半桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MP18851-A4BGY-Z 编号：C20099539

封装：SOIC-16

品牌：MPS(芯源)

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￥28.1974
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￥22.4535

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型号：MPQ1922GV-AEC1-Z 编号：C5799716

封装：QFN-22(4x5)

品牌：MPS(芯源)

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型号：LTC7060HMSE#PBF 编号：C690112

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：LCS700LG 编号：C568297

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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￥34.6962 ￥45.06
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型号：2ED1324S12PXUMA1 编号：C20189643

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED132x系列器件可控制IGBT或SiC MOSFET功率器件，在半桥配置中，其最大阻断电压为+1200 V。该器件对瞬态电压具有出色的耐受性，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在整个工作温度和电压范围内，该设计对寄生闩锁效应具有很强的抵抗力

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型号：MIC4102YM-TR 编号：C628004

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款高频100V半桥MOSFET驱动IC，具有内部抗直通保护功能。低侧和高侧栅极驱动器由一个输入信号控制。采用自适应抗直通电路，优化开关转换以实现最高效率。单输入控制降低了系统复杂性，简化了整体设计。还具有低侧驱动禁用引脚，可在非同步降压模式下工作，能在存在偏置电压的应用中启动而不会拉低输出电压。低侧和高侧电源的欠压保护会使输出为低电平。片上自举二极管消除了其他驱动IC所需的分立二极管。采用SOIC-8L封装，结工作范围为-40℃至 + 125℃。

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型号：HIP2101IBZ 编号：C1549446

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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型号：LCS700HG 编号：C568296

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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￥41.0552 ￥54.02
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型号：TLE9180D21QKXUMA1 编号：C1854987

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE9180D - 21QK和TLE9180D - 31QK是先进的栅极驱动IC，专门用于控制6个外部N沟道MOSFET，这些MOSFET构成一个逆变器，适用于汽车领域的大电流三相电机驱动应用。先进的高压技术使这些IC能够支持单电池和混合电池系统的应用，电池电压涵盖12 V、24 V和48 V。与桥路、电机和电源相关的引脚能够承受高达90 V的电压

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型号：MP86952GMJ-Z 编号：C7231751

封装：LGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

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￥43.748
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型号：DRV3256PEPAPRQ1 编号：C6935137

封装：HTQFP-64(10x10)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3256-Q1 栅极驱动峰值灌电流为 2.5A 的集成式三相 48V 汽车栅极驱动器单元 (GDU)

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型号：XJNG2302 编号：C48542889

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相栅极驱动IC，可用于驱动高端、低端或半桥配置的功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，工作电压高达200V。

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型号：IRS21867STR(UMW) 编号：C20623204

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS21867S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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型号：LM2103DR 编号：C22428474

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

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型号：GR8853AJG 编号：C436826

封装：DIP-8

品牌：Grenergy(南京绿芯)

GR8853A是一款高压、高速、自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器，具备高端和低端参考输出通道。其采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。前端配备一个可编程振荡器，类似于555定时器

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型号：NSG2110 编号：C49449774

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用宽体SOP16（W）封装，可以在 -40℃至125℃温度范围内工作。

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型号：TF2103-3AS 编号：C6387921

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IRS2302SPBF 编号：C538315

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：IRS2001STRPBF 编号：C495819

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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型号：IRS2005SPBF 编号：C1549355

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达200V。传播延迟匹配，简化了HVIC在高频应用中的使用。

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型号：INS2003FQ 编号：C49215222

封装：QFN-12(3x3)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

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型号：DRV8106HQRHBRQ1 编号：C3655393

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8106-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车类 40V 半桥智能栅极驱动器。

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型号：L6491D 编号：C155653

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

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￥9.69
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￥9.47
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型号：IRS2308SPBF 编号：C538319

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥9.69
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￥9.46
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型号：DRV8300UDPWR 编号：C7172549

封装：TSSOP-20

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300U 具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V（最大值）简单三相栅极驱动器

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￥10.78
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￥9.5
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型号：DGD2181MS8-13 编号：C5711497

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2181M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2181M的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2181M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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￥11.01
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￥10.78
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￥10.62

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型号：UCD7232RTJR 编号：C2867675

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有电流感应和故障保护功能的数字控制兼容同步降压闸极驱动器 20-QFN -40 to 125

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型号：TPS28226DRBR 编号：C2677171

封装：VSON-8-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS28226 具有 8V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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￥11.06
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型号：1ED3121MC12HXUMA1 编号：C17497486

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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￥11.25

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型号：L6386AD 编号：C1549500

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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