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MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流，并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动

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型号：TC4427AEUA713 编号：C628548

封装：MSOP-8

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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型号：DRV8328CRUYR 编号：C5218865

封装：WQFN-28(4x4)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

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型号：2EDF7235KXUMA1 编号：C2677067

封装：DSO-16

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：NCV7544MWTXG 编号：C895779

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7544可编程四通道半桥MOSFET预驱动器是用于驱动逻辑电平NMOS FET的FLEXMOS汽车级产品系列之一。该产品可通过串行SPI和CMOS兼容并行输入的组合进行控制。内部上电复位可实现受控上电

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型号：MIC4426YMM 编号：C636525

封装：MSOP-8

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型号：UCC27322DGNR 编号：C84155

封装：MSOP-8-EP

UCC27322 具有使能端的单路 9A 高速低侧 MOSFET 驱动器

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型号：LM5111-2M/NOPB 编号：C132015

封装：SOIC-8

LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：TC1413NEOA713 编号：C624897

封装：SOIC-8

TC1413/TC1413N 是 3A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁。当接地引脚出现最高 5V 的任一种极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：MIC4427YMM-TR 编号：C144222

封装：MSOP-8

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效能的特点。这些驱动器可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压摆幅在正电源或地的25mV范围内。相比之下，同类双极型器件的电压摆幅仅能达到电源电压的1V以内

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型号：IR2301PBF 编号：C537623

封装：PDIP-8

IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：MP6610GJ-Z 编号：C3655224

封装：TSOT-23-8

品牌：MPS(芯源)

MP6610是一款具备电流测量和调节功能的半桥驱动器。在4V至55V的宽输入电压范围内，它能够提供高达3A的输出电流。MP6610旨在驱动有刷直流电机、螺线管及其他负载

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型号：MIC4420YN 编号：C641317

封装：PDIP-8

MIC4420和MIC4429 MOSFET驱动器坚固耐用、高效且易于使用。MIC4429是反相驱动器，而MIC4420是非反相驱动器。它们能够提供6A（峰值）输出，并能驱动最大型的MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

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型号：1EDI20H12AH 编号：C533013

封装：DSO-8

1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器，具有电气隔离功能，其分离输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：MCP14A1201-E/SN 编号：C635880

封装：SOIC-8

MCP14A1201/2 器件是高速 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 12.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择：反相（MCP14A1201）和同相（MCP14A1202）。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及匹配的传播延迟，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A1201/2 系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效使能引脚可拉低，以使 MCP14A1201/2 的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们能够承受高达 500 mA 的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达 2 kV（HBM）和 200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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型号：TC427EOA 编号：C636867

封装：SOIC-8

TTL/CMOS输入电压电平转换为轨到轨输出电压电平摆幅。CMOS输出在接地或正电源的25 mV范围内。低阻抗、大电流驱动器输出可在30 nsec内使1000 pF负载摆动18V。独特的电流和电压驱动特性使其成为理想的功率MOSFET驱动器、线路驱动器和DC-DC转换器构建模块

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型号：MAX5048CAUT+T 编号：C2677089

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

7A吸电流/3A灌出电流、8ns、SOT23、MOSFET驱动器、小尺寸、大电流MOSFET驱动器，理想用于高频开关电源

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型号：ISL55110IVZ 编号：C1556088

封装：TSSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL55110和ISL55111是双路高速MOSFET驱动器，适用于需要精确脉冲生成和缓冲的应用。目标应用包括超声、CCD成像、压电距离传感和时钟生成电路。这些器件具有宽输出电压范围和低导通电阻，能够驱动各种阻性和容性负载，实现快速的上升和下降时间，满足大型CCD阵列成像应用对高速运行和低偏斜的要求

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型号：HIP2210FRTZ 编号：C20350729

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：2EDR7259XXUMA1 编号：C17373399

封装：DSO-14

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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型号：2EDB7259YXUMA1 编号：C17625126

封装：DSO-14

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型号：UCC27302ADRCR 编号：C50092311

封装：VSON-10(3x3)

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型号：1ED3120MC12HXUMA1 编号：C5311646

封装：DSO-8

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：IR3550MTRPBF 编号：C537667

封装：PQFN-32(6x6)