电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥5.149 ￥5.42
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型号：IRS2104STR(UMW) 编号：C20623202

封装：SOP-8

IRS2104STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：SD6287Q 编号：C44606225

封装：QFN-24(4x4)

SD6287是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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型号：COS4426SR 编号：C2685357

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,双反相，双高速低功耗 MOSFET低边驱动器

数据手册

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型号：IR2304STRPBF-JSM 编号：C17701715

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 IR2304S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.898 ￥3.22
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型号：UCC27517ADBVR 编号：C2653784

封装：SOT-23-5

UCC27517A 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计，UCC27517A 能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为13ns）。 UCC27517A 器件能够处理输入上的–5V 电压。

数据手册

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￥2.94
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￥2.08
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型号：EG3116D 编号：C2929098

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

数据手册

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型号：IRS2186STR(UMW) 编号：C20623203

封装：SOP-8

IRS2186STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可低至3.3V

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型号：IRS2113STR(UMW) 编号：C20623178

封装：SOP-16-300mil

IRS2113STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：U3216S-JSM 编号：C44606288

封装：SOP-8

U3216S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

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￥1.82

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型号：IRS21814STR(UMW) 编号：C20623187

封装：SOP-14

IRS21814STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：DRV8251DDAR 编号：C3681116

封装：SO-8-EP

DRV8251 具有集成电流调节和锁存 OCP 功能的 50V、4.1A H 桥电机驱动器

数据手册

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￥3.52
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型号：IRS2104STRPBF 编号：C151525

封装：SOIC-8

IRS2104是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

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￥3.64
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￥2.93
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￥1.52

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型号：IX4424NTR-JSM 编号：C7498964

封装：SOP-8

驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 双通道锁存保护 -40℃到125℃

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￥2.826 ￥3.14
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￥2.088 ￥2.32

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型号：IR21531STRPBF-JSM 编号：C41421804

封装：SOP-8

集成自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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￥4.26
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型号：UCC27282DRCR 编号：C2677035

封装：VSON-10-EP(3x3)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

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￥5.51
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￥3.85
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型号：IR21531STRPBF 编号：C2985

封装：SOIC-8

IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本，它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比，IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同，从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V，抗噪性能得到了显著改善。最后，特别关注了最大化器件的抗闩锁能力，并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。

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￥6.31
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￥3.83
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￥3.37

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型号：SIC634CD-T1-GE3 编号：C2653472

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，提供业界标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。器件还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。

数据手册

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￥6.49
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￥4.67
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￥3.8612 ￥3.94
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￥3.4006 ￥3.47

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型号：IR4427STRPBF 编号：C49058

封装：SOIC-8

IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。

数据手册

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￥5.43
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￥4.23
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￥3.36
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￥3.18

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型号：IR2085STRPbF 编号：C50124

封装：SOIC-8

IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置，其中fOSC = 1/(2*RT*CT)

数据手册

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￥18.75
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￥15
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￥12.66
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￥10.26
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￥9.17
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￥8.7

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型号：DRV8244SQRYJRQ1 编号：C3681071

封装：VQFN-16-HR(3x6)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

数据手册

1+
￥21.07
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￥17.99
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￥16.15
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￥14.24
500+
￥13.39
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￥13

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型号：HCPL-7800-500E 编号：C77959

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

HCPL-7800(A)隔离放大器系列专为电子电机驱动器中的电流检测而设计。在典型应用中，电机电流流经外部电阻，HCPL-7800(A)检测由此产生的模拟电压降。在HCPL-7800(A)光隔离屏障的另一侧会产生差分输出电压。该差分输出电压与电机电流成正比，并且可以像推荐应用电路中所示的那样，使用运算放大器将其转换为单端信号。由于在现代开关逆变器电机驱动器中，几百伏的共模电压在几十纳秒内摆动是常见的，因此HCPL-7800(A)被设计为可忽略非常高的共模瞬态压摆率（至少10 kV/μs）。

数据手册

1+
￥23.81
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￥20.53
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￥16.52
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￥14.55
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￥13.64
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￥13.23

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型号：IRS44273LTR(UMW) 编号：C20623195

封装：SOT-23-5

IRS44273器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。IRS44273的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

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￥1.2243
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￥0.9551
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￥0.8397
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￥0.6958
3000+
￥0.6317
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￥0.5932

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型号：SLM2104SCA-13GTR 编号：C461470

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

数据手册

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￥1.4703
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￥1.1326
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￥0.8092
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￥0.7609

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型号：SD6288Q 编号：C44606223

封装：QFN-24

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。SA6288Q用户可选用SD6288Q

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￥1.704 ￥2.13
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￥1.296 ￥1.62
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￥1.128 ￥1.41
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￥1.096 ￥1.37
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￥1 ￥1.25
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型号：SI7617DN(ES) 编号：C42412335

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

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￥1.79
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￥1.56
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￥1.46
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￥1.34
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￥1.28
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有货

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型号：IRS2008STR(UMW) 编号：C20623198

封装：SOP-8