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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动芯片
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控制 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件,在半桥配置中最大阻断电压为 +1200V。基于 SOI 技术,在瞬态电压下具有出色的耐用性,器件中不存在寄生晶闸管结构,在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制,低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平,支持集成的超快自举二极管。此外,离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时,为晶体管提供固有的保护,防止因浮动栅极条件导致的寄生导通。
  • 1+

    ¥43.77
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    ¥37.42
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    ¥33.55
  • 有货
  • 一款先进的功率系统级封装产品,集成了半桥配置的栅极驱动器和两个增强型 GaN 晶体管。集成的功率 GaN 分别具有 225 mΩ 的导通电阻和 650 V 的漏源阻断电压,嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。具备 VCC 欠压锁定 (UVLO) 保护功能,防止功率开关在低效率或危险条件下运行,联锁功能避免交叉导通。输入引脚扩展范围允许轻松与模拟控制器、微控制器和 DSP 单元接口。工作在 -40℃ 至 125℃ 的工业温度范围。采用紧凑的 9×9 mm QFN 封装。
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      ¥43.81
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  • 有货
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      ¥46.03
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      ¥39.58
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      ¥35.66
  • 有货
  • MP86905 是一款单片半桥芯片,内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86905 在较宽的输入电源范围内可实现 50A 的连续输出电流。MP86905 采用单片 IC 方案,每相可驱动高达 50A 的电流。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感,实现了高效率。MP86905 的工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。MP86905 具备诸多特性,可简化系统设计。MP86905 可与具有三态 PWM 信号的控制器配合使用,并配备精确的电流检测功能以监测电感电流,以及温度检测功能以报告结温。MP86905 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。MP86905 采用小型 FC - QFN(4mmx4mm)封装。
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      ¥50.5477
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      ¥44.507
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      ¥41.7818
  • 有货
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      ¥55.89
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      ¥48.41
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      ¥43.85
  • 有货
  • ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器,但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A,这显著降低了开关功率损耗,并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器
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      ¥63.3
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      ¥54.52
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      ¥49.17
  • 有货
  • 高密度功率驱动器 - 高压全桥与集成式栅极驱动器
    数据手册
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      ¥97.46
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      ¥92.93
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      ¥85.07
  • 有货
  • DRV3245Q-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 1 级 12V 电池三相栅极驱动器单元
    数据手册
    • 1+

      ¥123.96
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      ¥117.97
    • 30+

      ¥107.61
  • 有货
  • TM2123 是一款具有VCC欠压保护和输入高低侧信号互锁功能的高压半桥驱动芯片,内置VCC欠压保 护电路可防止功率管工作在过低的电压下,提高效率。同时内置输入高低侧信号互锁电路可防止功率管 上下桥臂发生直通,有效保护高压功率器件。设计该芯片主要用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。适 用于电动自行车、马达驱动、电动工具等电机驱动类产品。本产品性能优良,质量可靠。
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      ¥0.8895
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      ¥0.7071
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      ¥0.6159
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      ¥0.5475
  • 有货
  • XJNG0461是一款三相高速功率MOSFET驱动器,具有6个通道,最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,每一相都具有高、低侧两个输入以及两个输出信号。逻辑兼容标准CMOS或LSTTL输出,逻辑输入电平低至3.3V。XJNG0461为PMOS和NMOS输出10V的栅-源电压,内置死区功能来避免同一相的高、低压侧PMOS和NMOS直通。
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      ¥1.0311
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      ¥0.7993
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      ¥0.6999
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      ¥0.576
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      ¥0.5208
  • 有货
  • 相同型号IMP3253ESA/T 3253是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器,形成一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT具有保护关断功能,可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外,输出脉冲的宽度保持一致,一旦VCC上电流超过开启阈值,驱动器就能以更加稳定的频率振荡。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.62
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      ¥2.35
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      ¥2.21
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      ¥1.79
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      ¥1.75
  • 有货
  • LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.76
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      ¥1.92
  • 有货
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      ¥3.58
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      ¥3.37
  • 有货
  • NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器,专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。它能够驱动高达3 nF的负载,传播延迟为25 ns,转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能操作电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案
    数据手册
    • 1+

      ¥4.16
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      ¥3.41
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      ¥3.03
  • 有货
  • DGD05463是一款高频半桥栅极驱动器,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压最高可达50V。DGD05463逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与微控制器接口
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      ¥4.29
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      ¥3.52
    • 30+

      ¥3.13
  • 有货
  • 是一款高压栅极驱动器,具有一个非隔离低端栅极驱动器和一个电流隔离高端或低端栅极驱动器。它可以在半桥配置中直接驱动两个IGBT。隔离高端驱动器可以由隔离电源供电,也可以通过自举技术从低端电源供电。高端栅极驱动器的电流隔离保证了在高达800V、高dv/dt下工作的IGBT在高功率应用中的可靠开关。优化的输出级有助于降低IGBT损耗。其特性包括两个独立输入、精确的不对称欠压锁定和短且匹配的传播延迟。工作时VDD/VBS最高可达20V。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.19
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      ¥6.04
    • 30+

      ¥5.95
    • 100+

      ¥5.86
  • 有货
  • NCV51513是一款130 V半桥驱动器,具有高驱动电流能力,适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟,静态电流低,且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制
    数据手册
    • 1+

      ¥6.47
    • 10+

      ¥6.31
    • 30+

      ¥6.21
  • 有货
  • NCD57200是一款高压栅极驱动器,具备一个非隔离型低端栅极驱动器和一个电流隔离型高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离型高端驱动器可采用隔离电源供电,也可借助自举技术由低端电源供电
    数据手册
    • 1+

      ¥7.29
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      ¥7.11
    • 30+

      ¥6.99
  • 有货
  • L6391是一款采用BCD “离线式”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端(浮动)部分设计为可承受高达600 V的电压轨
    • 1+

      ¥7.39
    • 10+

      ¥7.2
    • 30+

      ¥7.08
  • 有货
  • DGD2103M是一款高压/高速栅极驱动器,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2103M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2103M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与控制设备连接
    数据手册
    • 1+

      ¥7.44
    • 10+

      ¥6.21
    • 30+

      ¥5.54
  • 有货
  • 2ED2304S06F 是一款 650 V 半桥栅极驱动器。其英飞凌薄膜 SOI 技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在通过内置互锁逻辑实现最小的驱动器交叉导通,防止直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT,最高工作电压可达 650 V。
    • 1+

      ¥7.6
    • 10+

      ¥6.34
    • 30+

      ¥5.65
    • 100+

      ¥4.66
  • 有货
  • 半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪性,能够在VS引脚负电压高达 -11V DC(VCC = 15V)的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,其工作电压高达650V。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.38
    • 10+

      ¥9.16
    • 30+

      ¥9.02
  • 有货
  • IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.41
    • 10+

      ¥7.9
    • 30+

      ¥6.95
  • 有货
  • UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.67
    • 10+

      ¥8.02
    • 30+

      ¥7.11
  • 有货
  • 具有互锁功能的汽车类 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥9.77
    • 10+

      ¥9.54
    • 30+

      ¥9.39
  • 有货
  • 单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时,用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA,适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.82
    • 10+

      ¥9.13
    • 30+

      ¥8.08
  • 有货
  • MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器,具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出,以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间,从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通
    • 1+

      ¥10.84
    • 10+

      ¥10.59
    • 30+

      ¥10.43
  • 有货
  • 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥12.26
    • 10+

      ¥11.96
    • 30+

      ¥11.76
  • 有货
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