高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

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1+
￥5.88
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￥4.7
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￥4.11
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￥3.53
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￥3.21

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型号：HV1812Y152KXVATHV 编号：C2171396

封装：1812

品牌：VISHAY(威世)

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型号：ZXCT1086E5TA 编号：C154866

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

高侧单极性电流检测监视器，消除了在检测负载电流时破坏接地层的需要。ZXCT1082/1084/1086的最大工作电压为60V，ZXCT1083/1085/1087的最大工作电压为40V。宽共模输入电压范围和低静态电流，搭配SOT25封装，使其适用于一系列应用，包括汽车和工业24-28V导轨供电的系统。静态电流仅为0.6μA，从而将电流检测误差降至最低。使用三个外部跨导/增益设置电阻，通过允许宽增益范围和优化带宽来增加通用性。ZXCT1084/5/6/7是ZXCT1082/3的固定增益电压输出对应产品。

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￥10.08
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型号：L6390DTR 编号：C503085

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧/低侧驱动器

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￥10.88
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型号：ERA-8PEB1004V 编号：C6844506

封装：1206

品牌：PANASONIC(松下)

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型号：TPS2491DGSR 编号：C273636

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

TPS2491 具有功率限制和自动重试功能的 9V 至 80V 热插拔控制器

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￥13.71
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型号：MD0100N8-G 编号：C629131

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MD0100是一款高电压、双向、限流保护设备。它设计用于在超声应用中保护低噪声接收器免受高压传输脉冲的影响。

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￥18.18
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￥11.32

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型号：DS3502U+T&R 编号：C2649363

封装：uSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

7位非易失性数字电位器，支持I2C接口，最大工作电压15.5V

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￥24.06
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￥20.97
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￥19.13
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型号：LTC4151IMS#TRPBF 编号：C687370

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)

高电压I2C电流和电压监视器

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￥43.44
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￥37.68
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￥32.67
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￥29.72

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型号：OPA552FA/500 编号：C2058715

封装：TO-263-7

品牌：TI(德州仪器)

OPA552 高电流（380mA 典型值）、高电压 (60V)、高带宽 (12MHz) 运算放大器

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￥52.29
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￥47.01
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￥40.36

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型号：OPA551PA 编号：C1346103

封装：PDIP-8

品牌：TI(德州仪器)

OPA551 高电流（380mA 典型值）、高电压 (60V) 运算放大器

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￥57.32
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￥51.87
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￥48.39

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型号：ADA4870ARRZ 编号：C654272

封装：PSOP-20

品牌：ADI(亚德诺)

高速、高压、1 A输出驱动放大器

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￥141.12
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￥134.4

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型号：HV507PG-G 编号：C639448

封装：PQFP-80(14x20)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款低压到高压的串行转并行转换器，具有64个推挽输出。该设备设计用作静电应用的打印机驱动器，也可用于任何需要多输出高压低电流源和吸收能力的应用。该设备由一个64位移位寄存器、64个锁存器和控制逻辑组成，用于执行输出的极性选择和消隐。DIR引脚控制数据通过设备的移位方向

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￥146.79
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￥139.2

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型号：GVA241000AS-30 编号：C42387366

封装：插件,62x45mm

品牌：GTL-POWER(冠图电子)

非隔离高压输出电源模块，输入24V，输出电压0-1000V可调，输出电流30mA，塑壳灌封，适用于自动化控制设备、仪器仪表、电力设备、工控设备、新能源车充电等领域

1+
￥269.81
20+
￥256.02

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型号：715C15DKS10 编号：C1623698

封装：Disk

品牌：VISHAY(威世)

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单价：
￥498.17 / 个

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型号：Micsig DP1500(100M+1500V) 编号：C42401722

封装：-

品牌：micsig(麦科信)

单价：
￥1399 / 套

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型号：HV06W4F2493T5E 编号：C2765788

封装：1206

品牌：UNI-ROYAL(厚声)

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50+
￥0.025935 ￥0.0273
500+
￥0.025365 ￥0.0267
1500+
￥0.024985 ￥0.0263
5000+
￥0.024605 ￥0.0259

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型号：KTR18EZPJ224 编号：C307948

封装：1206

品牌：ROHM(罗姆)

特性：额定电压是传统产品的两倍。非常适合在高压电路中使用。罗姆电阻器已获得 ISO9001 / ISO / TS16949 认证。符合 AEC Q200

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50+
￥0.03624 ￥0.1208
500+
￥0.0192 ￥0.096
1500+
￥0.00822 ￥0.0822
5000+
￥0.00739 ￥0.0739
25000+
￥0.00667 ￥0.0667
50000+
￥0.00629 ￥0.0629

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型号：HV06W4F5102T5E 编号：C414784

封装：1206

品牌：UNI-ROYAL(厚声)

在最大工作电压方面的性能优于普通厚膜片式电阻器,适用于回流焊和波峰焊。

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100+
￥0.0478
1000+
￥0.0373
5000+
￥0.0314

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型号：HV06W4F1001T5E 编号：C414808

封装：1206

品牌：UNI-ROYAL(厚声)

在最大工作电压方面的性能优于普通厚膜片式电阻器,适用于回流焊和波峰焊。

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50+
￥0.0501
500+
￥0.039
1500+
￥0.0329
5000+
￥0.0292

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型号：HV06W4F5363T5E 编号：C414781

封装：1206

品牌：UNI-ROYAL(厚声)

在最大工作电压方面的性能优于普通厚膜片式电阻器,适用于回流焊和波峰焊。

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1+
￥0.05301 ￥0.0589
10+
￥0.04302 ￥0.0478
30+
￥0.03735 ￥0.0415
100+
￥0.03402 ￥0.0378
500+
￥0.03114 ￥0.0346
1000+
￥0.02961 ￥0.0329

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型号：HR1206J1K00P05Z 编号：C175514

封装：1206

品牌：EVER OHMS(天二科技)

特性：特殊材料和设计,适用于高工作电压要求。兼容波峰焊和回流焊。适用于无铅焊接。高极限电压。应用：电源。汽车工业

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20+
￥0.1613
200+
￥0.116808 ￥0.1256
600+
￥0.087814 ￥0.1058
5000+
￥0.07802 ￥0.094
10000+
￥0.069471 ￥0.0837
20000+
￥0.064823 ￥0.0781

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型号：KTR03EZPF4702 编号：C2090549

封装：0603

品牌：ROHM(罗姆)

特性：额定电压是传统产品的两倍。非常适合用于高压电路(如相机闪光灯电路等)。电阻器获得了ISO9001 / IATF16949认证。符合AEC Q200标准

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20+
￥0.2583
200+
￥0.2054
600+
￥0.176

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型号：RI40-1/2W-270KΩ±2% T 编号：C122208

封装：插件,D3.3xL9mm

品牌：CCO(千志电子)

特性：温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖

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10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828
2000+
￥0.2504

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型号：ULN2003 编号：C50176443

封装：SOP-16

品牌：GOODWORK(固得沃克)

达林顿晶体管阵列广泛用于电机控制、继电器驱动和电源管理等领域。

5+
￥0.53082 ￥0.5898
50+
￥0.42282 ￥0.4698
150+
￥0.36882 ￥0.4098
500+
￥0.32832 ￥0.3648
3500+
￥0.29592 ￥0.3288
7000+
￥0.27972 ￥0.3108

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型号：RI40-1W-10MΩ ±2% T 编号：C155708

封装：插件,D4xL11.5mm

品牌：CCO(千志电子)

特性：温度系数:±250PPM/°C。短时间过负荷:±(1% + 0.05Ω)以内,不得有机械的损伤。绝缘电阻:104MΩ以上。焊锡附着性:导线至少95%以上新锡覆盖

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5+
￥0.6415
50+
￥0.5071
150+
￥0.4399
1000+
￥0.3895

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型号：MGR1W-22M±5%-6T63 编号：C2843055

封装：插件,D4.5xL11mm

品牌：VO(翔胜)

特性：高品质,不燃性结构涂装。耐热,耐湿,过负载稳定性良好。标准误差:±5%、±2%、±1%。可供散装、编带26mm、52mm、63mm、73mm、93mm、成型、剪脚。阻抗范围高 (0.1Ω 51MΩ)

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5+
￥0.6543
50+
￥0.5276
150+
￥0.4642

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型号：CD4073BMT/TR 编号：C22396886

封装：TSSOP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

特性：提供系统直接实现与功能，并补充现有的CMOS门系列。中速运行-Tₚₗₕ、Tₚₕₗ = 60ns（典型值），VDD = 10V。 100%测试20V时的静态电流。全封装温度范围内，18V时最大输入电流为1μA，18V和25℃时为100nA。噪声容限（全封装温度范围）：VDD = 5V时为1V，VDD = 10V时为2V，VDD = 15V时为2.5V。标准化、对称输出特性，5V、10V和15V参数额定值。符合JEDEC暂行标准No.13B标准规格

5+
￥0.8706
50+
￥0.6882
150+
￥0.597
500+
￥0.5286
2500+
￥0.4739
5000+
￥0.4465

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型号：SL44E-3 编号：C5122582

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

SL44E单极霍尔效应开关，采用双极半导体(Bipolar)工艺设计，包括霍尔电压发生器，可在3.8至40V的电源电压下工作的稳压器，温度补偿电路，小信号放大器，施密特触发器和集电极开路输出。该传感器设计用于南极响应。当磁通密度（B）大于工作点Bop时，输出以低电平，输出保持不变，直到磁通量(B)小于释放点Brp时，输出以高电平。44E提供了多种封装，包括TO92S，SOT23-3L，且包装均符合RoHS。

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5+
￥0.8719
50+
￥0.6943
150+
￥0.6055
500+
￥0.5389
3000+
￥0.4614
6000+
￥0.4348

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型号：CD4078BM/TR 编号：C3007969

封装：SOP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

CD4078B 或非/或门为系统设计人员提供了直接实现正逻辑 8 输入或非和或功能的方法，并对现有的 CMOS 门系列进行了补充。CD4078B 型号采用 14 引脚双列直插式塑料封装（后缀为 N）、14 引脚小外形封装（后缀为 M）和 14 引脚薄型收缩小外形封装（后缀为 MT）。

数据手册

5+
￥1.0041
50+
￥0.8025
150+
￥0.7161
500+
￥0.6083
2500+
￥0.545
5000+
￥0.5161

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