器的交叉导通降至最低
    • 1+

      ¥3.16
    • 10+

      ¥2.46
    • 30+

      ¥2.16
    • 100+

      ¥1.79
    • 500+

      ¥1.68
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • UCC27524 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.73
    • 10+

      ¥3.22
    • 30+

      ¥2.87
    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.48
    • 1000+

      ¥2.42
  • 有货
  • IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.51
    • 500+

      ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.12
  • 有货
    • 1+

      ¥4.266 ¥4.74
    • 10+

      ¥3.501 ¥3.89
    • 30+

      ¥3.123 ¥3.47
    • 100+

      ¥2.745 ¥3.05
    • 500+

      ¥2.52 ¥2.8
    • 1000+

      ¥2.403 ¥2.67
  • 有货
  • 单相驱动,带SD功能 半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥4.2925 ¥5.05
    • 10+

      ¥3.7995 ¥4.47
    • 30+

      ¥3.553 ¥4.18
    • 100+

      ¥3.3065 ¥3.89
    • 500+

      ¥3.0515 ¥3.59
    • 1000+

      ¥2.975 ¥3.5
  • 有货
    • 1+

      ¥4.509 ¥5.01
    • 10+

      ¥3.708 ¥4.12
    • 30+

      ¥3.303 ¥3.67
    • 100+

      ¥2.907 ¥3.23
    • 500+

      ¥2.664 ¥2.96
    • 1000+

      ¥2.547 ¥2.83
  • 有货
    • 1+

      ¥4.509 ¥5.01
    • 10+

      ¥3.708 ¥4.12
    • 30+

      ¥3.303 ¥3.67
    • 100+

      ¥2.907 ¥3.23
    • 500+

      ¥2.664 ¥2.96
    • 1000+

      ¥2.547 ¥2.83
  • 有货
    • 1+

      ¥4.815 ¥5.35
    • 10+

      ¥3.951 ¥4.39
    • 30+

      ¥3.528 ¥3.92
    • 100+

      ¥3.096 ¥3.44
    • 500+

      ¥2.844 ¥3.16
    • 1000+

      ¥2.718 ¥3.02
  • 有货
  • FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器,FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.25
    • 10+

      ¥4.18
    • 30+

      ¥3.65
    • 100+

      ¥3.12
    • 500+

      ¥2.8
    • 1000+

      ¥2.63
  • 有货
    • 1+

      ¥5.265 ¥5.85
    • 10+

      ¥4.329 ¥4.81
    • 30+

      ¥3.852 ¥4.28
    • 100+

      ¥3.393 ¥3.77
    • 500+

      ¥3.114 ¥3.46
    • 1000+

      ¥2.97 ¥3.3
  • 有货
  • UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器,可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A,可缩短功率开关的上升和下降时间,降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟(典型值为17 ns)可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能,从而提高功率级效率
    • 1+

      ¥6.25
    • 10+

      ¥5.12
    • 30+

      ¥4.56
    • 100+

      ¥4
    • 500+

      ¥3.66
    • 1000+

      ¥3.49
  • 有货
  • 600V,三相桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.32
    • 10+

      ¥5.24
    • 30+

      ¥4.7
    • 100+

      ¥3.23
    • 500+

      ¥2.91
    • 1000+

      ¥2.75
  • 有货
  • 单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时,用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路(源/汲)典型值分别为 350mA/650mA。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.4
    • 10+

      ¥5.12
    • 30+

      ¥4.49
    • 100+

      ¥3.86
    • 500+

      ¥3.48
    • 1000+

      ¥3.28
  • 有货
  • 高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片,内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V,静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/- 2A/2.5A,采用SOP16封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.52
    • 10+

      ¥5.26
    • 30+

      ¥4.63
    • 100+

      ¥4
    • 500+

      ¥3.63
    • 1000+

      ¥3.43
  • 有货
  • GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流,以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns,电源轨为20V,使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V,HS引脚能够承受显著的负电压,增强了系统的抗噪能力
    • 1+

      ¥6.77
    • 10+

      ¥5.6
    • 30+

      ¥4.96
    • 100+

      ¥4.23
    • 500+

      ¥3.91
    • 1000+

      ¥3.76
  • 有货
  • LM5060 5.5V 至 65V 高侧保护控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.49
    • 10+

      ¥6.27
    • 30+

      ¥5.6
    • 100+

      ¥4.69
    • 500+

      ¥4.36
    • 1000+

      ¥4.21
  • 有货
  • UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.57
    • 10+

      ¥6.34
    • 30+

      ¥5.67
    • 100+

      ¥4.9
    • 500+

      ¥4.46
    • 1000+

      ¥4.31
  • 有货
  • UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.84
    • 10+

      ¥6.28
    • 30+

      ¥5.5
    • 100+

      ¥4.69
    • 500+

      ¥4.22
    • 1000+

      ¥3.98
  • 有货
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