高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

高速风筒专用芯片 NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥0.8429
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￥0.6663
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￥0.578
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￥0.5118

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型号：XJNG2103 编号：C43244363

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达200V。采用SOP8封装，可以在-40°C 至 125°C 温度范围内工作。

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￥0.8614
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￥0.6848
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型号：BAR6402VH6327 编号：C115495

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

低插损天线开关射频pin二极管

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￥0.9551
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型号：MD8344 编号：C2978514

封装：SOT-89-3

品牌：明达微

是一款采用CMOS工艺制造的高压（最高40V）低功耗低压差稳压器（LDO）。它可以提供高达300mA的电流，同时仅消耗1.5μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管组成。

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￥0.9795
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型号：MD8310A 编号：C2978366

封装：SOT-89-3

品牌：明达微

是一款采用CMOS工艺制造的高压（最高40V）低功耗低压差稳压器（LDO）。它可以提供高达300mA的电流，同时仅消耗1.5μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管组成。

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￥0.9933
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￥0.7833
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型号：MD8333A 编号：C2978363

封装：SOT-89-3

品牌：明达微

是一款采用CMOS工艺制造的高压（最高40V）低功耗低压差稳压器（LDO）。它可以提供高达300mA的电流，同时仅消耗1.5μA的静态电流。它由一个参考电压发生器、一个误差放大器、一个电流折返电路、一个相位补偿电路和一个驱动晶体管组成。

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￥1.0222
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型号：AH3372-P-B 编号：C842234

封装：SIP-3

品牌：DIODES(美台)

AH3372是一款高压、高灵敏度的霍尔效应单极开关IC，专为工业和消费类家用电器及个人护理应用中的接近感应、位置感应和液位感应而设计。为满足各种严苛应用的需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3372采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，能在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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￥1.629416 ￥2.3962
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￥1.103798 ￥1.9031
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￥0.629136 ￥1.3107
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型号：ULN2001A 编号：C283427

封装：DIP-16

品牌：ST(意法半导体)

7个达林顿阵列

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￥1.7672
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￥1.3768
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￥1.2095
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型号：MT8313A-A 编号：C5451751

封装：TO-92S

品牌：MagnTek(麦歌恩)

MT831X 系列采用 BCD 工艺制造，兼具高性能和高可靠性。该霍尔 IC 内部集成了片上霍尔电压发生器、适用于 3.8V 至 60V 电源电压的稳压器、温度补偿电路、小信号放大器、带有动态失调消除系统的霍尔 IC、施密特触发器和集电极开路输出。其输出端还设有钳位二极管，并且具备反接电源保护功能，增强了霍尔 IC 的稳定性

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￥1.7952
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￥1.4021
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型号：RN-1/2W-470KΩ±2%T 编号：C714687

封装：插件,D3.3xL9mm

品牌：华星机电

特性：温度系数:±200PPM/°C以内。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。耐电压:无电弧放电、烧损及绝缘破坏等异状。断续过负荷:±(5% + 0.1Ω)以内。端子强度:端子不得断裂及松弛。焊锡耐热性:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖。耐溶剂性:涂装及色码不得脱落

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￥1.8601
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￥1.4619
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￥1.2913

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型号：RN-1/2W-820KΩ±2%T 编号：C714688

封装：插件,D3.3xL9mm

品牌：华星机电

特性：温度系数:±200PPM/°C以内。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。耐电压:无电弧放电、烧损及绝缘破坏等异状。断续过负荷:±(5% + 0.1Ω)以内。端子强度:端子不得断裂及松弛。焊锡耐热性:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖。耐溶剂性:涂装及色码不得脱落

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￥1.8808
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￥1.4827
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￥1.312

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型号：AH402HSU 编号：C5378190

封装：SOT-23-3L

品牌：Alfa(中科阿尔法)

AH402H是一款耐高压双极霍尔开关芯片，采用高压bipolar工艺制程。该芯片内部由电压稳压单元、霍尔电压发生器、差分放大电路、温度补偿电路、集电极开路输出电路组成。工作形式：输入磁感应强度，输出为数字电压信号。该芯片具有可耐高电压冲击，具有极强的抗噪能力；适用于各种电子消费类、汽车和工业控制等领域。提供T092S直插封装，贴片S0T23-3L封装，且封装都符合RoHS标准。

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￥1.9634
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￥1.5098
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￥1.3154
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￥0.9

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型号：AH3582-SA-7 编号：C2942991

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

该产品是一款高电压、高灵敏度的霍尔效应全极性开关IC，用于工业和家用个人护理应用中的接近、位置和液位传感。为支持广泛的应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源范围内工作。采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器为内部电路提供温度补偿电源，在整个工作范围内提供可靠的解决方案。为保证稳定性和保护性，该器件在电源上有一个反向阻断二极管和一个齐纳钳位。输出具有过流限制和齐纳钳位。内部上拉输出可以通过足够强度的南极或北极开启。当垂直于封装的磁通量密度B大于工作点（Bop）时，输出开启（拉低），并保持开启状态，直到磁通量密度B低于释放点（BRP）。

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￥2.0873
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￥1.6381
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￥1.4455

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型号：EG2107 编号：C2929088

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带过流保护功能半桥驱动芯片

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￥2.1502
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￥1.6948
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￥1.1583

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型号：FMMT6520TA 编号：C151360

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -350V。最大连续集电极电流 IC = -500mA。 330mW 功率耗散。互补零件编号 FMMT6517。无铅，符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。应用：电源开关

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￥2.2538
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￥1.6241

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型号：62783G-S18-R 编号：C98813

封装：SOP-18-300mil

品牌：UTC(友顺)

UTC 62783由八个电流源晶体管阵列组合而成，适用于荧光显示屏应用。UTC 62783非常适合用于继电器、锤击器和灯驱动器等。

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￥2.3072
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￥1.854
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￥1.6597
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型号：CD4085BM 编号：C2878696

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

CD4085B CMOS 双路 2 宽度双输入与或非门

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￥2.32
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￥2.27
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型号：LTA2903XS8/R8 编号：C22450493

封装：SOIC-8L

品牌：Linearin(先积集成)

LTA391/LTA2903/LTA2901 分别为单通道、双通道和四通道比较器，其静态电流为 250 μA，电源电压范围宽，从 2.0V 至 36V，具有轨到轨输入，有助于在要求临界响应时间、对功率敏感、需要高电压的各种应用中使用。LTA391/LTA2903/LTA2901 的输出可与其他集电极开路输出相连，以实现线与关系。所有输入和输出引脚均可承受任一电源轨的持续短路故障情况

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￥2.61
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￥2.05
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￥1.81

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型号：SLM2106SCA-13GTR 编号：C461471

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA, MT:30ns

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￥1.95
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￥1.67

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型号：FV56X103K202EFG 编号：C2936155

封装：2225

品牌：PSA(信昌电陶)

采用环保材料制造,无铅或镉。这些电容器的特点是在多层陶瓷电容器(MLCC)中串联多层电容器单元,以实现高压性能。这种特殊设计可以在整个电容器中分布电压梯度,从而防止短路故障。这是一种用于液晶显示器背光逆变器应用的安全设计。

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￥2.25
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￥1.99

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型号：XJNG2302 编号：C48542889

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相栅极驱动IC，可用于驱动高端、低端或半桥配置的功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，工作电压高达200V。

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￥2.96
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￥2.38
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￥2.14
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￥1.83

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型号：FV46X103K302EGQ 编号：C2936158

封装：1825

品牌：PSA(信昌电陶)

采用环保材料制造,无铅或镉。这些电容器的特点是在多层陶瓷电容器(MLCC)中串联多层电容器单元,以实现高压性能。这种特殊设计可以在整个电容器中分布电压梯度,从而防止短路故障。这是一种用于液晶显示器背光逆变器应用的安全设计。

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￥2.37
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￥2.1

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型号：AH3363Q-P-B 编号：C842227

封装：SIP-3

品牌：DIODES(美台)

AH3363Q是AECQ100合格的高压高灵敏度霍尔效应单极开关IC，用于汽车应用中的位置和接近感应，如座椅和安全带扣、转向锁/防盗、变速杆、传动执行器和档位、HVAC压缩、雨刮器、车门/行李箱关闭等。为支持广泛的苛刻应用，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源范围内工作。采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器为内部电路提供温度补偿电源，AH3363Q在整个工作范围内提供可靠的解决方案。为实现稳健性和保护，该器件在电源上具有反向阻断二极管和齐纳钳位。输出具有过流限制和齐纳钳位。

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