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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动芯片
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0.5-A/0.8-A半桥驱动器，带5-V欠压锁定和集成自举二极管
型号：LM2105DR 编号：C21316176
封装：SOIC-8
品牌：TI(德州仪器)
数据手册

  • 1+

    ￥4.33

  • 10+

    ￥3.47

  • 30+

    ￥3.04

  • 100+

    ￥2.61
  • 有货
    • 立即购买
    单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：UCC27710DR-JSM 编号：C7498965
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

    • 1+

      ￥4.44 ￥5.55

    • 10+

      ￥3.576 ￥4.47

    • 30+

      ￥3.144 ￥3.93

    • 100+

      ￥2.712 ￥3.39

    • 500+

      ￥2.456 ￥3.07

    • 1000+

      ￥2.32 ￥2.9
  • 有货
    • 立即购买
    700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：UCC27714DR-JSM 编号：C7498956
    封装：SOP-14
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    驱动配置：半桥 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

    • 1+

      ￥4.4916 ￥5.91

    • 10+

      ￥3.6328 ￥4.78

    • 30+

      ￥3.2072 ￥4.22

    • 100+

      ￥2.7892 ￥3.67

    • 500+

      ￥2.5308 ￥3.33

    • 1000+

      ￥2.4016 ￥3.16
  • 有货
    • 立即购买
    高压高速半桥驱动
    型号：IRS2103STRPBF 编号：C2958
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.55

    • 10+

      ￥3.55

    • 30+

      ￥3.11
  • 有货
    • 立即购买
    200V 高端 TDI 栅极驱动 IC，适用于 GaN SG HEMT 和 MOSFET
    型号：1EDN7116UXTSA1 编号：C6368849
    封装：PG-TSNP-7-11
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

    • 1+

      ￥5.28

    • 10+

      ￥4.26

    • 30+

      ￥3.75

    • 100+

      ￥3.25

    • 500+

      ￥2.95
  • 有货
    • 立即购买
    具有互锁功能的汽车类620V高侧低侧栅极驱动器
    型号：UCC27712QDRQ1 编号：C2677057
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    具有互锁功能的汽车类 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140
    数据手册

    • 1+

      ￥5.94

    • 10+

      ￥4.73

    • 30+

      ￥4.13

    • 100+

      ￥3.53
  • 有货
    • 立即购买
    700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：LF21814NTR-JSM 编号：C7498988
    封装：SOP-14
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    驱动配置：半桥 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

    • 1+

      ￥6.3495 ￥7.47

    • 10+

      ￥5.2785 ￥6.21

    • 30+

      ￥4.692 ￥5.52

    • 100+

      ￥4.029 ￥4.74

    • 500+

      ￥3.7315 ￥4.39

    • 1000+

      ￥3.5955 ￥4.23
  • 有货
    • 立即购买
    栅极驱动IC
    型号：IRS2183STRPBF-JSM 编号：C17701730
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

    • 1+

      ￥6.552 ￥7.28

    • 10+

      ￥5.418 ￥6.02

    • 30+

      ￥4.797 ￥5.33

    • 100+

      ￥4.095 ￥4.55

    • 500+

      ￥3.78 ￥4.2

    • 1000+

      ￥3.645 ￥4.05
  • 有货
    • 立即购买
    三相半桥栅极驱动器
    型号：TF1388M-TGH 编号：C6387929
    封装：SOIC-20
    品牌：TFSS(德律风根)
    驱动配置：三相/半桥 中压250V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

    • 1+

      ￥6.61

    • 10+

      ￥5.46

    • 30+

      ￥4.83

    • 100+

      ￥4.11
  • 有货
    • 立即购买
    700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：TF21814M-TR-JSM 编号：C7498986
    封装：SOP-14
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    驱动配置：半桥 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

    • 1+

      ￥6.832 ￥8.54

    • 10+

      ￥5.68 ￥7.1

    • 30+

      ￥5.048 ￥6.31

    • 100+

      ￥4.328 ￥5.41

    • 500+

      ￥4.016 ￥5.02

    • 1000+

      ￥3.872 ￥4.84
  • 有货
    • 立即购买
    700V 4A半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：TF2113M-TR 编号：C5804623
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    单相驱动，带SD功能 半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

    • 1+

      ￥7.242 ￥8.52

    • 10+

      ￥6.018 ￥7.08

    • 30+

      ￥5.3465 ￥6.29

    • 100+

      ￥4.59 ￥5.4

    • 500+

      ￥4.2585 ￥5.01

    • 1000+

      ￥4.1055 ￥4.83
  • 有货
    • 立即购买
    700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：LF21844NTR-JSM 编号：C7498951
    封装：SOP-14
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

    • 1+

      ￥7.299 ￥8.11

    • 10+

      ￥6.066 ￥6.74

    • 30+

      ￥5.391 ￥5.99

    • 100+

      ￥4.626 ￥5.14

    • 500+

      ￥4.293 ￥4.77

    • 1000+

      ￥4.14 ￥4.6
  • 有货
    • 立即购买
    700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：TF21844M-TR-JSM 编号：C7498969
    封装：SOP-14
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    单相。大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

    • 1+

      ￥7.686 ￥8.54

    • 10+

      ￥6.39 ￥7.1

    • 30+

      ￥5.679 ￥6.31

    • 100+

      ￥4.869 ￥5.41

    • 500+

      ￥4.518 ￥5.02

    • 1000+

      ￥4.356 ￥4.84
  • 有货
    • 立即购买
    700V带使能和故障报告的三相半桥MOSFET驱动芯片
    型号：6EDL04N06PT-JSM 编号：C7498949
    封装：SOP-28-300mil
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

    • 1+

      ￥7.688 ￥9.61

    • 10+

      ￥6.392 ￥7.99

    • 30+

      ￥5.68 ￥7.1

    • 100+

      ￥4.872 ￥6.09

    • 500+

      ￥4.512 ￥5.64

    • 1000+

      ￥4.352 ￥5.44
  • 有货
    • 立即购买
    700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：FAN7393MX-JSM 编号：C7498990
    封装：SOP-14
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

    • 1+

      ￥7.866 ￥8.74

    • 10+

      ￥6.507 ￥7.23

    • 30+

      ￥5.76 ￥6.4

    • 100+

      ￥4.914 ￥5.46

    • 500+

      ￥4.536 ￥5.04

    • 1000+

      ￥4.365 ￥4.85
  • 有货
    • 立即购买
    700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
    型号：IRS21814STRPBF-JSM 编号：C7498957
    封装：SOP-14
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    驱动配置：半桥 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

    • 1+

      ￥8.649 ￥9.61

    • 10+

      ￥7.191 ￥7.99

    • 30+

      ￥6.39 ￥7.1

    • 100+

      ￥5.481 ￥6.09

    • 500+

      ￥5.076 ￥5.64

    • 1000+

      ￥4.896 ￥5.44
  • 有货
    • 立即购买
    超低功耗闭环LRA/ERM触觉驱动器，带内置库
    型号：DRV2625YFFR 编号：C553134
    封装：DSBGA-9
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV2625 具有波形库、自动谐振跟踪和低功耗的 ERM/LRA 触觉驱动器
    数据手册

    • 1+

      ￥8.72

    • 10+

      ￥7.24

    • 30+

      ￥6.43

    • 100+

      ￥5.52
  • 有货
    • 立即购买
    栅极驱动IC
    型号：AGD8256A-JSM 编号：C17701728
    封装：SOP-28-300mil
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    高低侧同相 带使能和故障报告， 三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱 电机驱动，逆变器驱动

    • 1+

      ￥8.848 ￥11.06

    • 10+

      ￥7.528 ￥9.41

    • 30+

      ￥6.696 ￥8.37

    • 100+

      ￥5.848 ￥7.31

    • 500+

      ￥5.464 ￥6.83

    • 1000+

      ￥5.296 ￥6.62
  • 有货
    • 立即购买
    具有互锁功能的620V、0.5A、1.0A高侧低侧栅极驱动器
    型号：UCC27710DR 编号：C2676981
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    具有互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125
    数据手册

    • 1+

      ￥9.06

    • 10+

      ￥7.47

    • 30+

      ￥6.44

    • 100+

      ￥5.46
  • 有货
    • 立即购买
    栅极驱动IC
    型号：IRS23364DSTRPBF-JSM 编号：C17701725
    封装：SOP-28-300mil
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    高低侧同相 带使能和故障报告， 三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱 电机驱动，逆变器驱动

    • 1+

      ￥9.996 ￥11.76

    • 10+

      ￥8.4575 ￥9.95

    • 30+

      ￥7.497 ￥8.82

    • 100+

      ￥6.511 ￥7.66

    • 500+

      ￥6.069 ￥7.14

    • 1000+

      ￥5.8735 ￥6.91
  • 有货
    • 立即购买
    栅极驱动IC
    型号：FAN73896MX-JSM 编号：C17701727
    封装：SOP-28-300mil
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    高低侧同相 带使能和故障报告， 三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱 电机驱动，逆变器驱动

    • 1+

      ￥10.584 ￥11.76

    • 10+

      ￥8.955 ￥9.95

    • 30+

      ￥7.938 ￥8.82

    • 100+

      ￥6.894 ￥7.66

    • 500+

      ￥6.426 ￥7.14

    • 1000+

      ￥6.219 ￥6.91
  • 有货
    • 立即购买
    高频4A灌电流同步MOSFET驱动器
    型号：TPS28225DRBR 编号：C2676914
    封装：SON-8-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器
    数据手册

    • 1+

      ￥11.7

    • 10+

      ￥10.42

    • 30+

      ￥9.51

    • 100+

      ￥8.69
  • 有货
    • 立即购买
    半桥驱动器
    型号：IR21844STRPBF 编号：C415702
    封装：SOIC-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册

    • 1+

      ￥12.19

    • 10+

      ￥10.21

    • 30+

      ￥8.96

    • 100+

      ￥7.69
  • 有货
    • 立即购买
    100V、2.5A高频半桥栅极驱动器
    型号：MP1921HS-A-LF-Z 编号：C7304239
    封装：SOIC-8
    品牌：MPS(芯源)
    MP1921A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出为低电平

    • 1+

      ￥12.2888

    • 50+

      ￥11.2237

    • 100+

      ￥9.9129
  • 有货
    • 立即购买
    120V自举、4A峰值、高频高端和低端驱动器
    型号：UCC27211DDAR 编号：C141980
    封装：SOIC-8-EP
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
    数据手册

    • 1+

      ￥13.06

    • 10+

      ￥11.11

    • 30+

      ￥9.88
  • 有货
    • 立即购买
    三相半桥栅极驱动器
    型号：TF21364M-TLH 编号：C2683766
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：TFSS(德律风根)
    高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册

    • 1+

      ￥13.167 ￥14.63

    • 10+

      ￥11.277 ￥12.53

    • 30+

      ￥10.089 ￥11.21

    • 100+

      ￥8.244 ￥9.16

    • 500+

      ￥7.695 ￥8.55

    • 1500+

      ￥7.461 ￥8.29
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    120V升压、4A峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
    型号：UCC27211DPRR 编号：C2677328
    封装：WSON-10-EP(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140
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    用于氮化镓功率开关的高速半桥驱动器
    型号：NCP51820AMNTWG 编号：C894995
    封装：QFN-15(4.4x4)
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +650 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51820 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。
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    具有跨导保护和低开关损耗的汽车类3A 120V半桥驱动器
    型号：UCC27282QDRCRQ1 编号：C3654985
    封装：VSON-10(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。
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    100V高频半桥GaN/MOSFET驱动器
    型号：MP1918GQE-Z 编号：C7545022
    封装：QFN-14(3x3)
    品牌：MPS(芯源)
    是一款100V半桥驱动器，用于在半桥或同步应用中驱动增强模式氮化镓（GaN）FET或具有低栅极阈值电压的N沟道MOSFET。具有独立的高端（HS）和低端（LS）脉冲宽度调制（PWM）输入，为高端驱动器电压提供自举技术，可在高达100V的电压下工作。新的充电技术可防止高端驱动器电压超过VCC电压，从而防止栅极电压超过GaN FET的最大栅源电压额定值。有两个独立的栅极输出，允许通过在栅极回路中添加阻抗来独立调整导通和关断能力，可在高达数MHz的频率下工作。采用带有可焊侧翼的QFN-14（3mmx3mm）封装。

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