电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXDN604SIATR 编号：C2676944

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

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￥10.67
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￥8.89
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￥7.91
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型号：EG2181D 编号：C2832191

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2181D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2181D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±2A/2.5A，采用SOP8封装。

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￥3.23
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￥2.55
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￥2.26
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型号：IR2106STRPBF-JSM 编号：C7466360

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥3.2524 ￥3.46
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￥2.6508 ￥2.82
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型号：TC4428AEOA713 编号：C5804611

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

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￥3.638 ￥4.28
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型号：SCT52240STDR 编号：C509057

封装：SOP-8

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT52240是一款宽电源、双通道、高速、低端栅极驱动器，适用于功率MOSFET和IGBT。每个通道可提供和吸收4A的峰值电流，并具备轨到轨输出能力。24V电源轨增强了功率器件转换期间驱动器输出的抗振铃能力

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￥4.33
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型号：DRV8212DRLR 编号：C3681309

封装：SOT-563

品牌：TI(德州仪器)

DRV8212 具有自动睡眠模式的 12V、4A H 桥电机驱动器

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￥4.73
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型号：TC4420EOA713 编号：C231865

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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￥2.81

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型号：FAN7390MX-MNS 编号：C50646515

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流:4A

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￥5.68
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型号：HR8825 编号：C2977761

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：嘉兴禾润

HR8825是一种内置步进表的集成微步进电机驱动器，为打印机、扫描仪和其它自动化设备提供解决方案。其设计为能使双极步进电机以全、半、1/4、1/8、1/16、1/32步进模式工作。步进模式由逻辑输入MODEx选择。

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￥4.19
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￥4.05

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型号：DRV8846RGER 编号：C473340

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8846 具有 1/32 微步进和智能调优自适应衰减的 18V、1.4A 双极步进电机驱动器

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型号：TF2190M-TAH 编号：C2917161

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.88
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￥5.83
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￥4.3

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型号：DRV2605LDGSR 编号：C527464

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV2605L 具有 2V 工作电压、波形库和自动谐振跟踪功能的 ERM/LRA 触觉驱动器

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￥8.64
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型号：LM5111-1MX/NOPB 编号：C2653790

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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￥9.29
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型号：IR2011STRPBF 编号：C148146

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

高功率MOS管半桥式驱动

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￥9.74
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型号：UCC27211ADRMR 编号：C1848363

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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型号：DRV8873HPWPRQ1 编号：C2150479

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8873-Q1 具有集成电流感应和反馈功能的汽车类 40V、10A H 桥电机驱动器

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￥13.81
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￥11.6
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￥10.23
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￥8.81
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￥8.18
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￥7.9

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型号：TB67S128FTG(O,EL) 编号：C2150559

封装：VQFN-64-EP(9x9)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67S128FTG 是一款采用 PWM 斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。它采用 BiCD 工艺制造，输出额定值为 50 V/5。

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￥19.76
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￥12.47
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￥12.1

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型号：LV8728MR-AH 编号：C73904

封装：MFP-30KR

品牌：onsemi(安森美)

LV8728MR是一款PWM电流控制的微步步进电机驱动器。该驱动器可执行从整步到1/128步的八种励磁模式，并且只需通过CLK输入即可实现简单驱动。

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￥22.82
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￥17.69
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￥14.52
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￥13.62
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￥13.22

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型号：L6470HTR 编号：C182381

封装：HTSSOP-28

品牌：ST(意法半导体)

采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器

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￥25.85
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￥21.3
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￥18.6
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￥15.86
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￥14.6
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￥14.03

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型号：BDR2L00 编号：C5371998

封装：DFN-8

品牌：巴丁微

是一款驱动双NMOS的栅极驱动器，工作电压范围宽，内部集成自适应死区控制电路，具有欠压保护功能。

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￥0.8727
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￥0.6711
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￥0.5847
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￥0.4769
2500+
￥0.4689
4000+
￥0.44

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型号：ESGNH10R90 编号：C42412302

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

ESGNH10R90 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.9944
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￥0.8684
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￥0.8144
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￥0.717

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型号：L9110S 编号：C513306

封装：SOP-8

品牌：Mixic(中科芯亿达)

1. 低静态待机电流：<1uA 2. 宽电源电压范围：3.0V-12V 3. 输出电流能力：1A 4. 具有前进、后退、停止及刹车功能 5. 内置过温保护功能峰值最高2A

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5+
￥1.0722
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￥0.859
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￥0.7676
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￥0.6536
2500+
￥0.5458
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￥0.5153

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型号：ZXGD3009DYTA 编号：C441818

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009DY是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达1A的峰值源极/漏极电流，以对容性负载进行有效充放电。该栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

数据手册

5+
￥1.3036
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￥1.0497
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￥0.9409
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￥0.8052
3000+
￥0.6882
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￥0.6519

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型号：MX5114T 编号：C5341119

封装：SOT-23-6L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX5114T 旨在驱动升压型配置中的低端 MOSFET，或驱动隔离拓扑中的次级同步 MOSFET。凭借强大的灌电流能力，MX5114T 能够并联驱动多个 MOSFET。MX5114T 还具备驱动低端增强型氮化镓（GaN）FET 所需的特性

数据手册

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￥1.3241
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￥1.1456
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￥1.0691
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￥0.9736
3000+
￥0.9311
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￥0.9056

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型号：JSM2101STR 编号：C19077368

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥1.431 ￥1.59
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￥1.242 ￥1.38
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￥1.161 ￥1.29
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￥1.08 ￥1.2
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￥1.035 ￥1.15
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￥1.008 ￥1.12

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型号：CC6403SS 编号：C2832986

封装：SOT-335

品牌：CrossChip(成都芯进)

单线圈，24V,FG信号输出,堵转保护

数据手册

5+
￥1.6507
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￥1.4512
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￥1.3657
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￥1.2591
2500+
￥1.0735
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￥1.045

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型号：GBI7254SMBR 编号：C5451740

封装：SOIC-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

是双通道高速低端栅极驱动器，为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为14ns，24V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至-5V的负输入，以增强输入抗噪性。宽输入滞后与TTL和CMOS低压逻辑兼容。该器件的每个通道采用非重叠驱动器设计，以避免输出级直通。它可在-40℃至125℃的宽温度范围内工作。