高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：KTR25JZPF2004 编号：C2080990

封装：1210

品牌：ROHM(罗姆)

特性：额定电压是传统产品的两倍。非常适合用于高压电路(如相机闪光灯电路等)。电阻器获得了ISO9001 / IATF16949认证。符合AEC Q200标准

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型号：TMAG5123D1CEDBZRQ1 编号：C3716353

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

TMAG5123-Q1 汽车类平面、高精度、高压开关

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型号：ISL95808HRZ-T 编号：C964602

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高频双MOSFET驱动器，具有低关断电流，经过优化可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。特别适用于需要高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与多相降压PWM控制器结合，可为高级移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案。低侧栅极驱动器典型灌电流为4A，此电流能够在相节点上升沿期间保持低侧MOSFET栅极关断，防止因相电压高dv/dt引起的直通功率损耗。工作电压与移动计算机电源中常用MOSFET的30V击穿电压相匹配。还具有三态PWM输入，与多相PWM控制器配合使用可防止CPU关机期间出现负电压输出，此功能可省去微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管

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型号：AH3774-P-A 编号：C842096

封装：SIP-3

品牌：DIODES(美台)

AH3774是一款高压、高灵敏度霍尔效应锁存IC，专为工业、家用消费电器及个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3774采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，能在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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型号：VJ1206Y102KXGAT5Z 编号：C2182035

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：适用于高压应用,符合RoHS标准。多层陶瓷片式电容器(MLCC),防止表面电弧放电。出色的高压性能。无卤。与标准高压MLCC相比,具有更高的电容和更小的尺寸,节省电路板空间。电压击穿能力是竞争对手产品的两倍。应用：电源。DC/DC转换器(降压和升压)

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型号：CD4022BNSR 编号：C2866518

封装：SO-16

品牌：TI(德州仪器)

CD4022B 具有 8 个解码输出的 CMOS 十进制计数器

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型号：AH3781-P-A 编号：C842100

封装：SIP-3

品牌：DIODES(美台)

AH3781是一款带有内部上拉电阻的高压、高灵敏度霍尔效应锁存IC，专为工业、家用消费电器和个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3781采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，能在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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型号：XD62783 编号：C556261

封装：DIP-18

品牌：XINLUDA(信路达)

接口 - 驱动器，接收器，收发器 8/0

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型号：tsd-20.157.2 编号：C7419284

封装：-

品牌：Tsddtester(特斯达)

单价：
￥3.5 / 个

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型号：tsd-20.157.1 编号：C7419283

封装：-

品牌：Tsddtester(特斯达)

单价：
￥3.5 / 个

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型号：SIT1028QTK/3V3 编号：C7433973

封装：DFN3x3-8

品牌：SIT(芯力特)

SIT1028Q是一款内部集成高压LDO稳压源的本地互联网络（LIN)物理层收发器，可为外部ECU微控制器或相关外设提供稳定的5V/3.3V电源。该LIN收发器符合LIN2.0、LIN 2.1、LIN2.2、LIN2.2A、ISO17987-4:2016（12V）和SAEJ2602标准。

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￥3.55
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型号：CD4010BPWR 编号：C2861712

封装：TSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

CD4010B CMOS 六路同向缓冲器/转换器

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型号：ULQ2003ADR2G 编号：C165965

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

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￥3.15
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型号：CD4011UBE 编号：C2870714

封装：PDIP-14

品牌：TI(德州仪器)

CD4011UB 4 通道、双输入、3V 至 18V 与非门

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型号：RS8422PXK 编号：C5372627

封装：SOIC-8

品牌：RUNIC(润石)

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型号：VJ1206A102JXGAT5Z 编号：C2171257

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：适用于高压应用,符合RoHS标准。多层陶瓷片式电容器(MLCC),防止表面电弧放电。出色的高压性能。无卤。与标准高压MLCC相比,具有更高的电容和更小的尺寸,节省电路板空间。电压击穿能力是竞争对手产品的两倍。应用：电源。DC/DC转换器(降压和升压)

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型号：RT8452GQW 编号：C250423

封装：WQFN-16-EP(3x3)

品牌：RICHTEK(立锜)

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型号：LM5109ASD/NOPB 编号：C2653786

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：SN74LS26D 编号：C2871511

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

SN74LS26 4 通道、双输入、4.75V 至 5.25V 双极与非门

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￥7.76
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型号：IS32LT3957A-ZLA3-TR 编号：C5362617

封装：TSSOP-16-EP

品牌：ISSI(美国芯成)

是一款电流模式PWM控制器，用于宽输入/输出电压范围和高LED电流应用。通过外部电阻感应LED串的高端输出电流，高端感应在升压或降压-升压模式配置中均可工作。可通过外部电阻配置在100kHz-1MHz频率下工作，使用单个电容设置扩频抖动频率以降低辐射峰值发射并优化系统EMI性能。集成了检测输出开路/短路、RT/SYNC引脚短路、VDD短路、VCC欠压锁定和过温故障条件的电路，故障情况可通过开漏故障报告FAULTB引脚报告

1+
￥9.87
10+
￥8.24
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￥7.35

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型号：LM5101ASDX/NOPB 编号：C2860818

封装：WSON-10(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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￥10.08
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￥8.55
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型号：IR2108PBF 编号：C537548

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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1+
￥10.8275 ￥15.25
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￥9.0951 ￥14.91
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￥7.4919 ￥14.69
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￥7.3746 ￥14.46

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型号：MAX4080FASA+ 编号：C1347084

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

76V、高边、电流检测放大器，带有电压输出,精度达0.1%的电流检测放大器，可工作在高达76V

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1+
￥12.59
10+
￥10.89
30+
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型号：TSC1031IDT 编号：C2058344

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧电流感应放大器

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1+
￥15.51
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￥15.16
30+
￥14.93

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型号：TSC2012IST 编号：C1858312

封装：MiniSO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压精密双向电流感应放大器

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1+
￥16.36
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￥16
30+
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型号：UCC27282QDRCTQ1 编号：C1518702

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器 10-VSON -40 to 125

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1+
￥16.63
10+
￥16.25
30+
￥15.99

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型号：UCC27302AQDRCRQ1 编号：C50092305

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥17.06
10+
￥16.64
30+
￥16.36

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型号：UCC27211AQDRQ1 编号：C41699701

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

驱动器相比其他产品具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已提高至3.7A拉电流和4.5A灌电流，因此可在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构可直接处理 -10VDC电压，这提高了器件的稳健性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外，输入还独立于电源电压，且具有20V的最大额定值

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1+
￥17.42
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￥16.99
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￥16.7

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型号：LM5100BSD/NOPB 编号：C2677206

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5100B 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥17.52
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￥14.87
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￥13.21

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型号：STDRIVEG610QTR 编号：C43079849

封装：QFN-18(4x5)

品牌：ST(意法半导体)

是用于N沟道增强型氮化镓（GaN）的高压半桥栅极驱动器。高端驱动器部分设计用于承受高达600V的电压轨，并可通过集成的自举二极管轻松供电。高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配和集成LDO，使该驱动器针对高速氮化镓驱动进行了优化。具有针对快速启动和低功耗软开关应用量身定制的电源欠压锁定（UVLO）功能，同时完全支持硬开关并具有互锁功能，以避免交叉导通

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