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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动芯片
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UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器
数据手册
  • 1+

    ¥4.23
  • 10+

    ¥3.17
  • 30+

    ¥2.79
  • 100+

    ¥2.4
  • 500+

    ¥2.17
  • 有货
  • U3115D/U3116D可在高达+350V的电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
    • 5+

      ¥0.6162
    • 50+

      ¥0.6018
    • 150+

      ¥0.5922
    • 500+

      ¥0.5826
  • 有货
  • GR3115是一款高性价比的半桥栅极驱动专用芯片,设计用于高压、高速驱动N型大功率MOS管、IGBT管。内置欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作,提高效率。内置防止直通功能和死区时间,防止功率管发生直通,有效保护功率器件。广泛应用于无刷电机的控制器电路中。
    • 5+

      ¥0.7851
    • 50+

      ¥0.607
    • 150+

      ¥0.518
    • 500+

      ¥0.4512
    • 2500+

      ¥0.3978
    • 4000+

      ¥0.371
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2123
    • 50+

      ¥0.9603
    • 150+

      ¥0.8523
    • 500+

      ¥0.7175
    • 2500+

      ¥0.6575
  • 有货
  • 集成自举二极管,电机驱动,专业高速吹风筒驱动
    • 1+

      ¥1.411 ¥1.66
    • 10+

      ¥1.2325 ¥1.45
    • 30+

      ¥1.156 ¥1.36
    • 100+

      ¥1.0625 ¥1.25
    • 500+

      ¥1.02 ¥1.2
    • 1000+

      ¥0.9945 ¥1.17
  • 有货
  • SL2103是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥1.488 ¥1.86
    • 10+

      ¥1.304 ¥1.63
    • 30+

      ¥1.224 ¥1.53
    • 100+

      ¥1.12 ¥1.4
    • 500+

      ¥1.072 ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.048 ¥1.31
  • 有货
  • IRS2005STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁互补金属氧化物半导体(CMOS)技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基晶体管 - 晶体管逻辑(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 5+

      ¥1.6218
    • 50+

      ¥1.2713
    • 150+

      ¥1.121
    • 500+

      ¥0.9336
    • 2500+

      ¥0.8501
    • 5000+

      ¥0.8
  • 有货
  • EG12522是一款高性价比的双管正激专用半桥驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路,专用于双管正激电源场合。
    • 5+

      ¥1.7325
    • 50+

      ¥1.3696
    • 150+

      ¥1.2141
    • 500+

      ¥1.02
    • 2500+

      ¥0.9336
  • 有货
  • U3216S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片,具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路,具备大电流脉冲输出能力,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出电流能力最大可达4A,其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。
    • 1+

      ¥1.79
    • 10+

      ¥1.74
    • 30+

      ¥1.71
  • 有货
  • SL2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备相互独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.63
    • 30+

      ¥1.53
    • 100+

      ¥1.4
    • 500+

      ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • 单向桥高低侧同向,高电压 LM5109B是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 LM5109B采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。
    • 1+

      ¥2.0145 ¥2.37
    • 10+

      ¥1.7255 ¥2.03
    • 30+

      ¥1.6065 ¥1.89
    • 100+

      ¥1.4535 ¥1.71
    • 500+

      ¥1.3855 ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.343 ¥1.58
  • 有货
  • EG2203是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。
    • 5+

      ¥2.1656
    • 50+

      ¥1.712
    • 150+

      ¥1.5176
    • 500+

      ¥1.275
    • 2500+

      ¥1.167
  • 有货
  • 高压、高速功率MOSFET驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。其采用专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术,实现了坚固耐用的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,最低可至3.3V
    • 1+

      ¥2.65
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥1.86
    • 100+

      ¥1.56
    • 500+

      ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.35
  • 有货
  • LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.01434
    • 10+

      ¥1.97961
    • 15+

      ¥1.94488
    IR2113S-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片,栅极驱动电范围 10V-20V
    • 1+

      ¥4.09
    • 10+

      ¥3.31
    • 30+

      ¥2.92
    • 100+

      ¥2.54
    • 500+

      ¥2.31
    • 1000+

      ¥2.19
  • 有货
  • 高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥4.1
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥3.01
    • 100+

      ¥2.4
  • 有货
  • 栅极驱动IC@@驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~25V 峰值灌电流:4.0A 峰值拉电流:4.0A 700V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V 带SD功能
    • 1+

      ¥5.1255 ¥6.03
    • 10+

      ¥4.6155 ¥5.43
    • 30+

      ¥4.335 ¥5.1
    • 100+

      ¥4.0205 ¥4.73
    • 500+

      ¥3.876 ¥4.56
    • 1000+

      ¥3.808 ¥4.48
  • 有货
  • 单相驱动,带SD功能 半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥5.384 ¥6.73
    • 10+

      ¥4.456 ¥5.57
    • 30+

      ¥3.952 ¥4.94
    • 100+

      ¥3.384 ¥4.23
    • 500+

      ¥3.128 ¥3.91
    • 1000+

      ¥3.008 ¥3.76
  • 有货
  • 高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥5.99
    • 10+

      ¥5.42
    • 30+

      ¥5.11
    • 100+

      ¥4.57
    • 500+

      ¥4.41
  • 有货
  • FAN7384是单片半桥栅极驱动IC,设计用于高压、高速驱动MOSFET和IGBT,工作电压高达 +600V。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路使高侧栅极驱动器能承受高达VS = -9.8V(典型值)的偏置电压,在VBS = 15V时。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.91
    • 10+

      ¥7.12
    • 30+

      ¥6.63
    • 100+

      ¥6.13
    • 500+

      ¥5.9
    • 1000+

      ¥5.8
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.64
    • 10+

      ¥8
    • 30+

      ¥7.09
    • 100+

      ¥5.51
    • 500+

      ¥5.05
    • 1000+

      ¥4.85
  • 有货
  • LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥17.87
    • 10+

      ¥15.15
    • 30+

      ¥13.44
    • 100+

      ¥11.7
  • 有货
  • LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET
    数据手册
    • 1+

      ¥108.4
    • 10+

      ¥103.64
    • 30+

      ¥95.4
  • 有货
  • U3115S/U3116S可在高达+300V电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,支持低至3.3V的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8424
    • 50+

      ¥0.7218
    • 150+

      ¥0.67
    • 500+

      ¥0.5905
  • 有货
  • U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
    • 5+

      ¥1.0061
    • 50+

      ¥0.7799
    • 150+

      ¥0.683
    • 500+

      ¥0.562
    • 2500+

      ¥0.5081
  • 有货
  • U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
    • 5+

      ¥1.1776
    • 50+

      ¥0.9268
    • 150+

      ¥0.8194
    • 500+

      ¥0.6853
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2123
    • 50+

      ¥0.9603
    • 150+

      ¥0.8523
    • 500+

      ¥0.7175
    • 2500+

      ¥0.6575
  • 有货
  • EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4241
    • 50+

      ¥1.2351
    • 150+

      ¥1.1541
    • 500+

      ¥1.08
  • 有货
  • EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10+/-0.5/1.0A,采用SOP8封装。
    • 5+

      ¥1.4916
    • 50+

      ¥1.3026
    • 150+

      ¥1.2216
    • 500+

      ¥1.1205
    • 2500+

      ¥1.0755
  • 有货
  • IR2101S是一款半桥前级驱动IC,能够驱动一对功率器件(IGBT/N-MOSFET)。适用于具有外部自举二极管的典型自举架构。具备UVLO(欠压锁定)和交叉导通防护功能。
    • 5+

      ¥2.28 ¥2.4
    • 50+

      ¥1.7955 ¥1.89
    • 150+

      ¥1.596 ¥1.68
    • 500+

      ¥1.3395 ¥1.41
    • 3000+

      ¥1.2255 ¥1.29
    • 6000+

      ¥1.1495 ¥1.21
  • 有货
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