mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220-5

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：IR35412MTRPBF 编号：C537664

封装：SMD,6x5mm

品牌：Infineon(英飞凌)

新的集成功率级将最先进的低压MOSFET技术与最新的驱动器设计相结合。这些技术集成到成熟的多芯片PQFN封装中，为客户提供了用于管理处理器电源的一流高效设备。双边缘调整死区时间可显著提高峰值效率。内部MOSFET RDS(on)电流检测（通过专用开尔文接地连接）和集成温度补偿，与电感DCR检测方法相比，可实现卓越的电流检测精度。新一代集成功率级还提供具有可编程阈值和故障标志的逐周期过流保护。此外，可编程恒定电流限制OCSET允许用户设置特定的电流限制。欠压锁定（UVLO）保护支持系统启动期间的稳定运行。针对服务器、电信和数据通信应用中的CPU核心以及GPU和DDR内存电源进行了优化。

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型号：STDRIVEG600TR 编号：C3655710

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器

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型号：DRV8662RGPR 编号：C2653565

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动器

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型号：TC4429CPA 编号：C640801

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这些驱动器采用CMOS制造，与双极型驱动器相比，功耗更低，运行效率更高。两个器件都有TTL/CMOS兼容输入，可驱动高达VDD + 0.3V或低至-5V，而不会对器件造成干扰或损坏。这消除了对外部电平转换电路及其相关成本和尺寸的需求。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭排序期间。与其他驱动器不同，这些驱动器几乎不会出现闩锁现象。它们取代了三个或更多分立元件，节省了PCB面积和元件数量，并提高了整个系统的可靠性。

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型号：MAX14919AATP+T 编号：C17347297

封装：TQFN-20(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX14919/MAX14919A 工业防护型四通道低边开关的特点是，每通道导通电阻（R o N）典型值为 140mΩ，集成了 ±1kV/42Ω 浪涌保护，可实现稳定运行。通过电阻设置的精确限流功能，可确保工作电流在 100mA 至 800mA 范围内。利用 2 倍浪涌负载电流选项，可支持需要大启动电流或浪涌电流的负载

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型号：IR2130STRPBF 编号：C16675

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥驱动IC

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型号：SM72295MA/NOPB 编号：C1519373

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TI(德州仪器)

SM72295 具有集成电流感应放大器的 3A、100V 全桥栅极驱动器

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型号：DRV8350RSRGZR 编号：C2150748

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8350R 具有降压稳压器的 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：L9960TR 编号：C2969939

封装：PowerFSOP-36

品牌：ST(意法半导体)

H桥

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型号：MIC4451ZT 编号：C570191

封装：TO-220-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4451和MIC4452 CMOS MOSFET驱动器性能可靠、效率高且易于使用。MIC4451是反相驱动器，而MIC4452是非反相驱动器。这两款产品均能提供12A（峰值）输出电流，并且能驱动大型MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

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型号：TC4423COE 编号：C642020

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4423/TC4424/TC4425器件是一组3A双输出缓冲器/MOSFET驱动器。该系列器件与TC1426/27/28、TC4426/27/28和TC4426A/27A/28A双1.5A驱动器系列引脚兼容，其闩锁电流额定值提高到1.5A，使其在恶劣电气环境中运行时更加可靠。作为MOSFET驱动器，TC4423/TC4424/TC4425能够在35纳秒内轻松对1800pF的栅极电容进行充电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响

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型号：NCV7724DQBR2G 编号：C2902155

封装：SSOP-24-EP-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7724B是一款八通道半桥驱动器，具备保护功能，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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型号：MP86934GLT-Z 编号：C5800437

封装：TQFN-21(3x4)

品牌：MPS(芯源)

MP86934是一款单片半桥器件，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它能实现25A的连续输出电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率

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型号：VN7000AYTR 编号：C2971378

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

具有MultiSense模拟反馈的高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：MIC4468YWM 编号：C641627

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4467/8/9系列四输出CMOS缓冲器/驱动器是早期单输出和双输出驱动器的扩展，它们在功能上密切相关。由于封装引脚数量允许，每个驱动器都配备了一个双输入逻辑门，以增加灵活性。将四个高功率驱动器集成在一个封装中还能提高系统可靠性并降低系统总成本

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型号：LTC7001IMSE#TRPBF 编号：C690094

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

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型号：TC4469CPD 编号：C645945

封装：PDIP-14

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款四输出CMOS缓冲器/MOSFET驱动器，具有1.2A的峰值驱动能力。与其他MOSFET驱动器不同，这些设备的每个输出都有两个输入。输入配置为逻辑门：与非门（TC4467）、与门（TC4468）和与/反相器（TC4469）。可以连续向接地负载提供高达250 mA的电流。这些设备非常适合直接驱动低电流电机，或在H桥配置中驱动MOSFET以实现更高电流的电机驱动。在驱动器上集成逻辑门有助于减少许多设计中的元件数量。非常坚固且高度抗闩锁。它们可以承受地线上高达5V的噪声尖峰，并可以处理驱动器输出上高达0.5A的反向电流。

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型号：MCZ33810EK 编号：C3192631

封装：SSOP-32-EP-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

是一款八通道输出驱动IC，适用于汽车发动机控制应用。该IC由四个集成的低端驱动器和四个低端栅极预驱动器组成。低端驱动器适用于驱动喷油器、电磁阀、灯和继电器。四个栅极预驱动器既可以作为点火IGBT栅极预驱动器，也可以作为通用MOSFET栅极预驱动器。该器件采用SMARTMOS技术供电。当配置为点火IGBT栅极预驱动器时，可启用额外功能，如火花持续时间、导通时间和点火线圈电流检测。当配置为通用栅极预驱动器（GPGD）时，提供外部MOSFET短路保护、电感反激保护和诊断功能。该器件采用32引脚（0.65mm间距）外露焊盘SOIC封装。

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型号：LTC4444HMS8E-5#TRPBF 编号：C688581

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一个高频高压栅极驱动器，可在同步 DC/DC 转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压高达 100V。这个强大的驱动器可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。配置为两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地 114V 的电压下工作。包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部 MOSFET。自适应直通保护可防止两个 MOSFET 同时导通。

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型号：LTC4446EMS8E#PBF 编号：C688589

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4446是一款高频高压栅极驱动器，可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446顶部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为2.5A，下拉输出阻抗为1.2Ω

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型号：QP12W08S-37 编号：C115812

封装：SIP-13

品牌：MORNSUN(金升阳)

GP12W08s 37 是一款集成混合式 IGBT 驱动器，内置隔离式 DC - DC 转换器。该器件是一个完全隔离的栅极驱动电路，由一个经过优化的隔离式栅极驱动放大器和一个隔离式 DC - DC 转换器组成。栅极驱动器基于去饱和检测和故障输出提供故障保护功能

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型号：DRV83053QPHPQ1 编号：C701115

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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型号：LMG3100R044VBER 编号：C42715446

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3100器件是一款具有集成驱动器的100V连续、120V脉冲氮化（GaN）FET。该器件提供两种Rds(on)和最大电流型号，即126A/1.7mΩ(LMG3100R017)和46A/4.4mΩ(LMG3100R044)。该器件包含一个由高频GaNFET驱动器驱动的100V GaN FET。LMG3100包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个LMG3100器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。 GaNFET在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容Ciss和输出电容Coss都非常小。驱动器和GaNFET均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100器件采用6.5mmx4mmx0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。无论VCC电压如何，TTL逻辑兼容输入均可支持3.3V和5V逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaNFET的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式GaNFET的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

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型号：LMG2610RRGR 编号：C21031557

封装：-

品牌：TI(德州仪器)

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型号：LMG2640RRGR 编号：C44231311

封装：VQFN-40(7x9)

品牌：TI(德州仪器)

适用于开关模式电源应用中。通过在9mmx7mmQFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到PCB电源地进行冷却。高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关GaN自举FET没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括FET导通互锁、欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

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型号：LMG3422R030RQZR 编号：C5218872

封装：VQFN-54(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET

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型号：MC33PT2001AE 编号：C729087

封装：LQFP-64-EP(10x10)

品牌：NXP(恩智浦)

用于汽车应用中电磁阀控制，典型应用为发动机控制，也支持广泛的系统配置。总体架构包括一组可编程微内核、集成的高端（x5）和低端（x7）预驱动器，用于离散逻辑电平MOSFET、喷射结束检测以及针对外部故障的诊断和保护手段。支持电池电压和升压电压电平的高端配置。芯片通过SPI总线和一组灵活的直接接口信号与主控制器通信。可编程架构：四个专用微处理器内核经过优化，以小延迟时间控制功率MOSFET，可在设计和运行时实现高度灵活性。高集成度：所有接口设计为尽可能少使用外部组件。

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型号：G2026 编号：C53436476

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥0.4065
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型号：LKS513 编号：C2798402

封装：ESOP-16

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS513是一款用于功率P沟道/N沟道MOSFET的三相40V高速半桥预驱动器。它有两个用于高端和低端的输入，且每个通道有两个输出，内部设有死区时间以避免交叉导通。输入逻辑电平与3.3V/5V/15V信号兼容

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