全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/15A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT 驱动：增强型输入滤波，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。

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型号：LTC1923EGN#TRPBF 编号：C679047

封装：SSOP-28-150mil

是一款脉冲宽度调制器，适用于需要单向或双向驱动电路的热电冷却器（TEC）或加热器应用。所有必要的控制电路和两组互补输出驱动器集成在一起，以驱动全桥，为TEC提供高效的双向电流。只需添加几个外部组件，即可轻松实现精确的温度控制回路，以稳定激光二极管系统的温度，可实现典型的温度设定点精度为 0.1°C。增加一个仪表放大器前端可实现 0.01°C 的设定点稳定性。

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￥199.6032 ￥207.92

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型号：EG1612 编号：C2987441

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：EG(屹晶微)

EG1612芯片是一款专用于逆变器前级推挽或全桥升压的控制芯片，集成了三路高压半桥驱动器，提供了蓄电池欠压和过压关断、欠压蜂鸣和过流关断保护，输出两路推挽模式的40K-111KHz PWM信号，电压反馈采用了浅闭环稳压模式，能实现最高电压限制，防止空载时电压过高而导致烧MOS管的现象，同时节省了变压器输出的滤波电感，降低整体成本及PCB空间。

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型号：SPE30S60F-E 编号：C51037312

封装：DIP-25-DBC

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/30A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：增强型输入滤波，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。

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型号：SLM2136CF-DG 编号：C496628

封装：SOP-28-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:400/380ns，DT:290ns,MT:40ns，MDT:25ns

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型号：LM25037QMTX/NOPB 编号：C2658054

封装：TSSOP-16

LM25037-Q1 汽车类 5.5V 至 75V、1.2A 栅极驱动器、双模式 PWM 控制器，具有交替输出，-40°C 至 125°C

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型号：PD70224ILQ-TR 编号：C2653611

封装：QFN-40(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是双封装的基于MOSFET的全桥整流器。它包含低RDS 0.16 Ω的N沟道MOSFET，可实现更高的整体效率和更高的输出功率，特别是在以太网供电 (PoE) 应用的受电设备中使用时。用于驱动MOSFET的整个驱动电路都集成在芯片上，包括用于驱动高端N沟道MOSFET的电荷泵。与典型正向压降为2000 mV的标准桥式整流器相比，IdealBridge™整流器引入的总正向压降（电桥偏移）在0.6 A时仅为192 mV

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型号：FW360-TL-E-VB 编号：C18212500

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种应用场景，为电路设计提供了灵活的解决方案。SOP8；N+P—Channel沟道；±100V；2.2/-1.9A；RDS(ON)=240/490mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5/-1~3/-2.5V；

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￥1.938 ￥2.04
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型号：SPE20S60F-E 编号：C51037311

封装：DIP-25-DBC

·下臂 IGBT 发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/20A 三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：增强型输入滤波，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。

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型号：MP8049SDU-LF-Z 编号：C6097223

封装：QFN-40(5x5)

品牌：MPS(芯源)

是一个可配置的双通道全桥或四通道半桥，可配置为D类音频放大器的输出级。每个全桥可以独立驱动作为立体声单端音频放大器，也可以在桥接负载（BTL）音频放大器配置中互补驱动。具有低电流关断模式、待机模式、输入欠压保护、电流限制、热关断和故障标志信号输出。所有通道的驱动器都与标准逻辑信号接口。采用40引脚QFN 5X5封装。

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￥28.9195
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型号：SPE15S60E-DZ 编号：C51037309

封装：DIP-28-DBC

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/15A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：高压高速电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于低侧短路（过流）、低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。

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型号：LM74680DRRR 编号：C43351183

封装：WSON-12(3x3)

一款理想二极管桥接控制器，通过驱动四个N沟道MOSFET实现全桥配置。与传统二极管桥接整流器相比，可实现更低的压降和更低的功耗。这种设计有助于简化电源设计、消除散热器需求，并减小PCB面积。内置电荷泵支持使用N沟道MOSFET，比同等功率等级的P沟道MOSFET更小、更具成本效益。此外，该控制器还能对反向电流条件作出快速响应，从而防止发生输入短路事件。具有一个使能引脚，可以通过外部信号启用或禁用栅极驱动器。支持从DC到1kHz的电压整流。器件的额定工作结温范围为 -40℃ 至 +125℃

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型号：FDMF8811 编号：C891032

封装：PQFN-36(6x7.5)

品牌：onsemi(安森美)

100 V 桥式功率级（BPS）模块是一款针对大电流 DC - DC 开关应用进行全面优化的紧凑型集成式 MOSFET 加驱动器功率级解决方案。FDMF8811 将一颗驱动器 IC、两颗功率 MOSFET 和一个自举二极管集成到热性能增强的紧凑型 6.0 mm×7.5 mm PQFN 封装中

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型号：LTC1923EUH#PBF 编号：C580464

封装：QFN-32-EP(5x5)

是一款脉冲宽度调制器，适用于需要单向或双向驱动电路的热电冷却器（TEC）或加热器应用。所有必要的控制电路和两组互补输出驱动器集成在一起，以驱动全桥，为TEC提供高效的双向电流。只需添加几个外部组件，即可轻松实现精确的温度控制回路，以稳定激光二极管系统的温度，可实现典型的温度设定点精度为 0.1°C。增加一个仪表放大器前端可实现 0.01°C 的设定点稳定性。

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型号：ZXMHC3A01N8TC 编号：C264179

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

H桥MOSFET

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￥6.92
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型号：IP6825_NF 编号：C42411078

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：INJOINIC(英集芯)

IP6825是一款无线充电发射端控制SoC芯片，兼容WPC Qi最新标准，支持A11或A11a线圈，支持5W充电。IP6825通过Analog Ping检测无线充接收器，通过Digital Ping建立与无线充接收端之间的通信，通信成功之后，则开始功率传输。IP6825解码从接收器发送的通信数据包，然后用PID算法来改变振荡频率从而调整线圈上的输出功率。一旦接收器上的电池充满电时，IP6825终止电力传输。IP6825片内集成全桥驱动电路和功率MOS，集成电压&电流两路ASK通讯解调模块；方案集成度高，可显著降低方案尺寸和BOM成本。

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￥1.49
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￥1.46

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型号：SPE15S60F-E 编号：C6917305

封装：DIP-25

品牌：吉林华微

特性：下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 600V/15A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 IGBT驱动：高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。应用：冰箱压缩机。空调压缩机

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￥28.71
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￥28.03
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￥27.57

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型号：SIB456DK-T1-GE3 编号：C144888

封装：PowerPAK-SC-75-6L

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,100V,6.3A,0.185Ω@10V

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型号：SEN013DG-TL 编号：C568009

封装：SO-8

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

SENZero™ 是一种紧凑的低成本解决方案，用于消除连接在高压轨和开关电源控制器之间的电阻信号路径中的损耗。示例包括连接到功率因数校正系统中升压控制器的前馈或反馈信号路径，以及双开关正激 / LLC / 半桥和全桥转换器中的前馈信号路径。该器件可根据应用需求提供 2 通道（SEN012）和 3 通道（SEN013）版本。内部栅极驱动和保护电路会根据施加到 VCC 引脚的电压，为内部 650 V MOSFET 提供栅极驱动信号。这种简单的配置通过将系统 VCC 轨用作 SENZero 的输入，便于集成到现有系统中。 SENZero 系列采用低成本的紧凑型 SO-8 封装，以减少 PCB 面积，同时引脚配置设计用于满足引脚间故障条件。

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￥9.49
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￥7.06

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型号：LM25037MTX/NOPB 编号：C2869548

封装：TSSOP-16

LM25037 具有交替输出、工作温度范围为 -40°C 至 125°C 的 5.5V 至 75V、1.2A 栅极驱动器、双模式 PWM 控制器

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￥10.8 / 个

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型号：LKS32MC086FSN8Q8B 编号：C45662026

封装：QFN-52-EP(6x6)

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS32MC086FSN8Q8B是32位内核的面向电机控制应用的专用处理器，同时集成了三相全桥自举式栅极驱动模块，可直接驱动6个N型MOSFET。高可靠性、高集成度、最终产品体积小、节约BOM成本；内部集成4路高速运放和两路比较器，可满足单电阻/双电阻/三电阻电流采样拓扑架构的不同需求；内部高速运放集成高压保护电路，可以允许高电压共模信号直接输入芯片，可以用最简单的电路拓扑实现MOSFET电阻直接电流采样模式；应用专利技术使ADC和高速运放达到最佳配合，可处理更宽的电流动态范围，同时兼顾高速小电流和低速大电流的采样精度；整体控制电路简洁高效，抗干扰能力强，稳定可靠；集成三相全桥自举式栅极驱动模块；支持IEC/UL60730功能安全认证。适用于有感BLDC/无感BLDC/有感FOC/无感FOC及步进电机、永磁同步、异步电机等控制系统。

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￥9.51
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￥7.86
30+
￥6.95
100+
￥5.92
490+
￥5.46
980+
￥5.25

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型号：FDMQ8203 编号：C510968

封装：MLP-12(4.5x5)

品牌：onsemi(安森美)

与二极管桥相比，此四 mosfet 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。

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3000+
￥4.563432
6000+
￥4.52232
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￥4.440096

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型号：LTC4125EUFD#PBF 编号：C687346

封装：QFN-20(4x5)

是一款简单高效的单片全桥谐振驱动器，能够以无线方式向经过适当调谐的接收器传输超过5W的功率。该设备控制串联发射线圈LC网络中的电流，以创建一个简单、安全且通用的无线电源发射器。自动调整其驱动频率以匹配LC网络谐振频率。这种自动谐振开关允许该设备从低电压输入电源（3V至5.5V）向调谐接收器提供最大功率。为了优化系统效率，采用周期性发射功率搜索，并根据接收器负载要求调整发射功率。在故障条件下或检测到异物时停止供电。还包括可编程的最大平均输入电流限制和NTC输入，作为异物和过载保护的附加手段。

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单价：
￥52.38 / 个

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型号：LM5045MH/NOPB 编号：C205984

封装：HTSSOP-28-EP-4.5mm

LM5045 具有集成 MOSFET 驱动器的全桥接 PWM 控制器

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1+
￥50.58
10+
￥43.18
30+
￥38.67
100+
￥34.89

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型号：LTC4125IUFD#PBF 编号：C687348

封装：QFN-20(4x5)