高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：VDR-14D112K 编号：C6793772

封装：DIP

品牌：VDR(嵩隆)

5+
￥1.1547
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型号：AH3781-P-B 编号：C842121

封装：SIP-3

品牌：DIODES(美台)

AH3781是一款带有内部上拉电阻的高压、高灵敏度霍尔效应锁存IC，专为工业、家用消费电器和个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3781采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，能在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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型号：HGK3DF223ZA4BW 编号：C2905893

封装：插件,P=10mm

品牌：WMEC(万明)

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型号：VDR-20D751K 编号：C6793802

封装：DIP

品牌：VDR(嵩隆)

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型号：C1812X333K202T 编号：C2940751

封装：1812

品牌：IHHEC(禾伸堂)

产品设计和制造符合国际标准的一般要求,适用于商业和工业应用,包括NP0 (C0G)和X7R特性,尺寸从0603到2225,工作电压高达8KV。

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￥1.885465 ￥1.9847
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型号：AH3763Q-P-B 编号：C842109

封装：SIP-3

品牌：DIODES(美台)

AH3763Q是一款符合AEC - Q100标准的高压、高灵敏度霍尔效应锁存IC，专为汽车应用中的无刷直流电机换向测速、角度或线性编码器以及位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3763Q采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，能在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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1+
￥2.421 ￥2.69
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￥1.944 ￥2.16
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￥1.746 ￥1.94
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型号：CD4085BE 编号：C2860658

封装：PDIP-14

品牌：TI(德州仪器)

CD4085B CMOS 双路 2 宽度双输入与或非门

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￥2.7
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型号：AH3774-P-A 编号：C842096

封装：SIP-3

品牌：DIODES(美台)

AH3774是一款高压、高灵敏度霍尔效应锁存IC，专为工业、家用消费电器及个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3774采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，能在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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￥2.997 ￥4.05
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型号：AH3781-P-A 编号：C842100

封装：SIP-3

品牌：DIODES(美台)

AH3781是一款带有内部上拉电阻的高压、高灵敏度霍尔效应锁存IC，专为工业、家用消费电器和个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3781采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，能在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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1+
￥3.2486 ￥4.39
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型号：CD4555BNSR 编号：C1848294

封装：SOIC-16-208mil

品牌：TI(德州仪器)

CD4555B 输出可选高电压的 CMOS 双路二进制 4 选 1 解码器/多路信号分离器

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型号：tsd-20.157.1 编号：C7419283

封装：-

品牌：Tsddtester(特斯达)

单价：
￥3.5 / 个

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型号：tsd-20.157.2 编号：C7419284

封装：-

品牌：Tsddtester(特斯达)

单价：
￥3.5 / 个

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型号：CD4011UBE 编号：C2870714

封装：PDIP-14

品牌：TI(德州仪器)

CD4011UB 4 通道、双输入、3V 至 18V 与非门

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￥4.25
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￥3.38
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型号：CD4010BPWR 编号：C2861712

封装：TSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

CD4010B CMOS 六路同向缓冲器/转换器

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型号：NSG2113P 编号：C49023243

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2113P是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用DIP8封装，可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。

1+
￥5.97
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型号：2SC2625L-T3P-T 编号：C5310424

封装：TO-3P

品牌：UTC(友顺)

特性：高电压，高速开关。高可靠性

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￥6.1
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￥5.02
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型号：IP5353_I2C_AABC_DWDKO 编号：C46550235

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：INJOINIC(英集芯)

支持高压SCP、双向PD3.0等全部快充协议的移动电源SOC

1+
￥6.12
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￥4.95
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￥3.79
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型号：ZXCT1082QE5TA 编号：C5249283

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1082Q/83Q/84Q/85Q/86Q/87Q是高端单极性电流检测监控器。这些器件无需在检测负载电流时中断接地层。ZXCT1082Q/1084Q/1086Q的最大工作电压为60V，ZXCT1083Q/1085Q/1087Q的最大工作电压为40V

1+
￥6.75
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型号：LM5109ASD/NOPB 编号：C2653786

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥5.38

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型号：UCC27282DRCT 编号：C2676968

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

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1+
￥9.11
10+
￥7.49
30+
￥6.6

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型号：SN74LS26D 编号：C2871511

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

SN74LS26 4 通道、双输入、4.75V 至 5.25V 双极与非门

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￥7.76
30+
￥6.86

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型号：LM5101ASDX/NOPB 编号：C2860818

封装：WSON-10(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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￥9.74
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￥8.08
30+
￥7.17

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型号：IS32LT3957A-ZLA3-TR 编号：C5362617

封装：TSSOP-16-EP

品牌：ISSI(美国芯成)

是一款电流模式PWM控制器，用于宽输入/输出电压范围和高LED电流应用。通过外部电阻感应LED串的高端输出电流，高端感应在升压或降压-升压模式配置中均可工作。可通过外部电阻配置在100kHz-1MHz频率下工作，使用单个电容设置扩频抖动频率以降低辐射峰值发射并优化系统EMI性能。集成了检测输出开路/短路、RT/SYNC引脚短路、VDD短路、VCC欠压锁定和过温故障条件的电路，故障情况可通过开漏故障报告FAULTB引脚报告

1+
￥9.87
10+
￥8.24
30+
￥7.35

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型号：IR2108PBF 编号：C537548

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥12.0475 ￥15.25
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￥10.2879 ￥14.91
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￥8.6671 ￥14.69
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￥8.5314 ￥14.46

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型号：UCC27282QDRCRQ1 编号：C3654985

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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