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LMG3411R150 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

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型号：DRV3245BQPHPRQ1 编号：C701774

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV3245Q-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 1 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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型号：IR2130JPBF 编号：C537570

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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型号：DGD0506AM10-13 编号：C460681

封装：MSOP-10

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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型号：NCP81258MNTBG 编号：C892859

封装：DFN-8-EP(2x2)

NCP81258 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采用小巧的 2 mm x 2 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测功能成就了高能效的方案，即使在轻负载条件下。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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型号：EG2134 编号：C480661

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2134是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2134高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1.2A/-1.4A，采用TSSOP20和QFN24封装。

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型号：NSG21531DP 编号：C46473163

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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型号：DGD1003FTA-13 编号：C5244545

封装：VDFN3035-8

品牌：DIODES(美台)

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型号：ADP3120AJRZ-RL 编号：C393363

封装：SO-8

ADP3120A是一款单相12 V MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。高端和低端驱动器能够驱动3000 pF负载，传播延迟为45 ns，转换时间为25 ns。凭借较宽的工作电压范围，可对高端或低端MOSFET栅极驱动电压进行优化，以实现最佳效率

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型号：IRS2108STRPBF 编号：C538261

封装：SOIC-8

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HViC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：NSG2110 编号：C49449774

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用宽体SOP16（W）封装，可以在 -40℃至125℃温度范围内工作。

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型号：2ED28073J06F 编号：C533056

封装：DSO-8

是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。

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型号：HIP2211FR8Z 编号：C20350731

封装：DFN-8(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：TLE94103EPXUMA1 编号：C2653457

封装：TSDSO-14

TLE94103EP是一款受保护的三路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用（如后视镜x-y调节）而设计。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出、具有直接接口或SPI接口的半桥驱动器。这些半桥驱动器用于在顺序或并行操作中驱动直流电机负载

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型号：UCC27201D 编号：C544969

封装：SOIC-8

高频N沟道MOSFET驱动器系列包括一个120V自举二极管以及高端和低端驱动器，具有独立输入，可实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间的匹配时间为1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，若驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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型号：L6389EDTR 编号：C2677121

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧驱动器

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型号：NCD57201DR2G 编号：C2902040

封装：SOIC-8

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型号：FL73282MX 编号：C903681

封装：SOIC-8

单片半桥门极驱动集成电路 FL73282可驱动最高在 +900 V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350 mA / 650 mA，适用于所有类型的半桥和全桥逆变器。

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型号：IRS2304PBF 编号：C538317

封装：PDIP-8

IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：NCD5703ADR2G 编号：C904336

封装：SOIC-8

NCx5703y 是用于高功率应用的大电流、高性能独立 IGBT 驱动器，这些应用包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过省去外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源漏极开路故障输出

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型号：LF2101NTR 编号：C3655095

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

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型号：NCP5304DR2G 编号：C464048

封装：SOIC-8

NCP5304 是一款高压功率门极驱动器驱动器，提供两种输出，用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 个独立输入，带交叉导通保护。

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型号：UCC27201DRMT 编号：C2677129

封装：VSON-8(4x4)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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型号：L6387ED 编号：C155554

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

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型号：NCV5703BDR2G 编号：C904650

封装：SOIC-8

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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型号：IR2132STRPBF 编号：C537580

封装：SOIC-28-300mil

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型号：L6386ADTR 编号：C2677052

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：NCP51561BADWR2G 编号：C5206738

封装：SOIC-16-300mil

NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟

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型号：NCV51563CADWR2G 编号：C5209370

封装：SOIC-14-300mil