MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

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型号：1ED3123MU12HXUMA1 编号：C17449724

封装：SOIC-8-300mil

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：TC4427EUA713 编号：C628550

封装：MSOP-8

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：TC4420COA 编号：C636874

封装：SOIC-8

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：1ED020I12FA2 编号：C530918

封装：DSO-20

1ED020I12FA2是一款采用PG-DSO-20封装的单通道IGBT电流隔离驱动器，典型输出电流能力为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输

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型号：DRV8353RHRGZR 编号：C2868224

封装：VQFN-48-EP(7x7)

DRV8353R 具有降压稳压器和电流分流放大器的 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：TC4422CPA 编号：C640752

封装：PDIP-8

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

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型号：LTC7063RMSE#PBF 编号：C20047755

封装：MSOP-12-EP

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达140V。高端和低端驱动器都可以用不同的接地参考驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和抗瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。其他功能包括欠压锁定、三态PWM输入、可调开启/关闭延迟和直通保护。

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型号：MIC4606-2YTS-TR 编号：C628054

封装：TSSOP-16

是85V全桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控全桥两侧，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大化功率效率。防直通电路可防止错误输入和噪声同时导通桥每一侧的两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大化系统效率

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型号：LTC4442IMS8E#PBF 编号：C688570

封装：MSOP-8-EP

LTC4442是一款高频栅极驱动器，专为在同步降压式DC/DC转换器拓扑结构中驱动两个N沟道MOSFET而设计。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4442的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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型号：1ED3491MC12MXUMA1 编号：C17428940

封装：DSO-16

1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

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型号：TD310IDT 编号：C501103

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

带电流感应的三IGBT/MOS驱动器

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型号：MIC4606-2YML-TR 编号：C621922

封装：VQFN-16-EP(4x4)

MIC4606 是一款 85V 全桥 MOSFET 驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测全桥两侧，以尽量缩短高端和低端 MOSFET 转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。防直通电路可防止错误输入和噪声同时导通桥路每一侧的两个 MOSFET

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型号：TC4423COE 编号：C642020

封装：SOIC-16-300mil

TC4423/TC4424/TC4425器件是一组3A双输出缓冲器/MOSFET驱动器。该系列器件与TC1426/27/28、TC4426/27/28和TC4426A/27A/28A双1.5A驱动器系列引脚兼容，其闩锁电流额定值提高到1.5A，使其在恶劣电气环境中运行时更加可靠。作为MOSFET驱动器，TC4423/TC4424/TC4425能够在35纳秒内轻松对1800pF的栅极电容进行充电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响

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型号：MP87190GMJTH-Z 编号：C22236903

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP87190是一款集成了内部功率MOSFET和栅极驱动器的单片半桥。在较宽的输入电压（VIN）供电范围内，它可实现高达90A的连续输出电流（IOUT）。Quiet Switcher™技术（QST）采用了一种专有电路设计，这种设计只有在单片架构中才能实现，可抑制电压振铃

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型号：LTC7003EMSE#PBF 编号：C690097

封装：MSOP-16-EP

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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￥23.1934 ￥26.06

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型号：LMG1210RVRT 编号：C2862667

封装：WQFN-19(3x4)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

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型号：TLE9183QK 编号：C540105

封装：LQFP-64-EP(10x10)

是一款先进的栅极驱动IC，用于控制6个外部N沟道MOSFET，形成用于汽车领域大电流三相电机驱动应用的逆变器。一款精密的高压技术使TLE9183QK能够支持12V电池系统的应用，即使在恶劣的汽车环境中，结合高电机电流。因此，桥接、电机和电源相关引脚可以承受高达40V的电压。电机相关引脚甚至可以承受低至-15V的负电压瞬变而不会损坏。所有低侧和高侧输出级均基于浮动概念，其驱动强度允许驱动市场上常见的最低RDSON MOSFET。集成的SPI接口用于在上电后为应用配置TLE9183QK

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型号：LTC7000EMSE#TRPBF 编号：C690074

封装：MSOP-16-EP

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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￥41.05
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型号：LMG3410R070RWHR 编号：C2680280

封装：VQFN-32-EP(8x8)

LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

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型号：LMG3422R030RQZT 编号：C3655275

封装：VQFN-54(12x12)

LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET

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型号：XJNG2102 编号：C48542888

封装：SOIC-8

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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￥0.76076 ￥0.8008
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￥0.59299 ￥0.6242
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￥0.509105 ￥0.5359
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￥0.44612 ￥0.4696
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￥0.39577 ￥0.4166
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型号：NSG2007 编号：C7421055

封装：SOIC-8

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

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￥0.814815 ￥0.8577
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￥0.71155 ￥0.749
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￥0.66728 ￥0.7024
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￥0.612085 ￥0.6443
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￥0.587575 ￥0.6185
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型号：NSG44272 编号：C41414508

封装：SOT-23-5

单通道、双输入（IN&EN)、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

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￥0.814815 ￥0.8577
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￥0.71155 ￥0.749
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￥0.66728 ￥0.7024
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型号：TF2103M-TR 编号：C17701704

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 TF2103M是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥0.992 ￥1.24
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￥0.968 ￥1.21
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￥0.952 ￥1.19
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￥0.936 ￥1.17

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型号：IR4426STRPBF-HX 编号：C50345554

封装：SOP8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR4426STRPBF-HX系列是双路低边MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺，高效可靠。支持TTL/CMOS输入，输出电压摆幅接近电源/地（25mV内）。提供三种配置：双同相、双反相及一同一反输出，适用于驱动MOSFET、重载时钟线等。

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￥1.02321 ￥1.1369
50+
￥1.00035 ￥1.1115
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￥0.98514 ￥1.0946
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￥0.96993 ￥1.0777

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型号：DS9601D8 编号：C5795658

封装：DFN2x2-8L

品牌：DSTECH(奥简科技)

60V耐压，高PSRR，超低功耗，驱动两个N-MOSFET

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￥1.0311
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￥0.7993
150+
￥0.6999
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￥0.576

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型号：UCC27517DBVT 编号：C2877770

封装：SOT-23-5

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

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￥1.2009
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￥0.9489
250+
￥0.7808

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型号：MCP1416T-E/OT(LX) 编号：C52261119

封装：SOT-23-5

品牌：LX(灵星芯微)

5+
￥1.2753
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￥1.0082
150+
￥0.8937
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￥0.7509

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型号：NSG1416 编号：C41414510

封装：SOT-23-5