半桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8706SQRHBRQ1 编号：C5218851

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

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1+
￥22.42
10+
￥19.21
30+
￥17.29

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型号：IR2110SPBF 编号：C537554

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥23.21
10+
￥19.73
45+
￥17.66
90+
￥15.56

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型号：DRV8301DCA 编号：C92113

封装：HTSSOP-56-EP-6mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8301 具有降压稳压器、电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

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1+
￥29.94
10+
￥25.5
30+
￥22.87

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型号：LTC4442IMS8E#PBF 编号：C688570

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4442是一款高频栅极驱动器，专为在同步降压式DC/DC转换器拓扑结构中驱动两个N沟道MOSFET而设计。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4442的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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1+
￥35.64
10+
￥30.68
30+
￥27.73

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型号：MP86998GMJT-Z 编号：C6595856

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

1+
￥37.0301
100+
￥27.1991
1000+
￥26.1341

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型号：LMG3410R070RWHR 编号：C2680280

封装：VQFN-32-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

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1+
￥39.29
10+
￥33.59
30+
￥30.11

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型号：SLM2009CA-DG 编号：C3001941

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑,DT:120ns,高低边欠压保护

数据手册

5+
￥0.8859
50+
￥0.6843
150+
￥0.5979
500+
￥0.4901

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型号：DS9601D8 编号：C5795658

封装：DFN2x2-8L

品牌：DSTECH(奥简科技)

60V耐压，高PSRR，超低功耗，驱动两个N-MOSFET

5+
￥1.0311
50+
￥0.7993
150+
￥0.6999

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型号：IR2103STRPBF-HX 编号：C51934036

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

5+
￥1.51587 ￥1.6843
50+
￥1.19835 ￥1.3315
150+
￥1.06227 ￥1.1803
500+
￥0.89253 ￥0.9917
2500+
￥0.81693 ￥0.9077
5000+
￥0.77157 ￥0.8573

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型号：DO6288T 编号：C42386243

封装：TSSOP-20

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

5+
￥1.5262
50+
￥1.3204
150+
￥1.2322
500+
￥1.1221
3000+
￥1.0731
6000+
￥1.0437

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型号：SLM2101SCA-13GTR 编号：C461468

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:160/220 ns, DT:NA, MT:60ns

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5+
￥1.91
50+
￥1.465
150+
￥1.2742

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型号：NSG21531D 编号：C46473164

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥2.56
10+
￥2.27
30+
￥2.12
100+
￥1.98
500+
￥1.89
1000+
￥1.85

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型号：TF2007M-TR-JSM 编号：C7432828

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

1+
￥2.601 ￥2.89
10+
￥2.061 ￥2.29
30+
￥1.827 ￥2.03
100+
￥1.53 ￥1.7
500+
￥1.404 ￥1.56
1000+
￥1.323 ￥1.47

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型号：SDH2105U 编号：C17701711

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 SDH2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.006 ￥3.34
10+
￥2.421 ￥2.69
30+
￥2.133 ￥2.37
100+
￥1.836 ￥2.04
500+
￥1.665 ￥1.85
1000+
￥1.575 ￥1.75

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型号：COS2184S 编号：C42377824

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动，10V-20V 电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥3.21
10+
￥2.85
30+
￥2.67
100+
￥2.49
500+
￥2.38
1000+
￥2.32

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型号：IRS26072DSTRPBF-JSM 编号：C44606231

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS26072D是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.22
10+
￥2.58
30+
￥2.25

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型号：ZH639D0JT 编号：C41371521

封装：TSSOP-20

品牌：Semiment(赛卓)

1+
￥3.23
10+
￥2.52
30+
￥2.22
100+
￥1.84
500+
￥1.67
1000+
￥1.57

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型号：IR2304STRPBF 编号：C78065

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

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1+
￥3.48
10+
￥2.81
30+
￥2.47
100+
￥1.95

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型号：IR2136STRPBF-HX 编号：C51934037

封装：SOIC-28

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

1+
￥3.816 ￥4.24
10+
￥3.033 ￥3.37
30+
￥2.646 ￥2.94
100+
￥2.259 ￥2.51
500+
￥2.034 ￥2.26
1000+
￥1.908 ￥2.12

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型号：DGD2110S16-13 编号：C460698

封装：SOP-16-300mil

品牌：DIODES(美台)

DGD2110 和 DGD2113 是高压/高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端输出。高端驱动器具备浮动电源，可在高达 500V/600V 的电压下工作。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配为 10ns（最大值）/20ns（最大值），支持高频操作

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1+
￥4.2035 ￥12.01
10+
￥2.8025 ￥11.21
30+
￥1.6065 ￥10.71
100+
￥1.53 ￥10.2
500+
￥1.4955 ￥9.97
1500+
￥1.4805 ￥9.87

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型号：TF2108A-TAU 编号：C6387926

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.184 ￥6.48
10+
￥4.216 ￥5.27
30+
￥3.736 ￥4.67
100+
￥3.256 ￥4.07
500+
￥2.968 ￥3.71
1000+
￥2.816 ￥3.52

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型号：SIC534CD-T1-GE3 编号：C2653469

封装：MLP4535-22L(3.5x4.5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC534是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC534采用威世（Vishay）专有的4.5 mm × 3.5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达30 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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1+
￥5.38
10+
￥4.87
30+
￥4.59
100+
￥4.28
500+
￥4.14

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型号：FAN7382MX 编号：C128796

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

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