电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-263-5

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：MP6543HGL-Z 编号：C3681371

封装：QFN-24(3x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6543H 系列产品（MP6543H、MP6543H - A 和 MP6543H - B）是三相无刷直流电机驱动器。它们集成了三个半桥，由六个 N 沟道功率 MOSFET 组成，以及预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6543H 每个半桥都有使能（EN）和 PWM 输入。MP6543H - A 有独立的高端（HS）和低端（LS）输入，而 MP6543H - B 有霍尔效应传感器输入。除此之外，这三款器件相似。MP6543H 可提供高达 2A 的连续电流（取决于散热和 PCB 条件），并具有可调的过流保护（OCP）阈值。它使用内部电荷泵为高端 MOSFET 生成栅极驱动电源电压，并使用涓流充电电路来维持足够的栅极驱动电压，以实现 100% 占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。MP6543H 采用带有外露散热焊盘的 QFN - 24（3mmx4mm）封装。

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型号：MP6536DU-LF-Z 编号：C3655732

封装：QFN-40(5x5)

品牌：MPS(芯源)

无刷电机驱动，25V~48V供电，4A~6A方案，

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型号：TB5128FTG(CP,EL 编号：C428723

封装：QFN-48

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB5128是一款采用斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造，输出额定值为50 V/5.0 A（电机电源电压μ = 44 V）。

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型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

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型号：DRV8873HPWPR 编号：C2150604

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8873 具有集成电流检测和电流检测反馈功能的 40V、10A H 桥电机驱动器

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型号：DRV8316CRRGFR 编号：C5447274

封装：VQFN40

品牌：TI(德州仪器)

DRV8316C 具有集成电流检测功能、FET、增强型 CSA 规格、40V 最大电压、8A 峰值电流的三相电机驱动器

单价：
￥16.495991 / 个

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型号：IR2214SSTRPBF 编号：C537614

封装：SSOP-24-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

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型号：TC4422ESM 编号：C638566

封装：SOIJ-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

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型号：MP6540HGU-Z 编号：C5358239

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H每个半桥都有使能（EN）和PWM输入，而MP6540HA有单独的高端和低端输入。根据散热和PCB条件，MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。使用内部电荷泵为高端MOSFET生成栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以保持足够的栅极驱动电压，实现100%占空比运行。内部安全功能包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。采用QFN-26（5mmx5mm）封装。

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型号：MC33887PFK 编号：C3681348

封装：PWRQFN-36(9x9)

品牌：NXP(恩智浦)

是一款具有负载电流反馈功能的单片 H 桥功率 IC，非常适合闭环直流电机控制。该 IC 集成了内部控制逻辑、电荷泵、栅极驱动和低 RDS(on) MOSFET 输出电路。能够控制连续直流负载电流高达 5.0A 的感性负载，峰值电流主动限制在 5.2A 至 7.8A 之间。输出负载可以在高达 10kHz 的频率下进行脉冲宽度调制

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型号：NX3008NBKW,115(ES) 编号：C53199118

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，30V，0.5A，504mΩ@10V,0.2A，1.2V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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型号：SI2308A(ES) 编号：C42434101

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)

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型号：AO6401A(ES) 编号：C42412248

封装：SOT-23-6L

品牌：ElecSuper(静芯)

AO6401A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：DMP1045U-7(ES) 编号：C42412352

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

DMP1045U-7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：IRLML0060TRPBF(ES) 编号：C42412353

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：SSM3J328R,LF(ES) 编号：C49108745

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-20V，-4.1A，26mΩ@-4.5V,-4A，-0.7V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥0.2255
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型号：U3115S 编号：C400130

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115S/U3116S可在高达+300V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，支持低至3.3V的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通

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型号：JSM2103STR 编号：C44606221

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2103S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

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型号：AO4407A(ES) 编号：C42412319

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

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￥0.7561
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型号：ESE0117K 编号：C42420881

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA

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￥0.7689
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￥0.7574
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￥0.7458

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型号：L9110S 编号：C5157607

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

广泛应用于玩具汽车电机驱动、脉冲电磁阀门驱动，步进电机驱动和开关功率管等电路上

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￥0.69084 ￥0.7676
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￥0.60921 ￥0.6769
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￥0.50733 ￥0.5637
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￥0.46953 ￥0.5217
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￥0.44235 ￥0.4915

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型号：MX27524S 编号：C19723497

封装：SOP-8

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端中的每一个都能够提供和吸收 5A 峰值电流，最大额定电压为 20V。每个通道都有两个独立的使能引脚，如果未连接则默认开启。快速的传播延迟时间和快速的上升和下降时间使其非常适合高频应用。此外，该驱动器在 A 和 B 通道之间具有匹配的内部传播延迟，适用于需要严格时序的双栅极驱动器应用，如同步整流器。