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UCC27523 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

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型号：1EDN7550UXTSA1 编号：C3655811

封装：TSNP-6

EiceDRIVER 1EDNx550 是单通道高端和低端栅极驱动 IC 的 TDI 系列产品。TDI 系列具备全差分输入电路。真正的差分输入（TDI）提供出色的共模抗扰度（CMR），并消除误触发风险

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型号：IRS4428STRPBF 编号：C538362

封装：SOIC-8

是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。两个通道之间的传播延迟匹配。

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型号：UCC37325DR 编号：C2677148

封装：SOIC-8

UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。

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型号：COS3121SR 编号：C30212521

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-18V，单反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

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型号：UCC37323DR 编号：C1848354

封装：SOIC-8

UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。

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型号：ADP3110AKCPZ-RL 编号：C109351

封装：DFN-8(3x3)

ADP3110A 是一款双高电压 MOSFET 驱动器，适用于在一个非隔离同步降压功率转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET 和两个开关。每个驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 30 ns。其中一个驱动器可以自举，适用于处理与浮动高压侧门极驱动器相关联的高电压摆率。 ADP3110A 包括了重叠驱动保护，可防止外部 MOSFET 中的击穿电流。

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型号：NSG2136 编号：C41414505

封装：SOP-28

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V 三相桥驱动、高低侧反逻辑、拉/灌电流：0.21/0.35A

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型号：NCV5700DR2G 编号：C603966

封装：SO-16

NCV5700 是一款高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包括太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的大功率应用。该器件不再使用很多外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位、准确的 UVLO、EN 输入、DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出，方便系统设计。该驱动器可采用较宽的偏置电源电压范围，包括单极和双极电压。它采用 16 引脚 SOIC 封装。经过 AEC-Q100 认证。

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型号：1EDI20I12AF 编号：C533014

封装：DSO-8

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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型号：UCC27525DSDR 编号：C2676988

封装：WSON-8-EP(3x3)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

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型号：IRS2181STRPBF 编号：C67284

封装：SOIC-8

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：LM5108DRCT 编号：C2677092

封装：VSON-10-EP(3x3)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

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型号：MP1911GTL-Z 编号：C7231518

封装：SOT-583

品牌：MPS(芯源)

是一个H桥驱动器，工作电源电压范围为2.5V至16V，可根据逻辑控制提供高达1A的输出电流。H桥由四个N沟道功率MOSFET和一个内部电荷泵组成，用于产生所需的栅极驱动电压。由两个输入引脚IN1和IN2控制，两个开/关输入决定输出模式：正向、反向、滑行或制动。当IN1和IN2拉高时，应用制动以停止驱动器。当IN1和IN2拉低时，可实现非常低的待机电路电流。具备完整的保护功能，包括过流保护（OCP）、短路保护（SCP）、欠压锁定（UVLO）和过温保护（OTP）。仅需最少数量的现成标准外部组件，采用SOT583封装。

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型号：DGD2005S8-13 编号：C460687

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2005是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2005的高端在自举操作中可切换至200V。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配最大为30ns，可实现高频开关

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型号：TC1427COA713 编号：C624899

封装：SOIC-8

TC1426/TC1427/TC1428 是一系列 1.2A 双路高速驱动器。采用 CMOS 制造工艺，实现低功耗和高效率。这些器件采用外延层制造，可有效短路导致 CMOS 闩锁的固有寄生晶体管。它们还采用了许多其他设计和工艺改进措施，以提高长期可靠性。TC1426 与双极型 DS0026 兼容，但静态电流仅为其 1/5。TC1426/TC1427/TC1428 也与 TC426/TC427/TC428 兼容，但峰值输出电流为 1.2A，而 TC426/TC427/TC428 器件为 1.5A。其他兼容的驱动器有 TC4426/TC4427/TC4428 和 TC4426A/TC4427A/TC4428A。TC4426/TC4427/TC4428 增加了输入可通过二极管保护电路承受高达 5V 负电压的特性。TC4426A/TC4427A/TC4428A 的输入到输出上升沿和下降沿延迟 t↑01 和 tD2 相匹配，适用于处理 25 纳秒范围内的短脉冲。上述所有驱动器引脚兼容。高输入阻抗的 TC1426/TC1427/TC1428 驱动器与 CMOS/TTL 输入兼容，无需双极型器件所需的加速电路，且可由大多数 PWM 集成电路直接驱动。该系列器件有反相和同相版本。规格经过优化，以实现低成本、高性能的器件，非常适合大批量制造商。

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型号：STDRIVE101TR 编号：C3655697

封装：VFQFPN-24

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

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型号：TC1413EOA 编号：C636858

封装：SOIC-8-150mil

TC1413/TC1413N 是 3A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁。当接地引脚出现最高 5V 的任一种极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：UCC27611DRVR 编号：C5218780

封装：WSON-6(2x2)

UCC27611是一款针对5V驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器，它专门用来对增强模式GaNFET进行寻址。驱动电压VREF被内部线性稳压器精确稳压至5V。UCC27611提供4A拉电流和6A灌电流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。

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型号：MC33153DR2G 编号：C457626

封装：SOIC-8

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

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型号：MIC4127YME 编号：C637525

封装：SOIC-8-EP

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型号：MIC4428ZM 编号：C637543

封装：SOIC-8

高度可靠的双低侧MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25mV范围内摆动。相比之下，同类双极型器件只能在电源的1V范围内摆动。该驱动器有三种配置：双反相、双同相和一个反相加一个同相输出

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型号：UCC27201AD 编号：C1549352

封装：SOIC-8

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：FAN73896MX 编号：C606092

封装：SOIC-28-300mil

FAN73896 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压锁定和带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。从外部电流传感电阻可产生终止所有六个输出的过电流保护。提供漏极开路故障信号来表明发生了过电流或欠压关断。当 V 和 VBS 低于阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350mA/650mA；适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：MAX5075AAUA+T 编号：C969101

封装：UMAX-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

集成推挽式FET驱动器，带有振荡器和时钟输出

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￥9.4012 ￥24.74
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型号：UCC27211ADRMT 编号：C133078

封装：VSON-8(4x4)

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。

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型号：FAN3224TMPX 编号：C603198

封装：DFN-8-EP(3x3)