半桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

NCV7723B是一款具备保护功能的六通道半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

数据手册

1+
￥22.66
10+
￥19.56
30+
￥17.71
100+
￥15.15
500+
￥14.29
1000+
￥13.9

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型号：BDR6300 编号：C5349299

封装：SOP-16

品牌：巴丁微

是一款三相直流无刷驱动芯片。可直接驱动三路 NMOS + PMOS 半桥，电路内部集成了稳定的 5V 输出电源。

数据手册

5+
￥0.7716
50+
￥0.5998
150+
￥0.5139
500+
￥0.4495
2500+
￥0.4051

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型号：U2115D 编号：C41374692

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2115D/U2116D可在高达+200V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，可将驱动器的交叉导通降至最低

5+
￥0.8281
50+
￥0.7231
150+
￥0.6781
500+
￥0.622

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型号：FD2103S 编号：C5187182

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2103C&S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。

数据手册

5+
￥1.0125
50+
￥0.7678
150+
￥0.6454
500+
￥0.5536

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型号：U2115C 编号：C41374691

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2115C/U2116C可在高达+200V的电压下完全工作，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥1.1608
50+
￥0.9088
150+
￥0.8008

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型号：GHD1620T 编号：C53153131

封装：SOP-8

品牌：Geehy(极海半导体)

600耐压，集成自举二极管，单相2N栅极驱动器

5+
￥1.2123
50+
￥0.9603
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￥0.8523
500+
￥0.7175

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型号：EG27710 编号：C20416243

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG27710是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG27710高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211

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型号：NCP81062MNTWG 编号：C154581

封装：DFN-8(3x3)

NCP81062 是一款高性能 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测特性即使在轻型负载条件下可能实现一个高能效方案。预 OVP 特性有助于在高压侧 FET 发生短路时保护负载。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到预 OVP 或 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

数据手册

1+
￥1.564 ￥2.3
10+
￥1.1716 ￥2.02
30+
￥0.912 ￥1.9
100+
￥0.8448 ￥1.76
500+
￥0.8112 ￥1.69
1000+
￥0.792 ￥1.65

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型号：SS6209L-SO-TP 编号：C5370900

封装：SOP-8

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

数据手册

5+
￥1.7487
50+
￥1.3707
150+
￥1.2087
500+
￥1.0066
2500+
￥0.9166
4000+
￥0.8625

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型号：HL6288Q 编号：C50331902

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HL(富海微)

耐压最高250V，输出驱动电流1.5A/1.8A，内置 200ns 死区时间，带上下电保护、欠压保护，QFN-24

5+
￥1.917
50+
￥1.5138
150+
￥1.341
500+
￥1.1254
2500+
￥1.0054
6000+
￥0.9477

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型号：EG2104D 编号：C20416233

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104D是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104D高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V-25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

5+
￥2.0174
50+
￥1.5638
150+
￥1.3694
500+
￥1.1269

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型号：IRS2003STRPBF-JSM 编号：C7432831

封装：SOP-8

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

5+
￥2.0268 ￥2.252
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￥1.58292 ￥1.7588
150+
￥1.39275 ￥1.5475
500+
￥1.15542 ￥1.2838
2500+
￥1.04976 ￥1.1664
4000+
￥0.98631 ￥1.0959

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型号：SFD2606S 编号：C44606284

封装：SOP-8

SFD2606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SFD2606S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥2.0714
50+
￥1.6178
150+
￥1.4234
500+
￥1.1809

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型号：SL2004 编号：C20539710

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥2.104 ￥2.63
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￥1.656 ￥2.07
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￥1.464 ￥1.83
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￥1.216 ￥1.52
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￥1.112 ￥1.39
1000+
￥1.048 ￥1.31

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型号：SDH2103U 编号：C44606285

封装：SOP-8

SDH2103U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2103U采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.78
10+
￥2.18
30+
￥1.92
100+
￥1.6

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型号：SDH2106U 编号：C44606232

封装：SOP-8

SDH2106U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.78
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￥2.18
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￥1.92
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￥1.6

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型号：NCP81155MNTXG 编号：C173765

封装：DFN-8-EP(3x3)

NCP81155 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动降压或降压-升压应用中的高压侧和低压侧电源 MOSFET。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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1+
￥3.32
10+
￥2.64
30+
￥2.35
100+
￥1.98

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型号：IRS2004STRPBF 编号：C78066

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥3.99
10+
￥3.3
30+
￥2.95
100+
￥2.61
500+
￥2.12

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型号：TF2366M-TGH 编号：C5155307

封装：SOIC-20

高压500V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥4.76
10+
￥4.31
30+
￥4.06
100+
￥3.79

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型号：TFB0503-NHP 编号：C7436032

封装：TDFN-10

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥4.81
10+
￥3.9
30+
￥3.45
100+
￥3

有货

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型号：IR2110-MNS 编号：C47967292

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

1+
￥5
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￥4.05
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￥3.57
100+
￥3.1
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￥2.82
1000+
￥2.67

有货

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型号：TFB0527-NHP 编号：C7436034

封装：TDFN-10

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.49
10+
￥4.46
30+
￥3.94
100+
￥3.42

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型号：TF21814M-TUH 编号：C42441425

封装：SOIC-14

驱动配置：高低边电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相600V, 高速栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.59
10+
￥5.05
30+
￥4.75
100+
￥4.41

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型号：IR21814STRPBF-JSM 编号：C7498987

封装：SOP-14

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.552 ￥8.19
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￥5.4 ￥6.75
30+
￥4.768 ￥5.96
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￥4.048 ￥5.06
500+
￥3.728 ￥4.66
1000+
￥3.584 ￥4.48

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型号：IR2108STRPBF 编号：C2964

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥6.74
10+
￥5.64
30+
￥5.04
100+
￥4.36

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型号：NCV57200DR2G 编号：C904655

封装：SOIC-8