电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSG21281 编号：C53436470

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.53
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￥4.49
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￥3.97
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型号：UCC27282DR 编号：C2867844

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

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型号：IRS21814STRPBF 编号：C538299

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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单价：
￥6.02 / 个

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型号：TC4428AEOA713 编号：C55181

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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型号：A3906SESTR-T 编号：C86274

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3906SESTR-T 低电压步进和单路/双路直流电动机驱动器

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型号：ZXMHC6A07N8TC 编号：C460274

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代互补MOSFET H桥，具有低栅极驱动下可实现低导通电阻的特点。

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型号：FAN73893MX-JSM 编号：C7498992

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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型号：UCC27211AQDDARQ1 编号：C485921

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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型号：DRV8320HRTVR 编号：C701782

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8320 最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：2EDF7275K 编号：C2677063

封装：TFLGA-13

品牌：Infineon(英飞凌)

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

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型号：BM60016FV-CE2 编号：C308607

封装：SSOP-10-3.5mm

品牌：ROHM(罗姆)

是一款隔离电压为2500Vrms的栅极驱动器，I/O延迟时间为75ns，最小输入脉冲宽度为60ns。它集成了欠压锁定（UVLO）功能和米勒钳位功能。

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型号：STGAP2SMTR 编号：C2802542

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

电流隔离4 A单重栅极驱动器

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￥10.02
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型号：SLMi332CG-DG 编号：C22381784

封装：SOP-16-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLMi332隔离驱动器是一款先进的光兼容单通道隔离IGBT栅极驱动器，具备有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源密勒钳位。SLMi332可提供2.5A的峰值输出电流。对于无后缀H的器件，默认去饱和阈值为6.5V；对于有后缀H的器件，默认去饱和阈值为9V

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型号：L6390DTR 编号：C503085

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧/低侧驱动器

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型号：LM5114BMF/NOPB 编号：C2653799

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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型号：DRV8848PWPR 编号：C131079

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8848 具有电流调节功能的 18V、2A、H 桥电机驱动器

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型号：MCP1406-E/SN 编号：C145607

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬态信号，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

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￥16.24
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型号：CSD97374Q4M 编号：C140327

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD97374Q4M 30V 25A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

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￥16.48
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型号：DRV10983SQPWPRQ1 编号：C701768

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV10983-Q1 汽车类 12V 电池、3.5A 峰值无传感器正弦控制三相 BLDC 电机驱动器

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￥16.57
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￥11.04

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型号：VNH7040AYTR 编号：C2969764

封装：BFSOP-36-Power

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

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￥17.76
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￥11.72
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￥10.95

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型号：A3977SLPTR-T 编号：C163514

封装：TSSOP-28-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

输出额定值：±2.5 A、35 V 低导通电阻（RDS(on)）输出，典型值：源极 0.28 Ω，漏极 0.22 Ω

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￥20.19
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￥17.09
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￥12.53

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型号：A4915METTR-T 编号：C136637

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

设计用于三相无刷直流电机的脉宽调制 (PWM) 电流控制。能够为 6 个全 N 沟道功率 MOSFET 提供高电流栅极驱动。内部电荷泵确保在低至 7V 的电源下提供栅极驱动，并在低至 5V 时提供有限的栅极驱动。使用自举电容为 N 沟道 MOSFET 产生高于高端 MOSFET 源极电压的电源电压

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￥21.32
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￥15.98
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￥14.64
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￥14.22

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型号：SI8233AB-D-IS1R 编号：C461838

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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￥16.61
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￥14.75
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￥13.9
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￥13.51

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型号：MCF8315A1VRGFR 编号：C6589896

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

MCF8315A 40V 最大电压、4A 峰值电流、无传感器 FOC 控制、三相 BLDC 电机驱动器

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￥21.72
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￥18.89
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￥17.2
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￥15.49
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￥14.71

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型号：SI8238AB-D-IS1R 编号：C461846

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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￥29.06
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￥24.78
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￥22.23
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￥19.65
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￥18.46
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￥17.92

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型号：IR2214SSTRPBF 编号：C537614

封装：SSOP-24-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

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