高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

CD4555B 输出可选高电压的 CMOS 双路二进制 4 选 1 解码器/多路信号分离器

数据手册

1+
￥3.19
10+
￥3.11
30+
￥3.05

有货

立即购买

型号：CD4011UBM96 编号：C2865390

封装：SOIC-14

CD4011UB 4 通道、双输入、3V 至 18V 与非门

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.76
30+
￥2.44

有货

立即购买

型号：LM2101DSGR 编号：C31003035

封装：WSON-8(2x2)

数据手册

1+
￥3.58
10+
￥3.49
30+
￥3.43
100+
￥3.37

有货

立即购买

型号：IP5353_I2C_AABC_DWDKO 编号：C46550235

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：INJOINIC(英集芯)

支持高压SCP、双向PD3.0等全部快充协议的移动电源SOC

1+
￥4.11
10+
￥3.62
30+
￥3.38
100+
￥3.14
500+
￥3
1000+
￥2.92

有货

立即购买

型号：DG468DV-T1-E3 编号：C2651906

封装：TSOP-6-1.5mm

DG468是双电源单刀单掷(SPST)开关。导通电阻最大为10Ω，具有快速切换动作。

数据手册

10+
￥3.3561
100+
￥3.2318
200+
￥2.9832
1000+
￥2.8589
2000+
￥2.78432

我要订货

型号：PDS3100Q-7 编号：C19950400

封装：PowerDI5

品牌：DIODES(美台)

数据手册

1+
￥4.99
10+
￥4.89
30+
￥4.82
100+
￥4.76

有货

立即购买

型号：MCP1792T-3302H/CB 编号：C625397

封装：SOT-23

是高压、低压差 (LDO) 稳压器，能够产生 100 mA 输出电流。输入电压范围为 4.5V 至 55V，适用于 12V 至 48V 电源轨和高压电池组。关机时低欠压锁定 (UVLO) 为 2.4V，适用于汽车应用中的冷启动条件。有 3.3V 和 5.0V 两种标准固定输出电压版本

数据手册

1+
￥5.18
10+
￥4.14
30+
￥3.62

有货

立即购买

型号：MCP1793T-5002H/OT 编号：C625400

封装：SOT-23-5

是高压、低压差 (LDO) 稳压器，能够产生 100 mA 输出电流。输入电压范围为 4.5V 至 55V，适用于 12V 至 48V 电源轨和高压电池组。关机时低欠压锁定 (UVLO) 为 2.4V，适用于汽车应用中的冷启动条件。有 3.3V 和 5.0V 两种标准固定输出电压版本

数据手册

1+
￥5.63
10+
￥5.5
30+
￥5.41

有货

立即购买

型号：NSG2110P 编号：C49449825

封装：DIP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用DIP14封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

1+
￥5.66
10+
￥4.57
25+
￥4.02
100+
￥3.48

有货

立即购买

型号：SN74LS07DBR 编号：C6800

封装：SSOP-14-208mil

SN74LS07 具有集电极开路输出的 6 通道、4.75V 至 5.25V 双极缓冲器

数据手册

1+
￥6.09
10+
￥5
30+
￥4.39

有货

立即购买

型号：VJ1206Y103KXGAT5Z 编号：C2168838

封装：1206

数据手册

1+
￥6.57
10+
￥6.43
30+
￥6.34

有货

立即购买

型号：ZXCT1082QE5TA 编号：C5249283

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1082Q/83Q/84Q/85Q/86Q/87Q是高端单极性电流检测监控器。这些器件无需在检测负载电流时中断接地层。ZXCT1082Q/1084Q/1086Q的最大工作电压为60V，ZXCT1083Q/1085Q/1087Q的最大工作电压为40V

1+
￥6.75
10+
￥6.58
30+
￥6.47

有货

立即购买

型号：HV1812Y102KXHATHV 编号：C2171173

封装：1812

特性：优异的可靠性和热冲击性能。与RoHS标准设计相比,具有高电压击穿能力。高可靠的串联电极设计。可能需要保护性表面涂层以防止表面电弧。提供聚合物端接,以满足电路板弯曲的要求。湿法制造工艺。应用：输入滤波电容。输出滤波电容

数据手册

1+
￥6.85
10+
￥6.68
30+
￥6.57

有货

立即购买

型号：VS-40TTS12-M3 编号：C506520

封装：ITO-220AB-3

VS-40TTS12高压系列可控硅整流器专为中功率开关和相位控制应用而设计。所采用的玻璃钝化技术可在高达140°C的结温下可靠运行。

数据手册

1+
￥7.17
10+
￥7.04
30+
￥6.95

有货

立即购买

型号：CD40175BM 编号：C1549824

封装：SOIC-16

CD40175B CMOS 四通道 D 类触发器

数据手册

1+
￥7.96
10+
￥6.54
30+
￥5.77

有货

立即购买

型号：BD48HW0G-CTR 编号：C7219899

封装：SSOP-6

品牌：ROHM(罗姆)

1+
￥8.08
10+
￥7.87
30+
￥7.73

有货

立即购买

型号：MS10N100HGT0 编号：C42445169

封装：TO-220

品牌：MASPOWER(麦思浦)

MOSFET 国产高压 1000V 10A TO-220

1+
￥9.36
10+
￥7.74
50+
￥6.85
100+
￥5.85
500+
￥5.4
1000+
￥5.2

有货

立即购买

型号：IR2302STRPBF 编号：C148147

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥9.41
10+
￥7.9
30+
￥6.95

有货

立即购买

型号：L6491D 编号：C155653

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

数据手册

1+
￥9.69
10+
￥9.47
30+
￥9.32

有货

立即购买

型号：LTA77XS8/R8 编号：C5366151

封装：SOIC-8L

品牌：Linearin(先积集成)

LTA77是一款44V微功耗放大器，可替代行业标准的OP77/OP07精密放大器。LTA77具备出色的直流精度和交流性能，包括25μV的超低失调电压、低于0.3μV/°C的温度漂移、0.5μVₚ₋ₚ的输入电压噪声以及0.9MHz的带宽。在大多数电路中，无需进行外部失调调整

1+
￥10.11
10+
￥8.36
30+
￥7.4

有货

立即购买

型号：MS15N90ICT1 编号：C42445163

封装：TO-220F

品牌：MASPOWER(麦思浦)

MOSFET 国产高压 900V 15A TO-220F塑封

1+
￥11.22
10+
￥9.6
50+
￥8.59
100+
￥7.56
500+
￥7.09
1000+
￥6.88

有货

立即购买

型号：CD40175BE 编号：C105634

封装：PDIP-16

CD40175B CMOS 四通道 D 类触发器

数据手册

1+
￥11.45
10+
￥10.09
25+
￥9.12

有货

立即购买

型号：EG2126 编号：C480659

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2126是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。 EG2126高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+2.0A/-2.0A，采用SOP28L封装。

数据手册

1+
￥12.72
10+
￥10.82
25+
￥9.26

有货

立即购买

型号：MCP1793T-5002H/DC 编号：C622665

封装：SOT-223-6

是高压、低压差 (LDO) 稳压器，能够产生 100 mA 输出电流。输入电压范围为 4.5V 至 55V，适用于 12V 至 48V 电源轨和高压电池组。关机时低欠压锁定 (UVLO) 为 2.4V，适用于汽车应用中的冷启动条件。有 3.3V 和 5.0V 两种标准固定输出电压版本

数据手册

1+
￥13.46
10+
￥11.48
30+
￥10.24
100+
￥8.97

有货

立即购买

型号：ISL2111ABZ-T 编号：C695277

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

1+
￥13.56
10+
￥11.51
30+
￥10.23

有货

立即购买

型号：UCC27302ADDAR 编号：C49345244

封装：SO-PowerPAD-8

是一款坚固的栅极驱动器，设计用于在半桥或同步降压配置中驱动两个N沟道MOSFET，绝对最大自举电压为120V。其3.7A峰值源电流和4.5A峰值灌电流能力，使该驱动器能够驱动大功率MOSFET，并在通过米勒平台的过渡期间将开关损耗降至最低。开关节点（HS引脚）可以处理负瞬态电压，从而保护高端通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。输入与电源电压无关，能够承受-10V至+20V的绝对最大额定值

数据手册

1+
￥14.29
10+
￥13.93
30+
￥13.69

有货

立即购买

型号：HV9150K6-G 编号：C622907

封装：TQFN-16-EP(3x3)

一款高输出电压的迟滞模式升压型 DC/DC 控制器，内置电荷泵转换器和线性稳压器，适用于宽范围输入电压。电荷泵转换器模式非常适合电池供电应用。内部转换器可向外部 N 沟道 MOSFET 提供最低 5V 的栅极驱动输出电压（在 V_IN = 2.7V 时）。2.7V 至 4.5V 的输入电源电压范围非常适合电池供电应用，如便携式电子设备。当系统中有更高的电源电压轨时，可选择内部线性稳压器。该器件还集成了一个反馈返回接地路径开关，以在控制器关断期间将静态电流降至最低。此特性为对能耗敏感的应用节省了电能。此外，内置定时器可保护内部电路，并有助于释放外部高压存储电容器的能量。该器件专为需要高电压和低电流的系统设计，如 MEMS 器件。

数据手册

1+
￥15.49
10+
￥13.15
30+
￥11.68

有货

立即购买

型号：L6395DTR 编号：C2676993

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

数据手册

1+
￥15.85
10+
￥13.53
30+
￥12.07

有货

立即购买

型号：VS-25TTS08FP-M3 编号：C506509

封装：TO-220-3