高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：ULQ2003ADR2G 编号：C165965

封装：SOIC-16

这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

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型号：AH3362Q-P-A 编号：C842209

封装：SIP-3

品牌：DIODES(美台)

AH3362Q是一款符合AECQ100标准的高压、高灵敏度霍尔效应单极开关IC，专为汽车应用中的位置和接近感应而设计，例如座椅和安全带扣、转向锁/防盗装置、变速杆、变速器执行器和挡位、HVAC压缩机、雨刮器、车门/行李箱关闭检测等。为满足广泛的严苛应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3362Q采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，可在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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型号：CD40175BNSR 编号：C1880224

封装：SO-16

品牌：TI(德州仪器)

CD40175B CMOS 四通道 D 类触发器

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型号：AH3781-SA-7 编号：C842140

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AH3781是一款带有内部上拉电阻的高压、高灵敏度霍尔效应锁存IC，专为工业、家用消费电器和个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3781采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，能在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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型号：CD4010BE 编号：C2864860

封装：PDIP-16

品牌：TI(德州仪器)

CD4010B CMOS 六路同向缓冲器/转换器

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型号：DOT2110 编号：C42441872

封装：DIP-14

品牌：DOINGTER(杜因特)

500V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V ~20V

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型号：SDH8635 编号：C250751

封装：DIP-8

品牌：SILAN(士兰微)

SDH8635 是用于开关电源的内置高压 MOSFET 及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式 PWM+PFM 控制器。 SDH8635 内置高压启动恒流源，低待机功耗 < 30mW 。有多种控制模式：在重载时，工作在 PWM 模式；在轻载时，工作在 PFM 模式，以提高转换效率；在空载时，进入打嗝模式，以降低待机功耗。

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型号：DOT7392N 编号：C42441873

封装：DIP-14

品牌：DOINGTER(杜因特)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V ~20V

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型号：SN74LS07DBR 编号：C6800

封装：SSOP-14-208mil

品牌：TI(德州仪器)

SN74LS07 具有集电极开路输出的 6 通道、4.75V 至 5.25V 双极缓冲器

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型号：IRS2001STRPBF 编号：C495819

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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型号：CD40175BM 编号：C1549824

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

CD40175B CMOS 四通道 D 类触发器

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型号：ZXCT1085E5TA 编号：C138359

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

高侧单极性电流检测监视器，消除了在检测负载电流时破坏接地层的需要。ZXCT1082/1084/1086的最大工作电压为60V，ZXCT1083/1085/1087的最大工作电压为40V。宽共模输入电压范围和低静态电流，搭配SOT25封装，使其适用于一系列应用，包括汽车和工业24-28V导轨供电的系统。静态电流仅为0.6μA，从而将电流检测误差降至最低。使用三个外部跨导/增益设置电阻，通过允许宽增益范围和优化带宽来增加通用性。ZXCT1084/5/6/7是ZXCT1082/3的固定增益电压输出对应产品。

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型号：NCL30059BDR2G 编号：C603424

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCL30059 是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要用于采用半桥拓扑结构的LED驱动应用。该驱动器支持LLC和LCC配置，并且后者为恒流（CC）应用提供了优化的宽范围控制。由于其专有的600V技术，该驱动器适用于277VAC照明应用中的大容量电压。通过单个电阻可以将驱动器的工作频率从25kHz调整到250kHz。可调的欠压保护确保了正确的大容量电压工作范围。内部100毫秒的PFC延迟定时器确保在大容量电压完全稳定后才启用转换器。该器件提供了固定的死区时间，有助于降低直通电流。

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型号：NCV5183DR2G 编号：C603958

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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型号：DL382150 编号：C5179836

封装：-

品牌：deli(得力工具)

电工用品 150-1500V AC

单价：
￥10.849 / 支￥11.42 / 支

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型号：NCV7721D2R2G 编号：C904665

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7721是一款全保护双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。两个半桥驱动器具有独立控制功能，可实现高端、低端和H桥控制。

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型号：HIP2100IBZT 编号：C2653813

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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型号：VS-25TTS08FP-M3 编号：C506509

封装：TO-220-3

品牌：VISHAY(威世)

VS-25TTS.FP. 高压系列可控硅整流器专为中功率开关和相位控制应用而设计。

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型号：L6395D 编号：C1549486

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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型号：UCC27301AQDRCRQ1 编号：C42295981

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27301A-Q1 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27301A-Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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