mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

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型号：MIC4223YMME 编号：C636522

封装：MSOP-8-EP

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流，并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动

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型号：STDRIVEG600TR 编号：C3655710

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器

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型号：TC428EPA 编号：C640733

封装：PDIP-8

TC426/TC427/TC428 是双路 CMOS 高速驱动器。TTL/CMOS 输入电压电平可转换为轨到轨输出电压电平摆幅。CMOS 输出与地或正电源的压差在 25 mV 以内

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型号：MCP14E10-E/P 编号：C640315

封装：PDIP-8

MCP14E9/10/11器件是高速MOSFET驱动器，能够提供3.0A的峰值电流。双反相、双同相和互补输出可直接由TTL或CMOS（3V至18V）控制。这些器件还具有低直通电流、近乎匹配的上升/下降时间和传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。MCP14E9/10/11器件采用4.5V至18V单电源供电，能够轻松对1800pF的MOSFET栅极电容进行充电和放电。它们在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。通过使用独立的使能功能，可以对MCP14E9/10/11的输出进行额外控制。ENB_A和ENB_B引脚为高电平有效，内部上拉至VDD。在标准操作中，这些引脚可以悬空。MCP14E9/10/11双输出3.0A驱动器系列提供表面贴装和通孔封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。热增强型DFN封装的低热阻使其在驱动较大电容性或电阻性负载时具有更高的功率耗散能力。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，器件不会受到损坏。按照JEDEC JESD78A标准进行测试时，器件具有完全的闩锁保护功能。所有引脚均具有高达4kV（HBM）或400V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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型号：ADP3623ARDZ-RL 编号：C659197

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器，能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸，同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器，提供两级过温保护，即过温警告和在极端结温下的过温关断功能

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型号：DRV8662RGPR 编号：C2653565

封装：QFN-20-EP(4x4)

DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动器

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型号：STDRIVE601 编号：C2961092

封装：SO-28-300mil

品牌：ST(意法半导体)

三半桥高压栅极驱动器

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型号：MIC4224YM-TR 编号：C628022

封装：SOIC-8

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流，并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动

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型号：IR35412MTRPBF 编号：C537664

封装：SMD,6x5mm

品牌：Infineon(英飞凌)

新的集成功率级将最先进的低压MOSFET技术与最新的驱动器设计相结合。这些技术集成到成熟的多芯片PQFN封装中，为客户提供了用于管理处理器电源的一流高效设备。双边缘调整死区时间可显著提高峰值效率。内部MOSFET RDS(on)电流检测（通过专用开尔文接地连接）和集成温度补偿，与电感DCR检测方法相比，可实现卓越的电流检测精度。新一代集成功率级还提供具有可编程阈值和故障标志的逐周期过流保护。此外，可编程恒定电流限制OCSET允许用户设置特定的电流限制。欠压锁定（UVLO）保护支持系统启动期间的稳定运行。针对服务器、电信和数据通信应用中的CPU核心以及GPU和DDR内存电源进行了优化。

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型号：SM72295MA/NOPB 编号：C1519373

封装：SOIC-28-300mil

SM72295 具有集成电流感应放大器的 3A、100V 全桥栅极驱动器

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型号：TC4451VAT 编号：C641439

封装：TO-220-5

TC4451/TC4452 是单输出 MOSFET 驱动器。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4451/TC4452 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：MPQ6527GF-AEC1-Z 编号：C5799798

封装：TSSOP-28-EP

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型号：MIC4224YMME 编号：C220586

封装：MSOP-8

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列双路 4A、高速、低端 MOSFET 驱动器，具备逻辑电平驱动器使能功能。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构并行，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸收和提供 4A 的峰值电流，并能在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出可在 VDD 以下 0.3V 和地以上 0.16V 范围内摆动

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型号：MIC4424YWM 编号：C641622

封装：SOIC-16-300mil

MIC4423/4424/4425系列是高可靠性的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器。它们是MIC4426/4427/4428的高输出电流版本，而MIC4426/4427/4428又是MIC426/427/428的改进版本。这三个系列的引脚均兼容

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型号：MPQ6531GV-AEC1-Z 编号：C6909660

封装：QFN-28(4x5)

MPQ6531是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。它能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达60V。MPQ6531集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端MOSFET驱动器产生电源电压

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型号：CSD95372BQ5M 编号：C2879243

封装：SON-12-EP(5x6)

CSD95372BQ5M 60A 同步降压 NexFET™ 智能功率级

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型号：IXDI614SI 编号：C5299827

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：LM5101AMRX/NOPB 编号：C2677212

封装：SO-8

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：DRV83053QPHPRQ1 编号：C701777

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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型号：NCD57256DR2G 编号：C17585826

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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型号：LTC7066RMSE#PBF 编号：C20047759

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7066以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET

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型号：MP86933GQT-Z 编号：C3655164

封装：TQFN-13(3x3)

MP86933 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86933 在较宽的输入电源范围内可实现 12A 的连续输出电流，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感实现了高效率。MP86933 可与三态输出控制器配合使用，并具备通用电流检测和温度检测功能。MP86933 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。MP86933 采用小型 FC-TQFN-13（3mmx3mm）封装。

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型号：TC4431VOA 编号：C636903

封装：SOIC-8

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型号：TC4421AVOA 编号：C1549431

封装：SOIC-8

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：MIC5013YM 编号：C1549385

封装：SOIC-8