高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：L298N(MS) 编号：C19632282

封装：ZIP-15

品牌：MSKSEMI(美森科)

电机驱动芯片，L298N(MS)，；逻辑电源电压最高7V，马达驱动，双全桥驱动，静态电流Iq(Typ)10mA，总直流电流最高：4A：应用领域：继电器、直流和步进电机和开关电源等领域

1+
￥9.67
10+
￥8.05
25+
￥7.16
100+
￥6.15
500+
￥5.71
1000+
￥5.5

有货

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型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

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￥1.4916
50+
￥1.3026
150+
￥1.2216
500+
￥1.1205
2500+
￥1.0755

有货

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型号：ULN2803-MS 编号：C47020994

封装：SOP-18

品牌：MSKSEMI(美森科)

ULN2803-MS是一款高耐压、大电流达林顿阵列高电，压、大电流能力、输入兼容性好、输出结构灵活被广泛应用于电机驱动、继电器控制、显示驱动、逻辑缓冲、传感器应用

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￥1.6972
50+
￥1.3444
150+
￥1.1932
500+
￥1.0045
2000+
￥0.9205
4000+
￥0.8701

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型号：FV55X682K202EFG 编号：C2936150

封装：2220

品牌：PSA(信昌电陶)

采用环保材料制造,无铅或镉。这些电容器的特点是在多层陶瓷电容器(MLCC)中串联多层电容器单元,以实现高压性能。这种特殊设计可以在整个电容器中分布电压梯度,从而防止短路故障。这是一种用于液晶显示器背光逆变器应用的安全设计。

数据手册

5+
￥2.226
50+
￥1.7825
150+
￥1.5924
1000+
￥1.3552

有货

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型号：HT2177BNZ 编号：C7431202

封装：DIP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HTx177系列包含高精度的单通道、双通道和四通道放大器，具有极低的失调电压和漂移、低输入偏置电流、低噪声和低功耗等特性。在无需外部补偿的情况下，输出对于超过1000 pF的容性负载保持稳定。在30 V电压下，每个放大器的电源电流小于500 μA

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￥2.51
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￥2.24
50+
￥2.11
100+
￥1.97
500+
￥1.89
1000+
￥1.85

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型号：FV55X473K152EHG 编号：C2936154

封装：2220

品牌：PSA(信昌电陶)

采用环保材料制造,无铅或镉。这些电容器的特点是在多层陶瓷电容器(MLCC)中串联多层电容器单元,以实现高压性能。这种特殊设计可以在整个电容器中分布电压梯度,从而防止短路故障。这是一种用于液晶显示器背光逆变器应用的安全设计。

数据手册

1+
￥2.9
10+
￥2.31
30+
￥2.05
100+
￥1.73
500+
￥1.59

有货

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型号：TLV9052IDGKR 编号：C2876506

封装：VSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

TLV9052 适用于成本优化型应用的双通道、5.5V、5MHz、15V/μs 压摆率、RRIO 运算放大器

数据手册

1+
￥3.23
10+
￥2.73
30+
￥2.38
100+
￥2.09

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型号：94-213-23 编号：C5141816

封装：-

品牌：STANLEY(史丹利)

单价：
￥4.6065 / 个￥5.55 / 个

有货

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型号：LTC7001IMSE-JSM 编号：C44606290

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

1+
￥6.2
10+
￥5.12
30+
￥4.53
100+
￥3.86

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型号：LM5109AMAX/NOPB 编号：C129332

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥7.19
10+
￥6.08
30+
￥5.46
100+
￥4.77
500+
￥4.18

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型号：UCC27282DRMR 编号：C6902719

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282是一款坚固耐用的N沟道MOSFET驱动器，其开关节点（HS）的最大额定电压为100 V。它允许以半桥或同步降压配置为基础的拓扑结构来控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流，以及低上拉和下拉电阻，使得UCC27282能够在MOSFET米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET

1+
￥8.63
10+
￥7.71
30+
￥6.84

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型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

数据手册

1+
￥12.0714 ￥12.98
10+
￥9.9185 ￥11.95
30+
￥8.2563 ￥11.31
100+
￥7.7745 ￥10.65
500+
￥7.5555 ￥10.35
1000+
￥7.4606 ￥10.22

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型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

数据手册

1+
￥13.8043 ￥18.91
10+
￥10.1682 ￥16.14
30+
￥7.632 ￥14.4
100+
￥6.6886 ￥12.62
500+
￥6.2646 ￥11.82
1000+
￥6.0791 ￥11.47

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型号：LMP8640MKE-F 编号：C4371042

封装：TSOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

是精密电流检测放大器，可在 2.7V 至 12V 的电源电压范围内，在高输入共模电压下检测检测电阻两端的小差分电压。接受共模电压范围为 -2V 至 42V 的输入信号，有三种不同的固定增益 20V/V、50V/V、100V/V，确保增益精度低至 0.25%。输出经过缓冲，以提供低输出阻抗。适用于直流或电池供电系统中的电流检测和监测，在不同温度下具有出色的交流和直流规格，并将电流检测环路中的误差降至最低。适用于工业、汽车和消费应用，采用 TSOT-6 封装。