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首页 > 热门关键词 > 高压半桥驱动
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特性:电容器容量范围从0.001μF到0.033μF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜及铝箔组成,无感结构。可承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用:各种电子线路中的高脉冲线路、大电流。电子镇流器
数据手册
  • 10+

    ¥0.4074
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  • 5000+

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    ¥0.1864
  • 有货
  • 特性:电容器容量范围从0.001μF到0.033μF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜及铝箔组成,无感结构。可承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用:各种电子线路中的高脉冲线路、大电流。电子镇流器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4289
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      ¥0.2086
  • 订货
  • 特性:快速开关速度。 适用于电池供电的便携式应用。 高反向击穿电压。 低泄漏电流。 完全无铅,完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 该部件符合 JEDEC 标准(如 AEC-Q 中引用),具有高可靠性
    数据手册
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      ¥0.5118
    • 50+

      ¥0.4062
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      ¥0.3534
  • 有货
  • 特性:额定电压是传统产品的两倍。非常适合用于高压电路(如相机闪光灯电路等)。电阻器获得了ISO9001 / IATF16949认证。符合AEC Q200标准
    数据手册
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      ¥0.5156
    • 50+

      ¥0.4016
    • 150+

      ¥0.3446
    • 500+

      ¥0.3019
  • 有货
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    • 50+

      ¥0.4681
    • 150+

      ¥0.4081
  • 有货
  • 特性:低反向泄漏。 高可靠性。 保证高温焊接:260℃/10秒(引脚和本体)。 引脚和本体符合RoHS标准。 双向撬棒保护。 高正向浪涌电流能力。 不会疲劳。 塑料封装通过UL易燃性分类94V-0。 消除快速上升瞬变引起的电压过冲。 不会因电压损坏
    • 5+

      ¥0.5896
    • 50+

      ¥0.5767
    • 150+

      ¥0.568
    • 500+

      ¥0.5594
  • 有货
  • 特性:额定电压是传统产品的两倍。非常适合用于高压电路(如相机闪光灯电路等)。电阻器获得了ISO9001 / IATF16949认证。符合AEC Q200标准
    数据手册
    • 5+

      ¥0.63426 ¥2.1142
    • 50+

      ¥0.3282 ¥1.641
    • 150+

      ¥0.14381 ¥1.4381
    • 500+

      ¥0.11851 ¥1.1851
    • 2500+

      ¥0.10724 ¥1.0724
    • 4000+

      ¥0.10048 ¥1.0048
  • 有货
  • 特性:额定电压是传统产品的两倍。非常适合用于高压电路(如相机闪光灯电路等)。电阻器获得了ISO9001 / IATF16949认证。符合AEC Q200标准
    数据手册
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      ¥0.71766 ¥2.3922
    • 50+

      ¥0.38378 ¥1.9189
    • 150+

      ¥0.17161 ¥1.7161
    • 500+

      ¥0.14631 ¥1.4631
    • 2500+

      ¥0.13504 ¥1.3504
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      ¥0.12828 ¥1.2828
  • 有货
    • 5+

      ¥0.725325 ¥0.7635
    • 50+

      ¥0.58254 ¥0.6132
    • 150+

      ¥0.511195 ¥0.5381
    • 500+

      ¥0.45771 ¥0.4818
    • 2500+

      ¥0.414865 ¥0.4367
    • 5000+

      ¥0.393395 ¥0.4141
  • 有货
  • CC6105霍尔效应锁存器IC是具有极高温度稳定性和抗应力能力的传感器,特别适合在较宽的温度范围(最高可达150°C)内工作。动态失调消除和正在申请专利的温度补偿电路使该器件具备出色的高温性能,这些技术可降低通常由器件封装过模、温度依赖性和热应力引起的剩余失调电压。CC6105包含一个电压调节器、一个霍尔电压发生器、一个小信号放大器、斩波稳定电路、一个施密特触发器和一个短路保护输出
    • 5+

      ¥0.8019
    • 50+

      ¥0.6339
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      ¥0.5499
  • 有货
  • XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达200V。采用SOP8封装,可以在-40°C 至 125°C 温度范围内工作。
    • 5+

      ¥0.81833 ¥0.8614
    • 50+

      ¥0.65056 ¥0.6848
    • 150+

      ¥0.56658 ¥0.5964
    • 500+

      ¥0.50369 ¥0.5302
    • 2500+

      ¥0.45334 ¥0.4772
    • 4000+

      ¥0.428165 ¥0.4507
  • 有货
  • 特性:高电压。105°C 2000小时。引线型。符合环保要求。应用:PD快充设备。储能逆变设备
    • 5+

      ¥0.834195 ¥0.8781
    • 50+

      ¥0.670035 ¥0.7053
    • 150+

      ¥0.587955 ¥0.6189
    • 500+

      ¥0.526395 ¥0.5541
    • 2500+

      ¥0.47709 ¥0.5022
    • 5000+

      ¥0.452485 ¥0.4763
  • 有货
  • 特性:高电压。105°C 2000小时。引线型。符合环保要求。应用:PD快充设备。储能逆变设备
    • 5+

      ¥0.83885 ¥0.883
    • 50+

      ¥0.67374 ¥0.7092
    • 150+

      ¥0.591185 ¥0.6223
    • 500+

      ¥0.52934 ¥0.5572
    • 2500+

      ¥0.47975 ¥0.505
    • 5000+

      ¥0.45505 ¥0.479
  • 有货
  • 是单片高压、大电流达林顿晶体管阵列。每个阵列由七个 NPN 达林顿对组成,具有带共阴极钳位二极管的高压输出,用于切换感性负载。单个达林顿对的集电极电流额定值为 500 mA。达林顿对可以并联以获得更高的电流能力。每个达林顿对都有一个 2.7 kΩ 的串联基极电阻,可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件配合使用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.979
    • 50+

      ¥0.7673
    • 150+

      ¥0.6766
    • 500+

      ¥0.5634
  • 有货
    • 5+

      ¥0.99576 ¥1.2447
    • 50+

      ¥0.97392 ¥1.2174
    • 150+

      ¥0.95928 ¥1.1991
    • 500+

      ¥0.94472 ¥1.1809
  • 有货
    • 5+

      ¥1.01672 ¥1.2709
    • 50+

      ¥0.9944 ¥1.243
    • 150+

      ¥0.97952 ¥1.2244
    • 500+

      ¥0.96456 ¥1.2057
  • 有货
    • 5+

      ¥1.03768 ¥1.2971
    • 50+

      ¥1.01488 ¥1.2686
    • 150+

      ¥0.99968 ¥1.2496
    • 500+

      ¥0.98448 ¥1.2306
  • 有货
    • 1+

      ¥1.104 ¥1.38
    • 10+

      ¥1.08 ¥1.35
    • 30+

      ¥1.064 ¥1.33
    • 100+

      ¥1.048 ¥1.31
  • 有货
  • AH402H是一款耐高压双极霍尔开关芯片,采用高压bipolar工艺制程。该芯片内部由电压稳压单元、霍尔电压发生器、差分放大电路、温度补偿电路、集电极开路输出电路组成。工作形式:输入磁感应强度,输出为数字电压信号。该芯片具有可耐高电压冲击,具有极强的抗噪能力;适用于各种电子消费类、汽车和工业控制等领域。提供T092S直插封装,贴片S0T23-3L封装,且封装都符合RoHS标准。
    • 1+

      ¥1.138772 ¥1.9634
    • 10+

      ¥0.875684 ¥1.5098
    • 30+

      ¥0.762932 ¥1.3154
    • 100+

      ¥0.622282 ¥1.0729
    • 500+

      ¥0.559642 ¥0.9649
    • 1000+

      ¥0.522 ¥0.9
  • 有货
  • AH402H是一款耐高压双极霍尔开关芯片,采用高压bipolar工艺制程。该芯片内部由电压稳压单元、霍尔电压发生器、差分放大电路、温度补偿电路、集电极开路输出电路组成。工作形式:输入磁感应强度,输出为数字电压信号。该芯片具有可耐高电压冲击,具有极强的抗噪能力;适用于各种电子消费类、汽车和工业控制等领域。提供T092S直插封装,贴片S0T23-3L封装,且封装都符合RoHS标准。
    • 1+

      ¥1.138772 ¥1.9634
    • 10+

      ¥0.875684 ¥1.5098
    • 30+

      ¥0.762932 ¥1.3154
    • 100+

      ¥0.622282 ¥1.0729
    • 500+

      ¥0.559642 ¥0.9649
    • 1000+

      ¥0.522 ¥0.9
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2805
    • 50+

      ¥1.0033
    • 150+

      ¥0.8845
    • 500+

      ¥0.7363
    • 2500+

      ¥0.6703
  • 有货
  • KP206A是一款针对离线式反激变换器的高性能电流模式PWM控制器。芯片集成有高压启动电路,可以获得快速启动和超低待机的性能。芯片内集成有通用的原边恒流控制技术,可支持断续模式和连续模式工作,无需额外的恒流环,适用于有恒流需求的隔离型电源应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.392 ¥2.4
    • 10+

      ¥0.912 ¥1.9
    • 30+

      ¥0.6384 ¥1.68
    • 100+

      ¥0.5396 ¥1.42
    • 500+

      ¥0.494 ¥1.3
    • 1000+

      ¥0.4636 ¥1.22
  • 有货
  • 类型: 全极开关 供电电压(V): 3.5~40 功耗(mA): 5 ESD(KV): 5 工作温度(℃): -40~125 工作点(Gs): ±80 释放点(Gs): ±50 输出形式: 集电极开路
    • 1+

      ¥1.4016 ¥2.19
    • 10+

      ¥1.0752 ¥1.68
    • 30+

      ¥0.9408 ¥1.47
    • 100+

      ¥0.768 ¥1.2
    • 500+

      ¥0.6912 ¥1.08
    • 1000+

      ¥0.64 ¥1
  • 有货
  • 高电压、高电流达林顿阵列,每个包含七个集电极开路共发射极对。每个对的额定电流为 500mA。包含用于电感负载驱动的抑制二极管。输入和输出引脚相对,以简化电路板布局。设备选项设计为与常见逻辑系列兼容,能够驱动各种负载,包括螺线管、继电器、直流电机、LED 显示器、白炽灯、热敏打印头和高功率缓冲器。有小型 16 引脚封装(SO-16)和 PDIP-16 封装可供选择。ULN2003A 还有用于小尺寸要求的 TSSOP-16(CJ 型)封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4962
    • 50+

      ¥1.3284
    • 150+

      ¥1.2565
    • 500+

      ¥1.1669
  • 有货
  • AH3774是一款高压、高灵敏度的霍尔效应锁存IC,专为工业和消费类家电及个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求,该设计经过优化,可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3774采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器,为内部电路提供温度补偿电源,可在整个工作范围内提供可靠的解决方案
    数据手册
    • 5+

      ¥1.658633 ¥2.2721
    • 50+

      ¥1.33225 ¥1.825
    • 150+

      ¥1.192382 ¥1.6334
    • 1000+

      ¥1.017912 ¥1.3944
    • 2000+

      ¥0.940167 ¥1.2879
    • 5000+

      ¥0.89352 ¥1.224
  • 有货
  • 7个达林顿阵列
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6768
    • 50+

      ¥1.3048
    • 150+

      ¥1.1453
    • 500+

      ¥0.9464
  • 有货
    • 1+

      ¥1.976 ¥2.08
    • 10+

      ¥1.938 ¥2.04
    • 30+

      ¥1.9095 ¥2.01
    • 100+

      ¥1.881 ¥1.98
  • 有货
  • EG2106D是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。EG2106D高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO(+/-) 0.3/0.6A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0203
    • 50+

      ¥1.5667
    • 150+

      ¥1.3723
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -150V。 BVCEV > -180V。 IC = -700mA 高连续集电极电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -100mA。 互补 NPN 型。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册
    • 1+

      ¥2.0605 ¥3.17
    • 10+

      ¥1.4025 ¥2.55
    • 30+

      ¥1.026 ¥2.28
    • 100+

      ¥0.8775 ¥1.95
    • 500+

      ¥0.81 ¥1.8
    • 1000+

      ¥0.7695 ¥1.71
  • 有货
  • 带过流保护功能半桥驱动芯片
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1502
    • 50+

      ¥1.6948
    • 150+

      ¥1.4997
    • 500+

      ¥1.1583
  • 有货
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