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首页 > 热门关键词 > 高压半桥驱动
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环氧密封,直流充电桩用高压直流接触器
  • 单价:

    ¥93.8308 / 个 ¥101.99 / 个
  • 有货
  • CD4073B-MIL  3 通道、3 输入、3V 至 18V 与门
    数据手册
    • 1+

      ¥101.15
    • 10+

      ¥96.05
    • 30+

      ¥87.21
  • 有货
  • 高电压I2C电流和电压监视器
    数据手册
    • 1+

      ¥128.96
    • 30+

      ¥122.67
  • 有货
  • LT8490是一款降压-升压型开关稳压器电池充电器,它采用恒流恒压(CCCV)充电曲线,适用于大多数电池类型,包括密封铅酸(SLA)电池、富液式电池、胶体电池和锂离子电池。该器件可在高于、低于或等于输出电压的输入电压下工作,并且可以由太阳能电池板或直流电源供电。片上逻辑为太阳能供电应用提供自动最大功率点跟踪(MPPT)功能
    数据手册
    • 1+

      ¥146.4
    • 30+

      ¥139.08
  • 有货
    • 单价:

      ¥258.0072 / 个 ¥293.19 / 个
  • 有货
  • 低功耗、八通道、16位、高压输出、串行数模转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥280.24
    • 30+

      ¥265.36
  • 有货
  • 特性:温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖
    数据手册
    • 100+

      ¥0.135
    • 1000+

      ¥0.13
    • 3000+

      ¥0.125
    • 6000+

      ¥0.115
    • 10000+

      ¥0.112
    特性:温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1126
    • 200+

      ¥0.11
    • 600+

      ¥0.1082
  • 有货
  • 特性:温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖
    数据手册
    • 1+

      ¥0.182
    • 500+

      ¥0.168
    • 3000+

      ¥0.1568
    • 10000+

      ¥0.154
    特性:温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1243
    • 200+

      ¥0.1214
    • 600+

      ¥0.1195
  • 有货
  • 特性:温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2274
    • 200+

      ¥0.1798
    • 600+

      ¥0.1534
  • 有货
  • 特性:温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖
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    • 1+

      ¥0.13
    • 500+

      ¥0.12
    • 3000+

      ¥0.112
    • 10000+

      ¥0.11
    特性:温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖
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    • 1+

      ¥0.182
    • 500+

      ¥0.168
    • 3000+

      ¥0.1568
    • 10000+

      ¥0.154
    是一款用于 LED 照明应用的高电流精密非隔离电源开关,具有高压启动功能,工作在过渡模式。它通过消除辅助绕组电感和高压启动电阻,简化了 LED 照明系统设计。内部集成了一个 500V 电源开关,LED 电流可通过连接在 CS 引脚和地之间的外部串联电阻进行调节。提供全面的保护功能,具有自动恢复特性,包括逐周期电流限制、内置前沿消隐、过温保护(OTP)等。采用 SOP7/SOT23-5/SOT33-4 封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3194
    • 50+

      ¥0.3115
    • 150+

      ¥0.3062
  • 有货
  • 特性:温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3211
    • 100+

      ¥0.2579
    • 300+

      ¥0.2263
  • 有货
  • 特性:温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖
    数据手册
    • 10+

      ¥0.341
    • 100+

      ¥0.2739
    • 300+

      ¥0.2403
  • 有货
  • 特性:与MMBTA92/93互补。 后缀L:符合AEC-Q101标准。应用:高压应用。 电话应用
    • 5+

      ¥0.4382
    • 50+

      ¥0.4296
    • 150+

      ¥0.4238
  • 有货
  • 特性:温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4391
    • 100+

      ¥0.3527
    • 300+

      ¥0.3095
  • 有货
  • 是一款带输出驱动器的集成霍尔传感器,专为无刷直流电机应用的电子换向而设计。该设备包括一个用于磁传感的片上霍尔传感器、一个放大霍尔电压的放大器、一个提供开关迟滞以抑制噪声的整形电路,以及两个用于吸收大负载电流的互补开漏驱动器。它还包括一个内部稳压器,允许宽工作电源电压范围。将该设备置于可变磁场中,如果磁通密度大于阈值 Bop,引脚 OUT1 将变为低电平(导通),引脚 OUT2 将变为高电平(截止)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.454776 ¥1.0828
    • 50+

      ¥0.27392 ¥0.856
    • 150+

      ¥0.166936 ¥0.7588
    • 1000+

      ¥0.14025 ¥0.6375
    • 2000+

      ¥0.12837 ¥0.5835
    • 5000+

      ¥0.121242 ¥0.5511
  • 有货
  • 高速风筒专用芯片 NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道,适用于5A以内MOS的直接驱动。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 5+

      ¥0.4571
    • 50+

      ¥0.4465
    • 150+

      ¥0.4394
    • 500+

      ¥0.4323
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的高压(最高40V)低功耗低压差稳压器(LDO)。它可以提供高达300mA的电流,同时仅消耗1.5μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管组成。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.5205
    • 10+

      ¥0.5088
    • 30+

      ¥0.501
  • 有货
  • 带使能稳压LDO
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5256
    • 50+

      ¥0.5142
    • 150+

      ¥0.5066
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的高压(最高40V)低功耗低压差稳压器(LDO)。它可以提供高达300mA的电流,同时仅消耗1.5μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管组成。
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    • 1+

      ¥0.526
    • 10+

      ¥0.5143
    • 30+

      ¥0.5064
    • 100+

      ¥0.4986
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的高压(最高40V)低功耗低压差稳压器(LDO)。它可以提供高达300mA的电流,同时仅消耗1.5μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管组成。
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    • 1+

      ¥0.5267
    • 10+

      ¥0.515
    • 30+

      ¥0.5072
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的高压(最高40V)低功耗低压差稳压器(LDO)。它可以提供高达300mA的电流,同时仅消耗1.5μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管组成。
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    • 1+

      ¥0.5362
    • 10+

      ¥0.5244
    • 30+

      ¥0.5166
    • 100+

      ¥0.5088
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的高压(最高40V)低功耗低压差稳压器(LDO)。它可以提供高达300mA的电流,同时仅消耗1.5μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管组成。
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      ¥0.5362
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      ¥0.5244
    • 30+

      ¥0.5166
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的高压(最高40V)低功耗低压差稳压器(LDO)。它可以提供高达300mA的电流,同时仅消耗1.5μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管组成。
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    • 1+

      ¥0.5362
    • 10+

      ¥0.5244
    • 30+

      ¥0.5166
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的高压(最高40V)低功耗低压差稳压器(LDO)。它可以提供高达300mA的电流,同时仅消耗1.5μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管组成。
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    • 1+

      ¥0.5362
    • 10+

      ¥0.5244
    • 30+

      ¥0.5166
  • 有货
  • 特性:集电极-发射极电压:VCEO =-400V。 低集电极-发射极饱和电压
    • 5+

      ¥0.5611
    • 50+

      ¥0.4539
    • 150+

      ¥0.4003
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的高压(最高40V)低功耗低压差稳压器(LDO)。它可以提供高达300mA的电流,同时仅消耗1.5μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管组成。
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    • 1+

      ¥0.5658
    • 10+

      ¥0.5541
    • 30+

      ¥0.5462
  • 有货
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