MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：PDIP-8

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

数据手册

1+
￥12.36
10+
￥12.06
30+
￥11.85

有货

立即购买

型号：TF21834M-TR 编号：C17701722

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥7.119 ￥7.91
10+
￥5.886 ￥6.54
30+
￥5.211 ￥5.79
100+
￥4.446 ￥4.94
500+
￥4.104 ￥4.56
1000+
￥3.951 ￥4.39

有货

立即购买

型号：2EDL05N06PF-JSM 编号：C7466372

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥7.263 ￥8.07
10+
￥5.967 ￥6.63
30+
￥5.256 ￥5.84
100+
￥4.446 ￥4.94
500+
￥4.086 ￥4.54
1000+
￥3.924 ￥4.36

有货

立即购买

型号：TPS2814DR 编号：C2676925

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2814 具有 2 个与门输入（每个输出各一个）的 2A/2A 双路栅极驱动器

数据手册

1+
￥7.78
10+
￥6.48
30+
￥5.76
100+
￥4.95
500+
￥4.04

有货

立即购买

型号：MIC4605-1YM-TR 编号：C628051

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

1+
￥7.93
10+
￥6.59
30+
￥5.85

有货

立即购买

型号：DRV8703QRHBRQ1 编号：C181573

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8703-Q1 具有 SPI 控制功能的汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥8.15
10+
￥6.74
30+
￥5.97
100+
￥5.1

有货

立即购买

型号：MAX5048BAUT+T 编号：C2677017

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

7.6A, 12ns, SOT23/TDFN MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥9.22
10+
￥7.72
30+
￥6.89
100+
￥5.41

有货

立即购买

型号：UCC27710DR 编号：C2676981

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125

数据手册

1+
￥9.25
10+
￥7.66
30+
￥6.64
100+
￥5.65

有货

立即购买

型号：DRV8702QRHBRQ1 编号：C181608

封装：HVQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8702-Q1 汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥9.42
10+
￥7.79
30+
￥6.89

有货

立即购买

型号：TC4427COA 编号：C636890

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

数据手册

1+
￥9.57
10+
￥7.95
30+
￥7.06

有货

立即购买

型号：COS4421DT 编号：C46552823

封装：DIP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO及过温保护功能

1+
￥9.61
10+
￥7.99
50+
￥7.1
100+
￥6.09
500+
￥5.64
1000+
￥5.44

有货

立即购买

型号：L6387ED013TR 编号：C234211

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

数据手册

1+
￥9.73
10+
￥7.94
30+
￥6.96

有货

立即购买

型号：SLMi332CG-DG 编号：C22381784

封装：SOP-16-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLMi332隔离驱动器是一款先进的光兼容单通道隔离IGBT栅极驱动器，具备有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源密勒钳位。SLMi332可提供2.5A的峰值输出电流。对于无后缀H的器件，默认去饱和阈值为6.5V；对于有后缀H的器件，默认去饱和阈值为9V

1+
￥10.17
10+
￥8.64
30+
￥7.68

有货

立即购买

型号：6EDL04I06NT 编号：C533112

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

数据手册

1+
￥10.4
10+
￥8.42
30+
￥7.18
100+
￥5.52

有货

立即购买

型号：TF21844-3BS 编号：C6387920

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥10.624 ￥13.28
10+
￥9.056 ￥11.32
25+
￥8.072 ￥10.09
100+
￥7.072 ￥8.84
500+
￥6.616 ￥8.27
1000+
￥6.416 ￥8.02

有货

立即购买

型号：UCC27611DRVT 编号：C139645

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27611是一款单通道高速栅极驱动器，针对5V驱动进行了优化，尤其适用于增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。驱动电压VREF由内部线性稳压器精确控制在5V。UCC27611具备非对称轨到轨峰值电流驱动能力，源电流为4A，灌电流为6A

数据手册

1+
￥11
10+
￥9.72
30+
￥8.81

有货

立即购买

型号：IR2117STRPBF 编号：C2975

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，单通道驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥11.26
10+
￥9.64
30+
￥8.75
100+
￥7.75

有货

立即购买

型号：UCC27301ADR 编号：C41558418

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

数据手册

1+
￥11.39
10+
￥9.61
30+
￥8.5
100+
￥7.36

有货

立即购买

型号：MIC4420YM-TR 编号：C628026

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4420和MIC4429 MOSFET驱动器坚固耐用、高效且易于使用。MIC4429是反相驱动器，而MIC4420是非反相驱动器。它们能够提供6A（峰值）输出，并能驱动最大型的MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

数据手册

1+
￥12.24
10+
￥10.28
30+
￥9.05

有货

立即购买

型号：UCC27624QDGNRQ1 编号：C7372268

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率

1+
￥12.6
10+
￥10.52
30+
￥9.21
100+
￥7.87

有货

立即购买

型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

数据手册

1+
￥12.67
10+
￥10.5924 ￥11.64
30+
￥8.91 ￥11
100+
￥7.3872 ￥9.12
500+
￥7.1523 ￥8.83
1000+
￥7.047 ￥8.7

有货

立即购买

型号：TF21364M-TLH 编号：C2683766

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥14.63
10+
￥12.53
30+
￥11.21
100+
￥9.16

有货

立即购买

型号：MIC4427YMM 编号：C152165

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效能的特点。这些驱动器可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压摆幅在正电源或地的25mV范围内。相比之下，同类双极型器件的电压摆幅仅能达到电源电压的1V以内

数据手册

1+
￥14.64
10+
￥12.28
30+
￥10.8

有货

立即购买

型号：ADP3654ARHZ-R7 编号：C659220

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥15.12
10+
￥12.9
30+
￥11.51
100+
￥9.0189 ￥9.11
500+
￥8.3754 ￥8.46
1000+
￥8.1081 ￥8.19

有货

立即购买

型号：MIC5060YML-TR 编号：C621943

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC5060 MOSFET驱动器专为用作高端或低端开关的N沟道增强型功率MOSFET的栅极控制而设计。MIC5060能够无限期维持导通状态输出。MIC5060的工作电源电压范围为2.75V至30V

数据手册

1+
￥15.29
10+
￥12.85
30+
￥11.33

有货

立即购买

型号：DRV8770RGER 编号：C3655708

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8770 100V H 桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥16.5
10+
￥13.87
30+
￥12.22

有货

立即购买

型号：TC4426EOA 编号：C27201

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428器件是早先TC426/TC427/TC428系列MOSFET驱动器的改进型。在MOSFET的门极充放电时，TC4426/TC4427/TC4428器件具有匹配的上升和下降时间。在额定功率和额定电压范围内的任何条件下，器件具有很好的锁定阻抗。即便接地引脚上出现高达5V的干扰峰值（无论是正向还是反向），器件也不会损坏。器件能够接受强行返回至输出的高达500mA的反向电流（无论极性如何），不会造成器件损坏或逻辑混乱。全部引脚都是完全静电放电（Electrostatic Discharge, ESD）保护的，能够承受至多4kV的静电。TC4426/TC4427/TC4428 MOSFET驱动器，能够在30ns之内，轻松地对1000pF的门极电容进行充电/放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗，确保MOSFET的期望状态不受影响，即便发生大的暂态也不会影响期望状态。其他兼容的驱动器是TC4426A/TC4427A/TC4428A系列器件。TC4426A/TC4427A/TC4428A器件，除了具有与TC4426/TC4427/TC4428器件类似的匹配上升和下降时间之外，还具有匹配的输入到输出的上升和下降延时时间。

数据手册