半桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCV7724DQBR2G 编号：C2902155

封装：SSOP-24-EP-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7724B是一款八通道半桥驱动器，具备保护功能，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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￥33.348 ￥55.58
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￥24.07 ￥48.14
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￥17.444 ￥43.61
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￥15.924 ￥39.81

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型号：MP86934GLT-Z 编号：C5800437

封装：TQFN-21(3x4)

品牌：MPS(芯源)

MP86934是一款单片半桥器件，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它能实现25A的连续输出电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率

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￥44.0757
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￥40.1265
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￥37.0301

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型号：LTC4444HMS8E-5#TRPBF 编号：C688581

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一个高频高压栅极驱动器，可在同步 DC/DC 转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压高达 100V。这个强大的驱动器可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。配置为两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地 114V 的电压下工作。包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部 MOSFET。自适应直通保护可防止两个 MOSFET 同时导通。

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￥60.18
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￥52.1
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￥47.18

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型号：LTC4446EMS8E#PBF 编号：C688589

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4446是一款高频高压栅极驱动器，可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446顶部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为2.5A，下拉输出阻抗为1.2Ω

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￥52.22
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型号：LMG3100R044VBER 编号：C42715446

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3100器件是一款具有集成驱动器的100V连续、120V脉冲氮化（GaN）FET。该器件提供两种Rds(on)和最大电流型号，即126A/1.7mΩ(LMG3100R017)和46A/4.4mΩ(LMG3100R044)。该器件包含一个由高频GaNFET驱动器驱动的100V GaN FET。LMG3100包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个LMG3100器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。 GaNFET在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容Ciss和输出电容Coss都非常小。驱动器和GaNFET均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100器件采用6.5mmx4mmx0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。无论VCC电压如何，TTL逻辑兼容输入均可支持3.3V和5V逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaNFET的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式GaNFET的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

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￥72.4
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￥65.24
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￥60.67

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型号：LMG2610RRGR 编号：C21031557

封装：-

品牌：TI(德州仪器)

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￥80.93
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￥77.9

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型号：LMG2640RRGR 编号：C44231311

封装：VQFN-40(7x9)

品牌：TI(德州仪器)

适用于开关模式电源应用中。通过在9mmx7mmQFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到PCB电源地进行冷却。高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关GaN自举FET没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括FET导通互锁、欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

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￥111.89
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￥101.43
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￥97.63

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型号：LKS513 编号：C2798402

封装：ESOP-16

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS513是一款用于功率P沟道/N沟道MOSFET的三相40V高速半桥预驱动器。它有两个用于高端和低端的输入，且每个通道有两个输出，内部设有死区时间以避免交叉导通。输入逻辑电平与3.3V/5V/15V信号兼容

单价：
￥0.6617 / 个

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型号：NSG0462U 编号：C6274824

封装：SOP-16-150mil

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG0462U是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。

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￥0.857
50+
￥0.7485
150+
￥0.7019
500+
￥0.6438
2500+
￥0.618
4000+
￥0.6025

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型号：JSM5109G 编号：C19077361

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低至3.3V

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￥1.5901
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￥1.2373
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￥1.0861
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￥0.8695
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型号：DGD05473FN-7 编号：C189752

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD05473是一款高频栅极驱动器，能够驱动n沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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￥3.78
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￥2.95
30+
￥2.6
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￥2.16

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型号：DOS2186 编号：C52140038

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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￥4.05
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￥3.28
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￥2.89
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型号：COS2183S 编号：C42411192

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

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￥4.44
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￥3.57
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￥3.14
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￥2.71
500+
￥2.46
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型号：COS2113PBF 编号：C7501648

封装：DIP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5峰值拉/灌电流

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￥4.53
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￥3.58
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￥3.1
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￥2.63
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￥2.35
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型号：DGD0507AFN-7 编号：C2676972

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

特性：50V浮动高端驱动器，可在半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET。 1.5A源电流/2.0A灌电流输出能力。内置自举二极管。高端和低端驱动器具有欠压锁定功能。典型延迟匹配为5ns。典型传播延迟为20ns。应用：DC-DC转换器。电机控制

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￥4.6176 ￥5.92
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￥3.9372 ￥5.79
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￥3.306 ￥5.7
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￥3.2596 ￥5.62

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型号：NSG2113N 编号：C41414504

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

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￥5.74
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￥4.62
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￥4.06
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￥3.51
500+
￥3.18
1000+
￥3.01

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型号：IRS2181STRPBF 编号：C67284

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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1+
￥6.81
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￥5.66
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￥5.02

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型号：CSD95377Q4M 编号：C553139

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95377Q4M 20V 35A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

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￥6.85
10+
￥5.66
30+
￥5.01
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￥3.97

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型号：LM5108DRCT 编号：C2677092

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

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1+
￥7.23
10+
￥6.01
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￥5.34

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型号：DGD2003S8-13 编号：C460686

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2003是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2003的高端在自举操作中可切换至200V。DGD2003的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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1+
￥7.6169 ￥12.91
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￥5.3998 ￥11.02
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￥3.8337 ￥9.83
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￥3.3618 ￥8.62
500+
￥3.1473 ￥8.07
1000+
￥3.0576 ￥7.84

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型号：IRS21531DSTRPBF 编号：C538293

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

基于流行的IR2153自振荡半桥栅极驱动器IC，采用更先进的硅平台，集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。通过栅极驱动器的低di/dt峰值实现抗噪性。

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1+
￥7.84
10+
￥6.56
30+
￥5.86

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型号：DGD2184MS8-13 编号：C2677193

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2184M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2184M的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2184M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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1+
￥8.4854 ￥14.63
10+
￥7.0224 ￥14.63
30+
￥5.5594 ￥14.63

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型号：NCV5703CDR2G 编号：C904651

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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1+
￥9.4944 ￥11.04
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￥8.208 ￥10.8
30+
￥7.0224 ￥10.64
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￥6.9168 ￥10.48

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型号：DGD2005S8-13 编号：C460687

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2005是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2005的高端在自举操作中可切换至200V。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配最大为30ns，可实现高频开关

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1+
￥9.5733 ￥9.67
10+
￥8.6063 ￥9.67
30+
￥7.6393 ￥9.67
100+
￥7.2996 ￥9.24

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型号：NCV5183DR2G 编号：C603958

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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1+
￥9.61
10+
￥7.99
30+
￥7.09
100+
￥6.08

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型号：UCC27201AQDDARQ1 编号：C2869408

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 125

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1+
￥10.45
10+
￥10.19
30+
￥10.02

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型号：MCP14A0151T-E/MAY 编号：C625308

封装：DFN-6(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高速MOSFET驱动器能够在单4.5V至18V电源供电下提供高达1.5A的峰值电流。反相（MCP14A0151）或同相（MCP14A0152）单通道输出可直接由TTL或CMOS（2V至18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A0151/2系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效的使能引脚可以拉低，以使MCP14A0151/2的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成的上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。此外，MCP14A0151/2器件具有独立的接地引脚（A_GND和GND），可在对电平敏感的输入/使能引脚与推挽输出级的快速大电流转换之间实现更好的噪声隔离。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们可以承受高达500 mA的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达1.75 kV（HBM）和200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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