半桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27714DR 编号：C473332

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

UCC27714 高速、4A、600V 高侧/低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥8.76
10+
￥7.37
30+
￥6.61
100+
￥5.75
500+
￥5.37
1000+
￥5.2

有货

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型号：IFX007TAUMA1 编号：C6968485

封装：TO-263-7-1

品牌：Infineon(英飞凌)

IFX007T是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它属于工业及多用途NovalithIC™系列产品，该系列产品在一个封装内集成了一个p沟道高端MOSFET、一个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EMI）降至最低

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￥22.37
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￥19.03
30+
￥17.05
100+
￥15.04
500+
￥14.12

有货

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型号：SLM2104SCA-13GTR 编号：C461470

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

数据手册

5+
￥1.6836
50+
￥1.3459
150+
￥1.2012

有货

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型号：U3215C 编号：C20626026

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

1+
￥3.2
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￥2.49
30+
￥2.19
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￥1.81
500+
￥1.65
1000+
￥1.54

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型号：DGD2304S8-13-JSM 编号：C17701714

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 DGD2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥3.924 ￥4.36
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￥3.141 ￥3.49
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￥2.754 ￥3.06
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￥2.367 ￥2.63
500+
￥2.142 ￥2.38
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￥2.016 ￥2.24

有货

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型号：NCP5111DR2G-JSM 编号：C7498967

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

1+
￥3.996 ￥4.44
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￥3.213 ￥3.57
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￥2.826 ￥3.14
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￥2.439 ￥2.71
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￥2.214 ￥2.46
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￥2.088 ￥2.32

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型号：IRS21867STRPBF-JSM 编号：C7432820

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

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￥4.369 ￥5.14
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￥3.57 ￥4.2
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￥3.179 ￥3.74
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￥2.7795 ￥3.27
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￥2.55 ￥3
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￥2.431 ￥2.86

有货

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型号：FAN7391MX-JSM 编号：C7498991

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.136 ￥6.42
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￥4.632 ￥5.79
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￥4.36 ￥5.45
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￥4.04 ￥5.05
500+
￥3.904 ￥4.88
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￥3.84 ￥4.8

有货

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型号：6EDL04I06PT-JSM 编号：C17701726

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥5.16 ￥6.45
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￥4.168 ￥5.21
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￥3.68 ￥4.6
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￥3.088 ￥3.86
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￥2.8 ￥3.5
1000+
￥2.648 ￥3.31

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型号：IR2106STRPBF 编号：C386354

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

数据手册

1+
￥5.52
10+
￥4.48
30+
￥3.96
100+
￥3.44
500+
￥3.13
1000+
￥2.97

有货

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型号：1EDB7275F 编号：C530935

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC系列，旨在驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供隔离。具有严格的时序规格，专为快速开关中高功率系统而设计。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的理想替代品。

1+
￥11.47
10+
￥9.75
30+
￥8.67
100+
￥7.56
500+
￥7.06
1000+
￥6.85

有货

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型号：1ED3124MU12HXUMA1 编号：C5353840

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

数据手册

1+
￥17.73
10+
￥14.87
30+
￥13.07
100+
￥11.24
500+
￥10.41

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型号：1ED3321MC12NXUMA1 编号：C17453854

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器

1+
￥23.93
10+
￥20.31
30+
￥18.16
100+
￥15.98
500+
￥14.98

有货

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型号：DRV8305NQPHPRQ1 编号：C701780

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

数据手册

1+
￥24.62
10+
￥21.3
30+
￥19.45
100+
￥17.46
500+
￥16.54

有货

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型号：KP85302SGA 编号：C17701717

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

5+
￥0.51471 ￥0.5418
50+
￥0.452485 ￥0.4763
150+
￥0.421325 ￥0.4435
500+
￥0.397955 ￥0.4189
2500+
￥0.379335 ￥0.3993
4000+
￥0.370025 ￥0.3895

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型号：GR2103 编号：C18164496

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

半桥驱动 GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

5+
￥0.7642
50+
￥0.6202
150+
￥0.5482
500+
￥0.4942
2500+
￥0.451
4000+
￥0.4293

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型号：BDR2L00 编号：C5371998

封装：DFN-8

品牌：巴丁微

是一款驱动双NMOS的栅极驱动器，工作电压范围宽，内部集成自适应死区控制电路，具有欠压保护功能。

数据手册

5+
￥0.8727
50+
￥0.6711
150+
￥0.5847
500+
￥0.4769
2500+
￥0.4689
4000+
￥0.44

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型号：SLM27211CB-DG 编号：C5374696

封装：SOP-8-EP

品牌：Sillumin(数明半导体)

120V高低边驱动，不带互锁，VDD：8-17V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA,MT:30ns

1+
￥3.75
10+
￥3.01
30+
￥2.63
100+
￥2.26
500+
￥2.09
1000+
￥1.97

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型号：LM5106SDX/NOPB 编号：C544463

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥4.45
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￥3.99
30+
￥3.74
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￥3.46
500+
￥3.33
1000+
￥3.27

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型号：IRS2104STRPBF 编号：C151525

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2104是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥5.04
10+
￥4.19
30+
￥3.76
100+
￥3.34
500+
￥2.46
1000+
￥2.34

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型号：HT33153ARZ 编号：C5241940

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT33153专为高功率应用的IGBT驱动器而设计，这些应用包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。尽管该器件专为驱动分立和模块式IGBT而设计，但它也为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括可选择的退饱和或过流检测以及欠压检测

数据手册

1+
￥5.29
10+
￥4.38
30+
￥3.93
100+
￥3.48
500+
￥3.21
1000+
￥3.07

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型号：TF21844M-TUH 编号：C2981475

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥6.706 ￥9.58
10+
￥6.139 ￥8.77
30+
￥5.782 ￥8.26
100+
￥5.411 ￥7.73
500+
￥5.25 ￥7.5
1000+
￥5.173 ￥7.39

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型号：IR2153PBF 编号：C2983

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

半桥驱动集成电路，可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。

数据手册

1+
￥6.72
10+
￥5.68
50+
￥5.16
100+
￥4.64
500+
￥4.33
1000+
￥4.18

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型号：GBI7A54SMAR 编号：C28324637

封装：ESOP-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

1+
￥6.77
10+
￥5.6
30+
￥4.96
100+
￥4.23
500+
￥3.91
1000+
￥3.76

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型号：L6387ED013TR 编号：C234211

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

数据手册

1+
￥8.14
10+
￥6.73
30+
￥5.95
100+
￥5.08
500+
￥4.69
1000+
￥4.51

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型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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