mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IX4340NTR 编号：C7588209

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IX4340 是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端各自能够提供和吸收 5A 的峰值电流，最大额定电压为 20V。在大电流应用中，两个输出端可并联使用

1+
￥5.62
10+
￥4.48
30+
￥3.9
100+
￥3.34

有货

立即购买

型号：DOS2186 编号：C52140038

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

1+
￥4.05
10+
￥3.28
30+
￥2.89
100+
￥2.51

有货

立即购买

型号：UCC27444DR 编号：C35949002

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27444是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和GaN电源开关。UCC27444的典型峰值驱动强度为4A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为18ns），可改善系统的死区时间优化，控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。

数据手册

1+
￥4.05
10+
￥3.95
30+
￥3.88

有货

立即购买

型号：FAN3224TMPX 编号：C603198

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥4.0698 ￥9.69
10+
￥2.8224 ￥8.82
30+
￥1.8194 ￥8.27
100+
￥1.6962 ￥7.71
500+
￥1.6412 ￥7.46
1000+
￥1.617 ￥7.35

有货

立即购买

型号：COS2183S 编号：C42411192

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥4.44
10+
￥3.57
30+
￥3.14
100+
￥2.71
500+
￥2.46
1000+
￥2.32

有货

立即购买

型号：COS2113PBF 编号：C7501648

封装：DIP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5峰值拉/灌电流

1+
￥4.53
10+
￥3.58
25+
￥3.1
100+
￥2.63
500+
￥2.35
1000+
￥2.2

有货

立即购买

型号：DGD0507AFN-7 编号：C2676972

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

特性：50V浮动高端驱动器，可在半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET。 1.5A源电流/2.0A灌电流输出能力。内置自举二极管。高端和低端驱动器具有欠压锁定功能。典型延迟匹配为5ns。典型传播延迟为20ns。应用：DC-DC转换器。电机控制

数据手册

1+
￥4.6176 ￥5.92
10+
￥3.9372 ￥5.79
30+
￥3.306 ￥5.7
100+
￥3.2596 ￥5.62

有货

立即购买

型号：IX4428N 编号：C1549281

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端各自都能提供和吸收 1.5A 的峰值电流，上升和下降时间小于 10ns。每个驱动器的输入与 TTL 和 CMOS 兼容，并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间，使其非常适合高频和高功率应用。

数据手册

1000+
￥4.5258
2000+
￥4.4464
3000+
￥4.367

我要订货

型号：ZXGD3105N8TC 编号：C177100

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3105N8同步控制器专为驱动MOSFET作为理想整流器而设计。此举旨在取代二极管，以提高功率传输效率。比例栅极驱动控制会监测MOSFET的反向电压，这样一来，一旦发生体二极管导通，就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压

数据手册

1+
￥4.85
10+
￥4.05
30+
￥3.65
100+
￥3.26

有货

立即购买

型号：NSG2184P 编号：C49023242

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2184P 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。

1+
￥4.92
10+
￥3.97
50+
￥3.5
100+
￥3.03
500+
￥2.75

有货

立即购买

型号：UCC24624DT 编号：C2862170

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

用于 LLC 转换器的高频双路同步整流器控制器 8-SOIC -40 to 125

数据手册

1+
￥5.28
10+
￥4.24
30+
￥3.73

有货

立即购买

型号：CLM298N 编号：C7433359

封装：Multiwatt-15

品牌：CHIPLON(启珑)

1+
￥5.35
10+
￥4.79
25+
￥4.49
100+
￥4.14
500+
￥3.99

有货

立即购买

型号：2EDN7424FXTMA1 编号：C152435

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥5.67
10+
￥4.55
30+
￥3.98

有货

立即购买

型号：DGD2101MS8-13 编号：C460688

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2101M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以高端/低端配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2101M的高端在自举操作中能够切换至600V。高端和低端驱动器之间50ns（最大值）的传播延迟匹配，可实现高频开关

数据手册

1+
￥6.8204 ￥10.03
10+
￥5.8174 ￥10.03
30+
￥4.8144 ￥10.03

有货

立即购买

型号：CSD95377Q4M 编号：C553139

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95377Q4M 20V 35A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

数据手册

1+
￥6.85
10+
￥5.66
30+
￥5.01
100+
￥3.97

有货

立即购买

型号：IX4426N 编号：C1549436

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端各自都能提供和吸收 1.5A 的峰值电流，上升和下降时间小于 10ns。每个驱动器的输入与 TTL 和 CMOS 兼容，并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间，使其非常适合高频和高功率应用。

数据手册

1+
￥6.99
10+
￥5.8
30+
￥5.15
100+
￥4.41
500+
￥4.08

有货

立即购买

型号：UCC27524A1QDGNRQ1 编号：C2677103

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO 和负输入电压处理能力的汽车 5A/5A 双通道栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 140

数据手册

1+
￥7.02
10+
￥5.84
30+
￥5.18
100+
￥4.44

有货

立即购买

型号：LM5108DRCT 编号：C2677092

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥7.23
10+
￥6.01
30+
￥5.34

有货

立即购买

型号：DRV8300DIPWR 编号：C2862908

封装：TSSOP-20

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥7.4
10+
￥6.15
30+
￥5.46
100+
￥4.68

有货

立即购买

型号：UCC27532DBVR 编号：C2677173

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO、35V VDD、CMOS 输入和分离输出的 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140

数据手册

1+
￥7.61
10+
￥6.41
30+
￥5.75
100+
￥5

有货

立即购买

型号：DGD2003S8-13 编号：C460686

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2003是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2003的高端在自举操作中可切换至200V。DGD2003的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

数据手册

1+
￥7.6169 ￥12.91
10+
￥5.3998 ￥11.02
30+
￥3.8337 ￥9.83
100+
￥3.3618 ￥8.62
500+
￥3.1473 ￥8.07
1000+
￥3.0576 ￥7.84

有货

立即购买

型号：IRS21531DSTRPBF 编号：C538293

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

基于流行的IR2153自振荡半桥栅极驱动器IC，采用更先进的硅平台，集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。通过栅极驱动器的低di/dt峰值实现抗噪性。

数据手册

1+
￥7.84
10+
￥6.56
30+
￥5.86

有货

立即购买

型号：FAN73896MX 编号：C606092

封装：SOIC-28-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73896 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压锁定和带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。从外部电流传感电阻可产生终止所有六个输出的过电流保护。提供漏极开路故障信号来表明发生了过电流或欠压关断。当 V 和 VBS 低于阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350mA/650mA；适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

数据手册

1+
￥8.0348 ￥15.16
10+
￥6.2092 ￥14.44
30+
￥4.6233 ￥14.01
100+
￥4.4814 ￥13.58
500+
￥4.4154 ￥13.38
1000+
￥4.3857 ￥13.29

有货

立即购买

型号：TC1428CPA 编号：C640727

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC1426/TC1427/TC1428 是一系列 1.2A 双路高速驱动器。采用 CMOS 制造工艺，实现低功耗和高效率。这些器件采用外延层制造，可有效短路导致 CMOS 闩锁的固有寄生晶体管。它们还采用了许多其他设计和工艺改进措施，以提高长期可靠性。TC1426 与双极型 DS0026 兼容，但静态电流仅为其 1/5。TC1426/TC1427/TC1428 也与 TC426/TC427/TC428 兼容，但峰值输出电流为 1.2A，而 TC426/TC427/TC428 器件为 1.5A。其他兼容的驱动器有 TC4426/TC4427/TC4428 和 TC4426A/TC4427A/TC4428A。TC4426/TC4427/TC4428 增加了输入可通过二极管保护电路承受高达 5V 负电压的特性。TC4426A/TC4427A/TC4428A 的输入到输出上升沿和下降沿延迟 t↑01 和 tD2 相匹配，适用于处理 25 纳秒范围内的短脉冲。上述所有驱动器引脚兼容。高输入阻抗的 TC1426/TC1427/TC1428 驱动器与 CMOS/TTL 输入兼容，无需双极型器件所需的加速电路，且可由大多数 PWM 集成电路直接驱动。该系列器件有反相和同相版本。规格经过优化，以实现低成本、高性能的器件，非常适合大批量制造商。

数据手册

1+
￥8.1498 ￥17.34
10+
￥5.476 ￥14.8
60+
￥3.5667 ￥13.21
120+
￥3.1266 ￥11.58
480+
￥2.9268 ￥10.84
1200+
￥2.8404 ￥10.52

有货

立即购买

型号：1EDI05I12AF 编号：C530949

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

数据手册

1+
￥8.4022 ￥9.77
10+
￥6.194 ￥8.15
30+
￥4.7982 ￥7.27
100+
￥4.1316 ￥6.26
500+
￥3.8412 ￥5.82
1000+
￥3.7092 ￥5.62

有货

立即购买

型号：DGD2184MS8-13 编号：C2677193

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2184M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2184M的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2184M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

数据手册

1+
￥8.4854 ￥14.63
10+
￥7.0224 ￥14.63
30+
￥5.5594 ￥14.63

有货

立即购买

型号：UCC27524AQDRQ1 编号：C544585

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27524A-Q1 具有负输入电压能力的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥8.73
10+
￥7.3
30+
￥6.52
100+
￥5.63

有货

立即购买

型号：TC426CPA 编号：C640728

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TTL/CMOS输入电压电平转换为轨到轨输出电压电平摆幅。CMOS输出在接地或正电源的25 mV范围内。低阻抗、大电流驱动器输出可在30 nsec内使1000 pF负载摆动18V。独特的电流和电压驱动特性使该产品成为理想的功率MOSFET驱动器、线路驱动器和DC-DC转换器构建模块

数据手册

1+
￥9.04
10+
￥8.84
30+
￥8.71

有货

立即购买

型号：NCV5703CDR2G 编号：C904651

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

数据手册

1+
￥9.4944 ￥11.04
10+
￥8.208 ￥10.8
30+
￥7.0224 ￥10.64
100+
￥6.9168 ￥10.48

有货

立即购买

型号：UCC27424QDRQ1 编号：C2676923

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x-Q1 系列器件为高速双 MOSFET 驱动器，能够向容性负载提供大峰值电流。该系列提供两种标准逻辑选项：双反相驱动器和双同相驱动器。它们采用标准 8 引脚 SOIC (D) 封装

数据手册

1+
￥9.53
10+
￥7.85
30+
￥6.93

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示