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首页 > 热门关键词 > 电机全桥驱动
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N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
型号：SI2308A(ES) 编号：C42434101
封装：SOT-23
品牌：ElecSuper(静芯)
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)

  • 20+

    ￥0.1955

  • 200+

    ￥0.1523

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    ￥0.1283

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    ￥0.1139

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    ￥0.1014

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    ￥0.0947
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    P沟道，-12V，-3.8A，29mΩ@-4.5V,-3.8A，-0.62V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SI2305CDS(ES) 编号：C42434109
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    SI2305CDS(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1955

    • 200+

      ￥0.1523

    • 600+

      ￥0.1283
  • 有货
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    P沟道，-20V，-4.1A，26mΩ@-4.5V,-4A，-0.7V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SSM3J328R,LF(ES) 编号：C49108745
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-20V，-4.1A，26mΩ@-4.5V,-4A，-0.7V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 10+

      ￥0.2831

    • 100+

      ￥0.2255

    • 300+

      ￥0.1967
  • 有货
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    N沟道，60V，3.2A，58mΩ@10V,3A，1.35V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：DMN6075S-7(ES) 编号：C49108758
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，60V，3.2A，58mΩ@10V,3A，1.35V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 10+

      ￥0.3539

    • 100+

      ￥0.2819

    • 300+

      ￥0.2459

    • 3000+

      ￥0.2189

    • 6000+

      ￥0.1973

    • 9000+

      ￥0.1865
  • 有货
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    N沟道，100V，5.0A，95mΩ@10V,2.5A，1.65V@250uA；应用领域：PLC控制器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES3N06G-AB3-R 编号：C42412322
    封装：SOT-89
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES3N06G-AB3-R 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.4583

    • 100+

      ￥0.3623

    • 300+

      ￥0.3143

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      ￥0.2783

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      ￥0.2495

    • 9000+

      ￥0.235
  • 有货
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    P沟道，-40V,，-2.3A，110mΩ@-10V,-2A，-1.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：DMP4065SQ-7(ES) 编号：C42412924
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品为无铅产品。

    • 10+

      ￥0.4583

    • 100+

      ￥0.3623

    • 300+

      ￥0.3143
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    600V高压半桥驱动芯片
    型号：BDR6307B 编号：C20622848
    封装：SOP-8
    品牌：巴丁微
    BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平，支持3.3V 应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8 封装。

    • 5+

      ￥0.4598

    • 50+

      ￥0.3998

    • 150+

      ￥0.3698

    • 500+

      ￥0.3473

    • 2500+

      ￥0.3293

    • 4000+

      ￥0.3203
  • 有货
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    P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4407C(ES) 编号：C42412318
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO4407C(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.7332

    • 50+

      ￥0.5796

    • 150+

      ￥0.5028

    • 500+

      ￥0.4452
  • 有货
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    N沟道，100V，4.5A，120mΩ@10V,4A，1.7V@250uA；应用领域：PLC控制器、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESP10N10C 编号：C42412243
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESP10N10C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.8019

    • 50+

      ￥0.6339

    • 150+

      ￥0.5499

    • 500+

      ￥0.4869
  • 有货
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    1.2A 250V 单相高同低反栅极驱动芯片
    型号：U3115S-JSM 编号：C44606292
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    U3115S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 U3115S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

    • 5+

      ￥0.8062

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      ￥0.7012

    • 150+

      ￥0.6562

    • 500+

      ￥0.6

    • 2500+

      ￥0.59
  • 有货
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    XJNG2103C
    型号：XJNG2103C 编号：C53436487
    封装：SOP-8
    品牌：NCE(无锡新洁能)

    • 5+

      ￥0.82494 ￥0.9166

    • 50+

      ￥0.666 ￥0.74

    • 150+

      ￥0.58644 ￥0.6516

    • 500+

      ￥0.52686 ￥0.5854

    • 2500+

      ￥0.47916 ￥0.5324

    • 4000+

      ￥0.45531 ￥0.5059
  • 有货
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    1.8A H 桥驱动芯片
    型号：BDR6122T 编号：C908104
    封装：WDFN-8-EP(2x2)
    品牌：巴丁微
    是一款直流电机驱动IC，输出DC电流达可到1.8A，适用于电动牙刷、智能锁、消费类产品以及其它低压或者电池供电的运动控制产品。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8851

    • 50+

      ￥0.7653

    • 150+

      ￥0.714

    • 500+

      ￥0.65

    • 2500+

      ￥0.6215
  • 有货
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    UCC27517ADBVR-TP
    型号：UCC27517ADBVR-TP 编号：C51939677
    封装：SOT-23-5
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)

    • 5+

      ￥0.905236 ￥1.1911

    • 50+

      ￥0.715616 ￥0.9416

    • 150+

      ￥0.634372 ￥0.8347

    • 500+

      ￥0.532988 ￥0.7013

    • 3000+

      ￥0.487844 ￥0.6419

    • 6000+

      ￥0.460712 ￥0.6062
  • 有货
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    低压 H 桥电机驱动器
    型号：TMI8837 编号：C478955
    封装：DFN-8-EP(2x2)
    品牌：TMI(拓尔微)
    马达驱动IC,1.5A, motor power: 1.8 ~ 12 V, control power supply: 1.8 ~ 5.5 V,DFN2x2-8,TIM8837
    数据手册

    • 1+

      ￥0.9129

    • 10+

      ￥0.7257

    • 30+

      ￥0.6321

    • 100+

      ￥0.5619

    • 500+

      ￥0.5057

    • 1000+

      ￥0.4777
  • 有货
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    U3116S
    型号：U3116S 编号：C400131
    封装：SOP-8
    品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)
    一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达300V。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9329

    • 50+

      ￥0.7313

    • 150+

      ￥0.6449

    • 500+

      ￥0.5107

    • 2500+

      ￥0.4627
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，68.6A，4mΩ@10V,20A，2.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRLR8726TRPBF(ES) 编号：C42434096
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRLR8726TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.9698

    • 50+

      ￥0.7682

    • 150+

      ￥0.6818

    • 500+

      ￥0.574

    • 2500+

      ￥0.526

    • 5000+

      ￥0.4972
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道，30V，13A，7.5mΩ@10V,13A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4838(ES) 编号：C42412249
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO4838(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.9944

    • 50+

      ￥0.8684

    • 150+

      ￥0.8144

    • 500+

      ￥0.747
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，100V，18A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250μA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE0117K 编号：C42420881
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA

    • 5+

      ￥1.0412

    • 50+

      ￥0.9152

    • 150+

      ￥0.8612

    • 500+

      ￥0.7938
  • 有货
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    双路 4A 高速功率开关驱动器
    型号：UCC27524ADR(UMW) 编号：C20623194
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    UMW UCC27524ADR 器件是一款双通道、高速、低端栅极驱动器件，能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。此外，在其额定功率和电压范围内的所有条件下，它都具有高度的抗闩锁能力

    • 5+

      ￥1.0768

    • 50+

      ￥0.9376

    • 150+

      ￥0.8779

    • 500+

      ￥0.8035

    • 2500+

      ￥0.7703

    • 5000+

      ￥0.7504
  • 有货
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    电机驱动芯片
    型号：GR2833M 编号：C18164468
    封装：SOP-16
    品牌：GR(国睿)
    电机驱动芯片 专用步进电机和IR-Cut Removable驱动集成电路

    • 5+

      ￥1.0773

    • 50+

      ￥0.9408

    • 150+

      ￥0.8823

    • 500+

      ￥0.8093

    • 2500+

      ￥0.7768

    • 5000+

      ￥0.7573
  • 有货
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    250V半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器
    型号：IRS2003STR(UMW) 编号：C20623209
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    IRS2003S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

    • 5+

      ￥1.1834

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      ￥1.0321

    • 150+

      ￥0.9672

    • 500+

      ￥0.8863

    • 2500+

      ￥0.8503

    • 5000+

      ￥0.8287
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    TPK20V4IS5
    型号：TPK20V4IS5 编号：C51939653
    封装：SOT-23-5
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)

    • 5+

      ￥1.18864 ￥1.564

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      ￥0.939664 ￥1.2364

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      ￥0.83296 ￥1.096

    • 500+

      ￥0.699884 ￥0.9209

    • 3000+

      ￥0.640604 ￥0.8429

    • 6000+

      ￥0.605036 ￥0.7961
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    NSG2005
    型号：NSG2005 编号：C53436214
    封装：SOP-8
    品牌：NCE(无锡新洁能)

    • 5+

      ￥1.19061 ￥1.3229

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      ￥0.9558 ￥1.062

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      ￥0.85527 ￥0.9503

    • 500+

      ￥0.72972 ￥0.8108

    • 2500+

      ￥0.67383 ￥0.7487

    • 4000+

      ￥0.64026 ￥0.7114
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    IRS44273LTRPBF-TP
    型号：IRS44273LTRPBF-TP 编号：C51939582
    封装：SOT-23-5
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)

    • 5+

      ￥1.206956 ￥1.5881

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      ￥0.95418 ￥1.2555

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    4A单通道低侧同相栅极驱动芯片
    型号：FAN3111ESX-JSM 编号：C20606851
    封装：SOT-23-5
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    应用于交换式电源、开关变换器、通用栅驱动器。

    • 5+

      ￥1.24049 ￥1.4594

    • 50+

      ￥1.088765 ￥1.2809

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      ￥0.88485 ￥1.041
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    直流电机驱动芯片，H桥电机驱动，超低内阻，最大1.9A直流输出驱动电流，电机和逻辑电压独立供电，低功耗休眠模式，小封装，保护特征
    型号：BDR6122F-S 编号：C22364943
    封装：SOP-8
    品牌：巴丁微
    是一款直流电机驱动芯片,应用领域：仪表、阀门、智能锁、机器人等领域。

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      ￥1.2437

    • 50+

      ￥0.9766

    • 150+

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      ￥0.7193

    • 2500+

      ￥0.6557
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    P沟道，-40V，-45A，13mΩ@-10V,-20A，-1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESE40P40K 编号：C42420755
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：45A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@4.5V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

    • 5+

      ￥1.3015

    • 50+

      ￥1.144

    • 150+

      ￥1.0765

    • 500+

      ￥0.9923
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    4A带使能的单通道低侧栅极驱动芯片
    型号：UCC27519DBVR-JSM 编号：C7466357
    封装：SOT-23-5
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    栅极驱动IC@@驱动配置：低边 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

    • 5+

      ￥1.328 ￥1.66

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      ￥1.16 ￥1.45

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      ￥1.088 ￥1.36

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    • 3000+

      ￥0.96 ￥1.2

    • 6000+

      ￥0.936 ￥1.17
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    60V 半桥驱动芯片
    型号：EG3012S 编号：C2987452
    封装：SOP-8
    品牌：EG(屹晶微)
    EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽11V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.364

    • 50+

      ￥1.0701

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    大功率直流电机驱动芯片
    型号：BDR6125 编号：C5349300
    封装：SOP-8
    品牌：巴丁微
    是一款大功率直流电机驱动芯片，应用于智能锁、卷发棒、成人用品等领域。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3956

    • 50+

      ￥1.2066

    • 150+

      ￥1.1256

    • 500+

      ￥1.0245

    • 2500+

      ￥0.9795
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