半桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27211ADRMR 编号：C1848363

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

数据手册

1+
￥11.31
10+
￥9.56
30+
￥8.6
100+
￥7.22
500+
￥6.74

有货

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型号：DRV8770RGER 编号：C3655708

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8770 100V H 桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥13.15
10+
￥11.68
30+
￥10.63
100+
￥9.68
500+
￥9.24

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型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

1+
￥29.82
10+
￥25.8
30+
￥23.41
100+
￥19.5
500+
￥18.38
1000+
￥17.88

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型号：LM5101CSD/NOPB 编号：C1880281

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5101C 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥31.26
10+
￥26.74
30+
￥24.06
100+
￥21.35

有货

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型号：DO6288Q 编号：C42386238

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

1+
￥1.81
10+
￥1.58
30+
￥1.47
100+
￥1.35
500+
￥1.29
1000+
￥1.26

有货

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型号：U2181C 编号：C41374696

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2181C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的直通导通

1+
￥1.83
10+
￥1.6
30+
￥1.5
100+
￥1.37
500+
￥1.32
1000+
￥1.29

有货

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型号：HG6288LQ/TR 编号：C49518603

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

1+
￥3.41
10+
￥2.76
30+
￥2.44
100+
￥2.12
500+
￥1.92
1000+
￥1.83

有货

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型号：DRV8300NLQ/TR 编号：C50345924

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

1+
￥3.44
10+
￥2.79
30+
￥2.47
100+
￥2.14
500+
￥1.95
1000+
￥1.85

有货

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型号：IR25602STRPBF 编号：C537635

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥3.84
10+
￥3.11
30+
￥2.74
100+
￥2.38
500+
￥2.16
1000+
￥2.05

有货

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型号：TF2388M-TGH 编号：C2836240

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥5.5
10+
￥4.96
30+
￥4.66
100+
￥4.33
500+
￥4.18

有货

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型号：TPS28225DR 编号：C52897

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥5.64
10+
￥4.52
30+
￥3.96
100+
￥3.41
500+
￥3.08
1000+
￥2.91

有货

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型号：TF2184M-TAH 编号：C2917160

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

负载类型:MOSFET/IGBT,是否隔离:非隔离,电源电压:10V-20V,峰值灌电流:1.9A,峰值拉电流:2.3A,上升时间:40ns,下降时间:20ns,特性:半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱,工作温度:-40°C to +125°C

数据手册

1+
￥6.26
10+
￥5.69
30+
￥5.37
100+
￥5.02
500+
￥4.13

有货

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型号：TF23892M-TLH 编号：C2958769

封装：SOIC-28

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥7.03
10+
￥6.43
30+
￥6.1
100+
￥5.05
500+
￥4.89

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型号：FAN73892MX-JSM 编号：C7498950

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

1+
￥7.8285 ￥9.21
10+
￥6.4515 ￥7.59
30+
￥5.695 ￥6.7
100+
￥4.8365 ￥5.69
500+
￥4.4625 ￥5.25
1000+
￥4.284 ￥5.04

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型号：AGD8136A-JSM 编号：C7498993

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

1+
￥8.424 ￥9.36
10+
￥6.966 ￥7.74
30+
￥6.165 ￥6.85
100+
￥5.265 ￥5.85
500+
￥4.86 ￥5.4
1000+
￥4.68 ￥5.2

有货

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型号：TF21364M-TR 编号：C17701729

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

1+
￥9.18 ￥10.8
10+
￥7.7435 ￥9.11
30+
￥6.851 ￥8.06
100+
￥5.933 ￥6.98
500+
￥5.5165 ￥6.49
1000+
￥5.338 ￥6.28

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型号：DRV8328ARUYR 编号：C3681415

封装：WQFN-28(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥11.63
10+
￥10.35
30+
￥9.45
100+
￥8.63
500+
￥8.25

有货

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型号：NCP5183DR2G 编号：C904511

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

数据手册

1+
￥13.54
10+
￥11.6
30+
￥10.38
100+
￥7.78
500+
￥7.21
1000+
￥6.97

有货

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型号：LMG1210RVRR 编号：C2677136

封装：WQFN-19-EP(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥19.98
10+
￥17.65
30+
￥16.47

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型号：BTN9960LVAUMA1 编号：C22401721

封装：HSOF-7

品牌：Infineon(英飞凌)

BTN9960LV是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它是MOTIX单半桥产品家族的一员，该产品家族将一个p沟道高端MOSFET和一个n沟道低端MOSFET与一个集成驱动IC封装在一起。由于采用了p沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EME）降至最低

1+
￥27.92
10+
￥23.68
30+
￥21.17
100+
￥18.62

有货

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型号：XJNG2102 编号：C2940736

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

数据手册

5+
￥0.8253
50+
￥0.6381
150+
￥0.5445
500+
￥0.4743
2500+
￥0.4181
4000+
￥0.39

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型号：UCC27710DR(UMW) 编号：C29780640

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27710 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

1+
￥1.86
10+
￥1.62
30+
￥1.52
100+
￥1.4
500+
￥1.34
1000+
￥1.3

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型号：EG2106D 编号：C2904138

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106D是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。EG2106D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO(+/-) 0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥2.0084
50+
￥1.5548
150+
￥1.3604
500+
￥1.1179
2500+
￥1.0999
4000+
￥1.035

有货

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型号：FD2203S 编号：C97684

封装：SO-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2203S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET，可在高达 +250V 电压下工作。内置欠压（UVLO）保护功能防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

数据手册

5+
￥2.2722
50+
￥1.7139
150+
￥1.4746
500+
￥1.1761

有货

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型号：DGD21904MS14-13 编号：C526567

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD21904M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

数据手册

1+
￥3.13
10+
￥2.4
30+
￥2.04
100+
￥1.68
500+
￥1.47
1000+
￥1.35

有货

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型号：EG1168 编号：C20416230

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG1168是一款高性价比的多功能半桥及推挽电源专用驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、两路对称半桥及推挽PWM输出、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合数字半桥电源、数字推挽电源等场合使用。 EG1168高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V，VCC静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道PWMIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

1+
￥3.38
10+
￥2.98
30+
￥2.78
100+
￥2.57
500+
￥2.45
1000+
￥2.39

有货

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型号：EG2183Q 编号：C48580026

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

1+
￥3.47
10+
￥2.74
30+
￥2.43
100+
￥2.04
500+
￥1.87
1000+
￥1.77

有货

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型号：DOS2181 编号：C52140036

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

700V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

1+
￥3.59
10+
￥2.91
30+
￥2.57
100+
￥2.23
500+
￥2.03
1000+
￥1.92

有货

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型号：EG21364 编号：C20416235

封装：SOP-28

品牌：EG(屹晶微)

EG21364是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

1+
￥4.06
10+
￥3.57
30+
￥3.33
100+
￥3.09
500+
￥2.94
1500+
￥2.87

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型号：FD6287T 编号：C2688380

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6287T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达 +250V 电压下工作。FD6287T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD6287T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。FD6287T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

1+
￥4.47
10+
￥3.53
30+
￥3.06
100+
￥2.6
500+
￥2.32
1000+
￥2.17

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