半桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2110S-MNS 编号：C47967293

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

1+
￥4.09
10+
￥3.31
30+
￥2.92
100+
￥2.54
500+
￥2.31
1000+
￥2.19

有货

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型号：TF2110M-TR 编号：C5804624

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥4.221 ￥4.69
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￥3.789 ￥4.21
30+
￥3.546 ￥3.94
100+
￥3.285 ￥3.65
500+
￥3.159 ￥3.51
1000+
￥3.105 ￥3.45

有货

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型号：IRS2113STRPBF-JSM 编号：C5804617

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.151 ￥6.06
10+
￥4.6665 ￥5.49
30+
￥4.403 ￥5.18
100+
￥4.097 ￥4.82
500+
￥3.9695 ￥4.67
1000+
￥3.91 ￥4.6

有货

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型号：L6386ED013TR 编号：C2653797

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

数据手册

1+
￥5.6573 ￥15.29
10+
￥3.9312 ￥14.56
30+
￥2.4021 ￥14.13
100+
￥2.329 ￥13.7
500+
￥2.2933 ￥13.49
1000+
￥2.278 ￥13.4

有货

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型号：IR2183STRPBF-JSM 编号：C17701720

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.282 ￥6.98
10+
￥5.148 ￥5.72
30+
￥4.518 ￥5.02
100+
￥3.816 ￥4.24
500+
￥3.51 ￥3.9
1000+
￥3.366 ￥3.74

有货

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型号：IRS21864STRPBF-JSM 编号：C7498989

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.4685 ￥7.61
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￥5.3125 ￥6.25
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￥4.675 ￥5.5
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￥3.961 ￥4.66
500+
￥3.6465 ￥4.29
1000+
￥3.502 ￥4.12

有货

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型号：FAN7383MX 编号：C890850

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V（典型值），当VBS = 15V时。

数据手册

1+
￥6.54
10+
￥5.86
30+
￥5.49
100+
￥5.07
500+
￥4.88
1000+
￥4.79

有货

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型号：TF2181M-TAH 编号：C2885961

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥7.48 ￥8.5
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￥6.2744 ￥7.13
30+
￥5.6144 ￥6.38
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￥4.3032 ￥4.89
500+
￥3.9688 ￥4.51
1000+
￥3.8192 ￥4.34

有货

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型号：NSD1624-DSPR 编号：C5290345

封装：SOP-8_150mil

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1624是一款高压高低侧栅极驱动器，能够提供4A的灌电流和拉电流，以驱动功率MOSFET或IGBT。高端部分采用创新且成熟的隔离技术，设计可承受超过1200V的直流电压。NSD1624具备同类产品中最佳的传播延迟、低静态电流，以及SW引脚具有高负向和dv/dt抗扰度

1+
￥7.49
10+
￥5.91
30+
￥5.13
100+
￥4.35
500+
￥3.88
1000+
￥3.64

有货

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型号：IR2111STRPBF 编号：C520630

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

数据手册

1+
￥7.5409 ￥10.33
10+
￥5.4054 ￥8.58
30+
￥4.0386 ￥7.62
100+
￥3.4609 ￥6.53
500+
￥2.8196 ￥5.32
1000+
￥2.703 ￥5.1

有货

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型号：IR2102STRPBF 编号：C152687

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥8.76
10+
￥7.17
30+
￥6.3
100+
￥5.32
500+
￥4.88

有货

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型号：2EDF7275FXUMA1 编号：C2677065

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

数据手册

1+
￥12.23
10+
￥10.46
30+
￥9.36
100+
￥8.23

有货

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型号：LM5105SD/NOPB 编号：C86253

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥15.1
10+
￥12.71
30+
￥11.22

有货

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型号：FAN73912MX 编号：C899115

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912 是一款单片半桥门极驱动器集成电路，适用于最高在 +1200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT 的高压和高速驱动。HIN 的高级输入滤波器针对干扰导致的短脉冲输入信号提供保护。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和接收 2 A 和 3 A。

数据手册

1+
￥16
10+
￥13.45
30+
￥11.85
100+
￥10.21
500+
￥9.48
1000+
￥9.16

有货

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型号：1ED3122MC12HXUMA1 编号：C17379449

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

1+
￥17.28
10+
￥14.57
30+
￥12.87
100+
￥11.13

有货

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型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.4916
50+
￥1.3026
150+
￥1.2216
500+
￥1.1205
2500+
￥1.0755

有货

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型号：DOS2103 编号：C52140043

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

5+
￥1.7325
50+
￥1.3696
150+
￥1.2141
500+
￥1.02
2500+
￥0.9336

有货

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型号：NSG2153D 编号：C46473165

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥2.56
10+
￥2.25
30+
￥2.12
100+
￥1.95
500+
￥1.87
1000+
￥1.83

有货

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型号：NCP5106BDR2G-JSM 编号：C44606283

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

NCP5106B是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.78
10+
￥2.18
30+
￥1.92
100+
￥1.6

有货

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型号：NCP3420DR2G 编号：C154600

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3420 是一款经优化的单相 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。高压侧和低压侧驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 30 ns，转换时间为 20 ns。在较宽的运行电压范围内，可以优化高压侧或低压侧 MOSFET 门极驱动电压，以实现最佳能效。内部自适应非重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通来减少开关损耗。通过对输出禁用引脚施加低逻辑电平，可以将两个门极输出驱动为低电平。欠压锁定功能可确保当电源电压较低时，两个驱动器输出都为低电平，而高温关断功能可为集成电路提供超温保护。

数据手册

1+
￥3.45
10+
￥2.71
30+
￥2.39
100+
￥1.99
500+
￥1.81

有货

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型号：TF2011M-TAH 编号：C5372145

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

中压200V, 高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.68
10+
￥3.28
30+
￥3.09
100+
￥2.89
500+
￥2.77

有货

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型号：M81740FP-JSM 编号：C44606287

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

M81740FP是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

1+
￥3.93
10+
￥3.48
30+
￥3.26
100+
￥3.03

有货

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型号：IRS2008STRPBF-JSM 编号：C18194972

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥4 ￥5
10+
￥3.24 ￥4.05
30+
￥2.856 ￥3.57
100+
￥2.48 ￥3.1
500+
￥2.256 ￥2.82
1000+
￥2.136 ￥2.67

有货

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型号：IRS2308STRPBF-JSM 编号：C18194985

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS2308S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

1+
￥4.28
10+
￥3.41
30+
￥2.98
100+
￥2.55

有货

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型号：IR2113-MNS 编号：C47967296

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

1+
￥5
10+
￥4.05
25+
￥3.57
100+
￥3.1
500+
￥2.82
1000+
￥2.67

有货

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型号：TFB0504-NHP 编号：C7436033

封装：TDFN-10

品牌：TFSS(德律风根)

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.26
10+
￥4.27
30+
￥3.77
100+
￥3.28

有货

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型号：FAN7392MX-MNS 编号：C47967295

封装：SOP-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392MX 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。

1+
￥6.2605 ￥6.59
10+
￥5.073 ￥5.34
30+
￥4.4745 ￥4.71
100+
￥3.8855 ￥4.09
500+
￥3.534 ￥3.72
1000+
￥3.344 ￥3.52

有货

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型号：FAN7385MX-JSM 编号：C19673773

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

750V，双通道高侧驱动器电机驱动

1+
￥6.632 ￥8.29
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￥6.128 ￥7.66
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￥5.816 ￥7.27
100+
￥4.696 ￥5.87
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￥4.544 ￥5.68
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￥4.48 ￥5.6

有货

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型号：LM5109AMAX/NOPB 编号：C129332

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥7.19
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￥6.08
30+
￥5.46
100+
￥4.77
500+
￥4.18

有货

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型号：UCC27282DRMR 编号：C6902719

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282是一款坚固耐用的N沟道MOSFET驱动器，其开关节点（HS）的最大额定电压为100 V。它允许以半桥或同步降压配置为基础的拓扑结构来控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流，以及低上拉和下拉电阻，使得UCC27282能够在MOSFET米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET

1+
￥8.63
10+
￥7.71
30+
￥6.84

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