MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：LMG5200MOFR 编号：C2680255

封装：QFM-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

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1+
￥73.94
10+
￥64.25
30+
￥58.35

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型号：UC1708J883B 编号：C5218820

封装：CDIP-8

品牌：TI(德州仪器)

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￥366.79
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￥350

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型号：LKS520 编号：C2798403

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS520 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +600V 。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。

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5+
￥0.4874
2500+
￥0.4873

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型号：NSG3022 编号：C46473166

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG3022 是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG3022 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或LSTTL 逻辑输出电平。NSG3022 其浮动通道可用于驱动高压侧N 沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG3022 采用SOP8 封装，可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。

5+
￥0.5086
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￥0.4419
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￥0.4086
500+
￥0.3836
2500+
￥0.3636

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型号：G2022 编号：C41414475

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

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￥0.7056
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￥0.551
150+
￥0.4738
500+
￥0.4158
2500+
￥0.3694

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型号：XJNG2102 编号：C48542888

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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￥0.8008
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￥0.6242
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￥0.5359
500+
￥0.4696
2500+
￥0.4166

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型号：NSG0462U 编号：C6274824

封装：SOP-16-150mil

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG0462U是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。

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￥0.857
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￥0.7485
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￥0.7019
500+
￥0.6438
2500+
￥0.618
4000+
￥0.6025

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型号：NSG2007 编号：C7421055

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

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￥0.8577
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￥0.749
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￥0.7024
500+
￥0.6443
2500+
￥0.6185

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型号：NSG1415 编号：C41414509

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG1415/6(R)是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG1415/6(R)逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥1.0292
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￥0.8988
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￥0.8429
500+
￥0.7732

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型号：NSG6002 编号：C41414491

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

650V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、拉/灌电流：0.6/1.1A

5+
￥1.0693
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￥0.9246
150+
￥0.8626
500+
￥0.7853

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型号：EG2302 编号：C5346626

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

待SD半桥驱动芯片 EG2302是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2302高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽5V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个500K上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

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5+
￥1.1233
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￥0.9721
150+
￥0.9073
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￥0.8264

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型号：G2021Q 编号：C41414474

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

5+
￥1.1348
50+
￥0.8855
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￥0.7787
500+
￥0.6454

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型号：UCC27524DR(TOKMAS) 编号：C49209007

封装：SOP-8

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：两个独立驱动器，每个能够提供和吸收5A电流。 CMOS和TTL兼容输入。每个通道独立使能。 4.5V至18V电源电压范围。 -40℃至+125℃扩展工作温度范围。 ±4kV ESD等级（人体模型）。应用：距离测试脉冲激光。电池管理系统

5+
￥1.1658
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￥0.9138
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￥0.8058
500+
￥0.6711
2500+
￥0.6111
5000+
￥0.575

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型号：EG1416 编号：C5346625

封装：SOT23-5

品牌：EG(屹晶微)

低册单通道驱动芯片 EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

数据手册

5+
￥1.2508
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￥0.9786
150+
￥0.862
500+
￥0.7164

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型号：MCP1416T-E/OT(LX) 编号：C52261119

封装：SOT-23-5

品牌：LX(灵星芯微)

能够提供1.5A峰值电流的高速MOSFET驱动器。

5+
￥1.2753
50+
￥1.0082
150+
￥0.8937
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￥0.7509

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型号：U2103C 编号：C41374693

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥1.2975
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￥1.0187
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￥0.8992
500+
￥0.7501

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型号：NSG27531 编号：C41414511

封装：SOT-23-6

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、双输入（IN&EN)、拉/灌电流：2/4A，输入耐受低至-10V

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￥1.4542
50+
￥1.1419
150+
￥1.008
500+
￥0.841

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型号：HTC4428AEOA713 编号：C22449576

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此栅极驱动集成电路广泛适用于4.5V至25V电压平台，峰值输出电流达2A，确保快速精准的信号放大。其承受-5V最大输入负压的特性，增强了电路的稳定性和适应性，是实现高效能电子开关和信号控制的杰出搭档。

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￥1.4694 ￥1.58
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￥1.4415 ￥1.55
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￥1.4136 ￥1.52
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￥1.395 ￥1.5

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型号：DRDC3105E6-7 编号：C460720

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

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￥1.4845
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￥1.1727
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￥1.039
500+
￥0.8723

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型号：NSG27323 编号：C41414518

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

双通道（双反)、拉/灌电流：4/4A，输入耐受低至-10V

5+
￥1.4866
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￥1.2983
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￥1.2175
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￥1.1168
2500+
￥1.072

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型号：NSG3100C 编号：C53463330

封装：SOT-23-5

品牌：NCE(无锡新洁能)

5+
￥1.5057
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￥1.1927
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￥1.0585
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￥0.8912
3000+
￥0.8167

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型号：NCP81062MNTWG 编号：C154581

封装：DFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81062 是一款高性能 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测特性即使在轻型负载条件下可能实现一个高能效方案。预 OVP 特性有助于在高压侧 FET 发生短路时保护负载。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到预 OVP 或 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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￥1.564 ￥2.3
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￥1.1716 ￥2.02
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￥0.912 ￥1.9
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￥0.8448 ￥1.76
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￥0.8112 ￥1.69
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￥0.792 ￥1.65

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型号：SL6288Q 编号：C53085155

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Slkor(萨科微)

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￥1.5881
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￥1.2555
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￥1.1129
500+
￥0.935

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型号：FD2607S 编号：C5187177

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2607S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2607S内置VCC欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD2607S内置防直通保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。

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5+
￥1.6109
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￥1.277
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￥1.1339
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￥0.9554

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型号：SiLM27624MCA-DG 编号：C7419945

封装：SOP8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SiLM27624 采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为 20ns。在 12V VDD 电源供电时，SiLM27624 的源极和漏极峰值驱动电流能力均为 5.0A