半桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：IRS2301STRPBF 编号：C520632

封装：SOIC-8

IRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：FD6636S 编号：C840086

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6636S是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计，可在高达 +600V 电压下工作。

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型号：LM5109BQNGTRQ1 编号：C2876136

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：UCC27201ADDAR 编号：C2653809

封装：SO-8

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：2EDF9275FXUMA1 编号：C1870161

封装：SOIC-16

电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相

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型号：NCV7535DBR2G 编号：C603996

封装：TSSOP-20

NCV7535 是一款单片 SPI控制的 H 桥预驱动器，提供对于直流电机的控制。由于 SPI 接口，它包含了汽车系统中使用的增强功能集。因此这是一个高度集成的方案。

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型号：LM27222MX/NOPB 编号：C2653801

封装：SOIC-8

LM27222 用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器

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型号：MP1924HS-LF-Z 编号：C6595398

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

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型号：TLF11251EPXUMA1 编号：C1518701

封装：HTSSOP-14-EP

是一款带有集成驱动器和电平转换器的2.5A半桥。它在单个封装中包含一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET。集成的电平转换级允许将输入逻辑信号转换为栅极驱动器的电源电压电平。输入信号电平与CMOS兼容。电平转换器和栅极驱动器提供死区时间生成，以简化与AURIX™ TC3xx微控制器的嵌入式核心电压调节器的接口。低传播延迟允许在对时序要求有限的闭环控制应用中使用。输出级允许高开关频率。集成了针对高端MOSFET和低端MOSFET过流以及过温事件的保护功能。内部上电复位释放数字逻辑，并确保其在指定范围内的电源电压下工作。

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型号：NCP252160MNTWG 编号：C892300

封装：PQFN-31(5x5)

NCP252160将一个MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET针对大电流DC - DC降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP252160集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间

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型号：IR2101PBF 编号：C2955

封装：PDIP-8

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：NCP51810AMNTWG 编号：C2902266

封装：QFN-15(4.4x4)

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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型号：DRV8706HQRHBRQ1 编号：C3681320

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

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￥28.95
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型号：LM5102MMX/NOPB 编号：C2677197

封装：VSSOP-10-0.5mm

LM5102 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：LTC7066RMSE#PBF 编号：C20047759

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7066以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET

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型号：MP86956GMJT-Z 编号：C5800439

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86956是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，MP86956可实现70A的连续输出电流。MP86956采用单片IC方案，每相可驱动高达70A的电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86956的工作频率范围为100kHz至3MHz。MP86956具备多种特性，可简化系统设计。它可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86956非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。该器件提供LGA和TLGA（5mmx6mm）封装。

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型号：UCC21551CQDWKRQ1 编号：C22445587

封装：SOIC-14

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型号：L9908TR 编号：C5269538

封装：TQFP-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级3相电机栅极驱动装置

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型号：SLM2003ECA-DG 编号：C2943125

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

200V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns,MT:60ns

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型号：OB2101HCPA 编号：C22379554

封装：SOP-8

品牌：OB(昂宝)

OB2101H是一款单片式单相半桥栅极驱动IC，专为高压、高速驱动功率MOSFET和IGBT而设计，可在高达650V的电压下工作。OB2101H采用高压工艺和共模噪声消除技术，可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行，并且两个输出通道具备内部死区时间，可避免交叉导通。

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型号：EG2107 编号：C2929088

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带过流保护功能半桥驱动芯片

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型号：NCP81166MNTBG 编号：C116731

封装：DFN-8(2x2)

NCP81166/A栅极驱动器是一款单相MOSFET驱动器，专为在同步降压转换器拓扑中驱动N沟道MOSFET而设计。

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型号：SLM2106SCA-13GTR 编号：C461471

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA, MT:30ns

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￥2.7
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￥1.95
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型号：EG3113D 编号：C2929097

封装：SOP-8-4.2mm

品牌：EG(屹晶微)

是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽8V～20V，静态电流约300uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 2/2.5A，采用SOP8封装。

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￥2.27
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￥2.01
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型号：SLM2184SCA-13GTR 编号：C883213

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正,SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/270ns, DT:400ns, MT60nS

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￥3.75
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￥3.02
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￥2.66
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型号：IR3537MTRPBF 编号：C537661

封装：DFN-10-EP(3x3)

IR3537/CHL8510 是一款高效率栅极驱动器，可以切换同步降压转换器中的高侧和低侧 N 沟道外部 MOSFET。它旨在与国际整流子的数字 PWM 控制器一起使用，为当今先进的计算应用提供完整的电压调节器 (VR) 解决方案。IR3537/CHL8510 低侧驱动器能够快速切换具有低 RDS(on) 和大输入电容的大型 MOSFET，用于高效率设计。IR3537/CHL8510 具有对外部 MOSFET 中高侧和低侧栅极驱动电压从 4.5V 到 13.2V 的独立控制。这使得能够优化外部 MOSFET 中的开关和导通损耗。当与 IR 专有的可变栅极驱动 (VGD) 技术一起使用时，在整个负载范围内可以观察到效率的显著提高。IR3537/CHL8510 可以配置为从独特的 IR 快速主动三电平 (ATL) PWM 信号或通用的三态 PWM 模式驱动高侧和低侧开关。IR ATL 模式允许控制器在不到 30ns 的时间内禁用高侧和低侧 FET，而无需专用禁用引脚。这提高了 VR 瞬态性能，尤其是在负载释放期间。集成的自举二极管减少了外部元件数量。IR3537/CHL8510 还具有自适应非重叠控制，用于防止直通保护。这可以防止高侧和低侧 MOSFET 的交叉传导，并最大程度地减少体二极管导通时间，从而提供一流的效率。

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￥3.8 ￥5
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￥3.234 ￥4.9
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￥2.6992 ￥4.82
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￥2.66 ￥4.75

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型号：EG2334 编号：C2987448

封装：SOP-20-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2334是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2334高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用SOP20封装。

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型号：XJNG2153D 编号：C53190623

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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型号：FAN7380MX 编号：C890848

封装：SOIC-8