MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSG4426 编号：C41414515

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

双通道（双反)、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

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￥1.4612
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￥1.1482
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￥1.0141

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型号：NSG27511 编号：C41414512

封装：SOT-23-6

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、双输入（IN+&IN-)、拉/灌电流：4/4A，输入耐受低至-10V

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￥1.4851
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￥1.1721
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￥1.0379

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型号：NSG27712 编号：C52975934

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥1.4943
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￥1.1813
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￥1.0471
500+
￥0.8798

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型号：NSG6008 编号：C52975931

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

5+
￥1.5219
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￥1.2032
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￥1.0665
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￥0.8961

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型号：SiLM27524NCA-DG 编号：C41433637

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM27524N系列器件为双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SiLM27524N采用的设计从本质上减少了直通电流，能够为容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，传播延迟极小，典型值为18 ns。在12V VDD电源供电时，SiLM27524N的源极峰值驱动电流能力为4.5 A，漏极峰值驱动电流能力为5.5 A

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￥1.5267
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￥1.1988
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￥1.0582

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型号：LS1240AG-SO8-R 编号：C127025

封装：SOP-8

品牌：UTC(友顺)

UTC LS1240A 是单片集成电路，设计用作电话振铃器。它可直接驱动压电陶瓷转换器（蜂鸣器）。UTC LS1240A 的输出电流能力高于标准振铃器

数据手册

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￥1.556
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￥1.2385
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￥1.1024
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￥0.9326

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型号：NSG27518 编号：C52975877

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥1.7267
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￥1.365
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￥1.21
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￥1.0166

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型号：NSG2027 编号：C41414484

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流：4/4A、集成自举二极管（180ohm）

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￥1.79
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￥1.35
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￥1.29
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￥1.26

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型号：GHD3440PF 编号：C42385770

封装：TSSOP-20

品牌：Geehy(极海半导体)

GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。

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￥2.06
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￥2.01
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￥1.98
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￥1.95

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型号：NSG2106 编号：C7421064

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A

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￥2.0936
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￥1.6439
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￥1.4512
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￥1.2107

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型号：NSG21531DP 编号：C46473163

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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￥2.36
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￥2.09
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￥1.95
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￥1.82
500+
￥1.74

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型号：1EDN7512(TOKMAS) 编号：C7525407

封装：TSOT-23-5

品牌：Tokmas(托克马斯)

栅极驱动IC 驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~18V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A

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￥2.4026
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￥1.7186
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￥1.4625
3000+
￥1.1752
6000+
￥1.1068

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型号：XL2112PBF 编号：C22397798

封装：DIP-14

品牌：XINLUDA(信路达)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥2.47
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￥2.15
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￥2.02
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￥1.85
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￥1.78

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型号：XL2112SPBF 编号：C22397799

封装：SOP-16-300mil

品牌：XINLUDA(信路达)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥2.57
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￥2.28
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￥2.13
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￥1.99
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型号：COS27424SR 编号：C5334499

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

4.5A，4.5V-25V，双同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

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￥3.17
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￥1.56
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￥1.45

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型号：IRS2127STRPBF 编号：C2676915

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2127/IRS2128/IRS21271/IRS21281是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥3.24
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￥3.18
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￥3.09

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型号：NSG2181 编号：C7421058

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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型号：JSM6288Q1 编号：C52196409

封装：QFN-24(4x4)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

此版本为低欠压VCC≥5V；C19077370为高欠压VCC≥8V；三相高低侧栅极驱动芯片，大电流带欠压保护兼容FD6288Q。

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型号：XL2113PBF 编号：C22397800

封装：DIP-14

品牌：XINLUDA(信路达)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥3.49
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型号：NSG1040 编号：C46473172

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG1040是一款全桥高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达100V，该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外，高侧与低侧均包含有欠压保护功能。NSG1040为SOP14封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

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￥3.66
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￥2.91
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￥2.54
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型号：NSG21834 编号：C41414497

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：4/4A

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￥3.69
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￥3.27
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￥3.06
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￥2.86
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￥2.74

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型号：NSG21814 编号：C41414495

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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￥3.69
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型号：DGD05473FN-7 编号：C189752

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD05473是一款高频栅极驱动器，能够驱动n沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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￥3.78
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￥2.95
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￥2.6
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￥2.16

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型号：2EDN8524R 编号：C533089

封装：TSSOP-8-EP-3.0mm

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥3.95
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型号：DOS2186 编号：C52140038

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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￥4.05
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￥3.28
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￥2.89
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￥2.51

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型号：UCC27444DR 编号：C35949002

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27444是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和GaN电源开关。UCC27444的典型峰值驱动强度为4A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为18ns），可改善系统的死区时间优化，控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。

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￥4.05
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￥3.95
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￥3.88

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型号：FAN3224TMPX 编号：C603198

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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