高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：HV06W4F1005T5E 编号：C2765783

封装：1206

品牌：UNI-ROYAL(厚声)

数据手册

50+
￥0.025935 ￥0.0273
500+
￥0.025365 ￥0.0267
1500+
￥0.024985 ￥0.0263
5000+
￥0.024605 ￥0.0259

有货

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型号：MMBT5401 编号：C27548206

封装：SOT-23

品牌：AnBon(安邦)

PNP 高压三极管，SOT-23 封装，VCEO=-150V，IC=-500mA，hFE=50-300@IC=-1mA~-50mA，fT=100MHz，适用于高压放大、开关

50+
￥0.03914 ￥0.0412
500+
￥0.038285 ￥0.0403
3000+
￥0.037715 ￥0.0397
6000+
￥0.03724 ￥0.0392

有货

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型号：HV05W8F1304T5E 编号：C2778939

封装：0805

品牌：UNI-ROYAL(厚声)

电阻器是电子线路中控制电流及电压的最基本元件,被广泛应用于电子电路及电子产品中。高精度薄膜晶片电阻器产品采用精密薄膜溅射技术,电阻层采用高纯度合金靶材溅射而成,膜层结构致密,离子间排列有规则,具有良好的温度稳定性及噪音系数、可靠性高。抗硫化厚膜晶片电阻器采用高精密厚膜印刷技术制造,由特殊的材料和生产工艺生产而成。产品具有优异的耐腐蚀性能和抗硫化能力。

数据手册

50+
￥0.0528
500+
￥0.0415
1500+
￥0.0352

有货

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型号：KTR10EZPF8201 编号：C2110712

封装：0805

品牌：ROHM(罗姆)

特性：额定电压是传统产品的两倍。非常适合用于高压电路(如相机闪光灯电路等)。电阻器获得了ISO9001 / IATF16949认证。符合AEC Q200标准

数据手册

10+
￥0.08874 ￥0.2958
100+
￥0.04772 ￥0.2386
300+
￥0.021 ￥0.21
1000+
￥0.01886 ￥0.1886
5000+
￥0.01714 ￥0.1714
10000+
￥0.01628 ￥0.1628

有货

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型号：FH7071DZ 编号：C22396964

封装：SOT-23-6

品牌：鑫飞宏

过充电压4.450V±25mV,过放电压2.520V,放电过流电压180mV,短路检测电压1.00V,充电过流电压-150mV

20+
￥0.15252 ￥0.164
200+
￥0.13392 ￥0.144
600+
￥0.12462 ￥0.134
3000+
￥0.117645 ￥0.1265
9000+
￥0.112065 ￥0.1205
21000+
￥0.109275 ￥0.1175

有货

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型号：HR1206J1M00P05Z 编号：C175518

封装：1206

品牌：EVER OHMS(天二科技)

特性：特殊材料和设计,满足高工作电压要求。应用：电源。工业控制系统

数据手册

20+
￥0.1668
200+
￥0.1311
600+
￥0.1113

有货

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型号：HR2512F750RE04 编号：C175526

封装：2512

品牌：EVER OHMS(天二科技)

特性：特殊材料和设计,适用于高工作电压要求。兼容波峰焊和回流焊。适用于无铅焊接。高极限电压。应用：电源。汽车工业

数据手册

5+
￥0.24588 ￥0.8196
50+
￥0.13166 ￥0.6583
150+
￥0.05776 ￥0.5776
500+
￥0.05172 ￥0.5172
2500+
￥0.04688 ￥0.4688
4000+
￥0.04446 ￥0.4446

有货

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型号：RN-1/2W-820KΩ±2% T 编号：C155721

封装：插件,D3.3xL9mm

品牌：CCO(千志电子)

特性：温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖

数据手册

20+
￥0.2501
200+
￥0.1978
600+
￥0.1688
2000+
￥0.1513

有货

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型号：KTR18EZPJ335 编号：C2077489

封装：1206

品牌：ROHM(罗姆)

特性：额定电压是传统产品的两倍。非常适合用于高压电路(如相机闪光灯电路等)。电阻器获得了ISO9001 / IATF16949认证。符合AEC Q200标准

数据手册

10+
￥0.2948
100+
￥0.2378
300+
￥0.2093
1000+
￥0.1879

有货

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型号：KTR10EZPF1200 编号：C2086236

封装：0805

品牌：ROHM(罗姆)

特性：额定电压是传统产品的两倍。非常适合用于高压电路(如相机闪光灯电路等)。电阻器获得了ISO9001 / IATF16949认证。符合AEC Q200标准

数据手册

10+
￥0.2983
100+
￥0.2411
300+
￥0.2125
1000+
￥0.1911

有货

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型号：RI40-1/4W-82KΩ ±5% T 编号：C136550

封装：插件,D2.3xL6.5mm

品牌：CCO(千志电子)

特性：温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖

数据手册

10+
￥0.3415
100+
￥0.2743
300+
￥0.2407
1000+
￥0.2155

有货

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型号：COS393SR 编号：C25503981

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

是低功耗、低失调电压差分比较器，可在2V至36V单电源或±1V至±18V双电源下工作。尽管电源范围宽，但能提供出色的整体性能和多功能性。具有高差分输入电压能力，共模输入电压范围包括地，可直接在接地附近进行感应。

10+
￥0.3935
100+
￥0.3095
300+
￥0.2675
1000+
￥0.2223
4000+
￥0.1971
8000+
￥0.1845

有货

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型号：PZTA42Q 编号：C7464232

封装：SOT-223

品牌：ST(先科)

特性：无卤和无锑(HAF)，符合RoHS标准

10+
￥0.4093
100+
￥0.3224
300+
￥0.279
3000+
￥0.2518

有货

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型号：RV221M350E080R1Z00ZZ 编号：C42460468

封装：插件,D6.3xL8mm

品牌：CH(创慧电子)

特性：高电压。105°C 2000小时。引线型。符合环保要求。应用：PD快充设备。储能逆变设备

5+
￥0.549195 ￥0.5781
50+
￥0.441085 ￥0.4643
150+
￥0.387125 ￥0.4075
1000+
￥0.34656 ￥0.3648
2000+
￥0.314165 ￥0.3307
5000+
￥0.29792 ￥0.3136

有货

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型号：LM331BXF 编号：C5372419

封装：SOT23-5

品牌：RUNIC(润石)

LM331 是单比较器版本，其输出可与其他集电极开路输出相连，以实现线与关系。它的工作电压范围为 3V 至 32V，每通道典型功耗低至 65μA。LM331 包含一个电压比较器，设计用于在宽电压范围内的单电源下工作

数据手册

5+
￥0.76
50+
￥0.568
150+
￥0.472
500+
￥0.4

有货

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型号：HAL3144EUA 编号：C7420973

封装：TO-92S

品牌：Hallwee(霍尔微电子)

耐压高，无刷电机，马达测速

5+
￥0.8976
50+
￥0.696
150+
￥0.6096
1000+
￥0.5018
2000+
￥0.4538
5000+
￥0.425

有货

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型号：AH423SU 编号：C5378193

封装：SOT-23-3L

品牌：Alfa(中科阿尔法)

类型: 单极开关供电电压(V): 3.5~40 功耗(mA): 4.8 ESD(KV): 4 工作温度(℃): -40~125 工作点（Gs）: 120 释放点(Gs): 80 输出形式: 集电极开路

1+
￥1.186804 ￥1.7453
10+
￥0.912628 ￥1.3421
30+
￥0.795124 ￥1.1693
100+
￥0.648516 ￥0.9537
500+
￥0.583236 ￥0.8577
1000+
￥0.544 ￥0.8

有货

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型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.4916
50+
￥1.3026
150+
￥1.2216
500+
￥1.1205
2500+
￥1.0755

有货

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型号：EG2104D 编号：C20416233

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104D是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104D高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V-25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

5+
￥2.0174
50+
￥1.5638
150+
￥1.3694
500+
￥1.1269

有货

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型号：BP6830 编号：C7498955

封装：SOP-16

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三相高速功率MOSFET驱动器

1+
￥2.184 ￥2.73
10+
￥1.936 ￥2.42
30+
￥1.816 ￥2.27
100+
￥1.688 ￥2.11
500+
￥1.616 ￥2.02
1000+
￥1.584 ￥1.98

有货

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型号：FV55X682K202EFG 编号：C2936150

封装：2220

品牌：PSA(信昌电陶)

采用环保材料制造,无铅或镉。这些电容器的特点是在多层陶瓷电容器(MLCC)中串联多层电容器单元,以实现高压性能。这种特殊设计可以在整个电容器中分布电压梯度,从而防止短路故障。这是一种用于液晶显示器背光逆变器应用的安全设计。

数据手册

5+
￥2.2857
50+
￥1.8215
150+
￥1.6225

有货

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型号：TLV9051IDCKR 编号：C2873238

封装：SC-70-5

品牌：TI(德州仪器)

TLV9051 适用于成本优化型应用的单路、5.5V、5MHz、15V/μs 压摆率、RRIO 运算放大器

数据手册

1+
￥3.06
10+
￥2.4
30+
￥2.11
100+
￥1.76

有货

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型号：TLV9052IDGKR 编号：C2876506

封装：VSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

TLV9052 适用于成本优化型应用的双通道、5.5V、5MHz、15V/μs 压摆率、RRIO 运算放大器

数据手册

1+
￥3.23
10+
￥2.73
30+
￥2.38
100+
￥2.09

有货

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型号：ZXCT1110W5-7 编号：C78482

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1107/09/10是高端单极性电流检测监视器。这些器件在检测负载电流时无需中断接地层。宽共模输入电压范围、低静态电流，再加上SOT23封装，使其适用于一系列应用，包括适配器、汽车以及由工业24V电源轨供电的系统

数据手册

1+
￥5.56
10+
￥4.48
30+
￥3.95

有货

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型号：LTC7001IMSE-JSM 编号：C44606290

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

1+
￥6.2
10+
￥5.12
30+
￥4.53
100+
￥3.86

有货

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型号：LTC7001EMSE-JSM 编号：C44606291

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。