电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：YC6288Q 编号：C54157432

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：YLPTEC(易川)

1+
￥3.01
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￥2.38
30+
￥2.11
100+
￥1.78
500+
￥1.63
1000+
￥1.54

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型号：DRV8220DRLR 编号：C3681351

封装：SOT-563

品牌：TI(德州仪器)

DRV8220 具有自动睡眠模式的 20V、1.76A H 桥电机驱动器

数据手册

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￥4.79
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￥3.93
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￥3.51
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￥3.08
500+
￥2.83
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￥2.7

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型号：MCP1415T-E/OT 编号：C83776

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1415/16 器件是高速双 MOSFET 驱动器，可在 4.5V 至 18V 单电源供电下提供高达 1.5A 的峰值电流。反相或同相单通道输出可直接由 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用

数据手册

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￥5.27
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￥4.28
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￥3.79
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￥3.29
500+
￥2.74
1000+
￥2.59

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型号：NCP5106BDR2G 编号：C67861

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

数据手册

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￥5.42
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￥4.32
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￥3.77
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￥3.23
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￥2.9
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￥2.73

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型号：FAN73932MX-JSM 编号：C7466371

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

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￥6.29 ￥7.4
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￥5.1595 ￥6.07
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￥4.539 ￥5.34
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￥3.8335 ￥4.51
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￥3.774 ￥4.44
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￥3.638 ￥4.28

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型号：IR2184STRPBF 编号：C2995

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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￥6.71
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￥5.59
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￥4.98
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￥3.84
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￥3.53
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￥3.39

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型号：IRS21867STRPBF 编号：C52290

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

数据手册

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￥6.78
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￥5.7
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￥5.1
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￥4.43
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￥3.47
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￥3.33

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型号：IR2113STRPBF 编号：C2974

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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￥7.18
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￥5.96
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￥5.28
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￥4.1
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￥3.76
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￥3.61

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型号：DRV8840PWPR 编号：C95203

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8840 具有相位/使能控制功能的 45V、5A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥7.8
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￥7.1
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￥6.67
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￥6.22
500+
￥6.02
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￥5.93

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型号：DRV8846RGER 编号：C473340

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8846 具有 1/32 微步进和智能调优自适应衰减的 18V、1.4A 双极步进电机驱动器

数据手册

1+
￥7.94
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￥6.61
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￥5.88
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￥4.9
500+
￥4.54
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￥4.37

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型号：DRV8835DSSR 编号：C129328

封装：WSON-12-EP(2x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8835 12V、1.5A 双路 H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥8.9
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￥7.32
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￥6.45
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￥5.47
500+
￥5.03
1000+
￥4.83

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型号：DRV8912QPWPRQ1 编号：C1855817

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8912-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、12 通道半桥电机驱动器

数据手册

1+
￥11.8
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￥10.03
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￥8.92
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￥7.79
500+
￥7.28
1000+
￥7.06

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型号：DRV8873SPWPR 编号：C2150662

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8873 具有集成电流检测和电流检测反馈功能的 40V、10A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥13.85
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￥11.76
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￥10.46
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￥9.19
500+
￥8.58
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￥8.32

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型号：TPS1HTC30AQPWPRQ1 编号：C22414694

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥21.7
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￥19.17
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￥17.88
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￥16.15
500+
￥15.53
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￥15.27

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型号：DRV103H/2K5 编号：C544418

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV103 8V 至 32V PWM 低侧驱动器 (1.5A/3A)，适用于螺线管、线圈、阀、加热器和灯

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1+
￥27.19
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￥24.02
30+
￥22.41
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￥20.24
500+
￥19.46
1000+
￥19.13

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型号：DRV8353FHRTAR 编号：C1518721

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V（最大值）三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器

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1+
￥30.5
10+
￥27.22
30+
￥25.12
100+
￥23.1

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型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

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1+
￥37.25
10+
￥32.41
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￥29.46
100+
￥26.98

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型号：MP6540GU-Z 编号：C5676249

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6540 和 MP6540A 是三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个 N 沟道功率 MOSFET 组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540 每个半桥都有使能和 PWM 输入。MP6540A 有独立的高端和低端输入；除此之外，这两款器件完全相同。MP6540 可在一秒内提供高达 10A 的峰值电流，连续提供 3A 电流（具体取决于散热和 PCB 条件）。MP6540 使用内部电荷泵为高端 MOSFET 产生栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以维持足够的栅极驱动电压，实现 100% 占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定 (UVLO) 和过流保护 (OCP)。MP6540 采用 QFN - 26（5.0mm×5.0mm）封装。

1+
￥49.293 ￥54.77
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￥44.586 ￥49.54
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￥41.724 ￥46.36
100+
￥39.312 ￥43.68

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型号：IRS44273LTR(UMW) 编号：C20623195

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

IRS44273器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。IRS44273的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

5+
￥1.1941
50+
￥0.934
150+
￥0.8225
500+
￥0.6834
3000+
￥0.6215
6000+
￥0.5843

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型号：IRS2004STR(UMW) 编号：C20623199

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2004S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

5+
￥1.297
50+
￥1.1327
150+
￥1.0623
500+
￥0.9744
2500+
￥0.9353
5000+
￥0.9118

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型号：L9110SM/TR 编号：C725348

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

L9110S 是为控制和驱动电机设计的双通道推挽式功率放大专用集成电路器件，将分立电路集成在单片IC 之中，使外围器件成本降低，整机可靠性提高。该芯片输入端兼容TTL/CMOS 电平，具有良好的抗干扰性；两个输出端能直接驱动电机做正反向运动，它具备较大的电流驱动能力，每通道能通过800mA 的持续电流，峰值电流能力可达1.5A；内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流，使它在驱动继电器、直流电机、步进电机或开关功率管的使用上安全可靠。芯片集成有热关断保护功能模块，检测到芯片PN 结温超过设计阈值时，关断所有电路模块功能。

数据手册

5+
￥1.3007
50+
￥1.0235
150+
￥0.9047
500+
￥0.7565
2500+
￥0.6687
5000+
￥0.6291

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型号：IRS2008STR(UMW) 编号：C20623198

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，最低可至3.3V

5+
￥1.369
50+
￥1.1955
150+
￥1.1212
500+
￥1.0284
2500+
￥0.9871
5000+
￥0.9623

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型号：SLM27524CA-DG 编号：C2921387

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM2752x 系列器件为双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SLM2752x 采用的设计从本质上降低了直通电流，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，传播延迟极短，典型值为 13 ns。

数据手册

5+
￥2.0884
50+
￥1.5713
150+
￥1.3497
500+
￥1.0732
2500+
￥0.95

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型号：6288T-MNS 编号：C49424412

封装：TSSOP-20

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:MOSFET；IGBT 工作电压:4V~18V 上升时间:35ns 描述：三相高低侧功率驱动芯片

5+
￥2.1656
50+
￥1.712
150+
￥1.5176
500+
￥1.275
2500+
￥1.167
4000+
￥1.1022

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型号：COS4428SR 编号：C2685359

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,同反相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

5+
￥2.36
50+
￥1.82
150+
￥1.58
500+
￥1.29
2500+
￥1.16
4000+
￥1.08

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型号：IRS2007STRPBF 编号：C538240

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配，便于HVIC在高频应用中使用。

数据手册