全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：XZ298N 编号：C707119

封装：ZIP-15

品牌：XINLUDA(信路达)

驱动配置：全桥是否隔离：非隔离电源电压：2.5V~46V 特性：过热保护(OPT)

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￥7.81
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￥6.49
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型号：NCV5183DR2G 编号：C603958

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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型号：6EDL04I06NT 编号：C533112

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：UCC27200DR 编号：C181973

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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￥8.73
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型号：L6226QTR 编号：C95357

封装：QFN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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￥11.55
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型号：MP6507GF-Z 编号：C2895015

封装：TSSOP-16-EP

品牌：MPS(芯源)

是一款双极步进电机驱动器，具有由N沟道功率MOSFET组成的双内置全桥。它的电源电压范围为2.7V至15V，每通道可提供高达700mA的电机电流。内部安全功能包括通过外部传感器实现的灌电流和拉电流限制、欠压锁定和热关断。有一个过温输出标志可指示热关断。有16引脚、5.0mm×6.4mm TSSOP-EP和TSSOP、3mm×3mm和4mm×4mm QFN封装，背面带有外露散热垫。

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￥13.7634
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型号：A4989SLDTR-T 编号：C239086

封装：TSSOP-38-4.4mm

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4989是一款双全桥栅极驱动器，集成了微步进转换器，适用于驱动各种大功率工业双极性两相步进电机（通常为30至500 W）。电机功率由外部N沟道功率MOSFET在12至50 V的电源电压下提供。该器件包含两个正弦DAC，为两个独立的固定关断时间PWM电流控制器生成参考电压。这些控制器为外部功率MOSFET全桥提供电流调节。电机步进由两线步进和方向接口控制，可在整步、半步、四分之一步和十六分之一步分辨率下提供完整的微步进控制。固定关断时间调节器能够在慢速、混合或快速衰减模式下运行，从而降低电机可听噪声、提高步进精度并减少功耗。转换器是该IC易于实现的关键。只需在STEP输入上输入一个脉冲，即可驱动电机步进一步（整步、半步、四分之一步或十六分之一步，具体取决于微步选择输入）。无需相位序列表、高频控制线或复杂的接口进行编程。这减少了对复杂微控制器的需求。高端N沟道MOSFET所需的高于电源电压由自举电容提供。通过使用同步整流提高了效率，并且集成的交叉控制和可编程死区时间可保护功率FET免受直通影响。除了交叉电流控制外，内部电路保护还提供带迟滞的热关断和欠压锁定功能。无需特殊的上电时序。该组件采用38引脚TSSOP封装（LD封装）。该封装无铅（Pb），引脚框架采用100%雾锡电镀。

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￥25.61
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￥21.73
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￥19.42

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型号：LT8418ACBZ-R7 编号：C22450844

封装：WLCSP-12

品牌：ADI(亚德诺)

LT8418是一款100V半桥氮化镓（GaN）驱动器，集成了上下桥驱动级、驱动逻辑控制和保护功能。它可配置为同步半桥、全桥拓扑，或降压、升压和升降压拓扑。LT8418具备强大的源/灌电流能力，上拉电阻为0.6Ω，下拉电阻为0.2Ω

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￥56.97
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￥49.32
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￥44.66

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型号：MP6507GR-Z 编号：C3681136

封装：QFN-16(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6507是一款双极步进电机驱动器，内置两个由N沟道功率MOSFET组成的全桥电路。其工作电源电压范围为2.7V至15V，每通道可提供高达700mA的电机电流。内部安全特性包括通过外部传感器实现的灌电流和拉电流限制、欠压锁定和热关断功能

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￥10.896
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￥9.9313
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型号：MP6507GQ-Z 编号：C114141

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：MPS(芯源)

是一款双内置全桥双极步进电机驱动器，由N沟道功率MOSFET组成。它的电源电压范围为2.7V至15V，每通道可提供高达700mA的电机电流。内部安全功能包括通过外部传感器实现的灌电流和拉电流限制、欠压锁定和热关断。有一个过温输出标志，用于指示热关断。采用16引脚、5.0mm×6.4mm TSSOP-EP和TSSOP、3mm×3mm和4mm×4mm QFN封装，背面带有外露散热焊盘。

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￥10.896
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￥8.6841

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型号：FL73282MX 编号：C903681

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动集成电路 FL73282可驱动最高在 +900 V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350 mA / 650 mA，适用于所有类型的半桥和全桥逆变器。

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￥10.92
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型号：LM5046MHX/NOPB 编号：C2869908

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

LM5046 具有集成 MOSFET 驱动器的相移全桥 PWM 控制器

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￥35.2
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￥34.32
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型号：DRV8242SQRHLRQ1 编号：C22428026

封装：VQFN-20-EP(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV824x-Q1 器件系列是完全集成式 H 桥驱动器，适用于各种汽车应用。该器件是一款具有 PWM 或相位使能控制的双向全桥驱动器。该单片功率封装器件系列采用 BiCMOS 大功率工艺技术节点设计，提供了出色的电源处理能力和热性能，不仅封装尺寸小巧、易于布局，还可提供 EMI 控制、精确的电流检测和诊断功能，稳健性较高。该系列提供相同的引脚功能和可扩展的 RON（电流能力），可支持不同的负载。这些器件集成了 N 沟道 H 桥、电荷泵稳压器、高侧电流检测和调节、电流比例输出以及保护电路。还提供了一种低功耗睡眠模式，以实现较低静态电流。这些器件提供电压监测和负载诊断以及过流和过热保护功能。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。这些器件提供三种型号-硬接线接口：HW (H) 和两种 SPI 接口型号：SPI(P) 和 SPI(S)，其中 SPI(P) 用于外部提供的逻辑电源，SPI(S) 用于内部生成的逻辑电源。SPI 接口型号可实现更加灵活的器件配置和故障监测。

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￥36.34
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￥31.36
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￥28.4

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型号：A4987SLPTR-T 编号：C2653562

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4987是一款双DMOS全桥步进电机驱动器，具备并行输入通信和过流保护功能。每个全桥输出的额定电压高达35 V，额定电流为±1 A。A4987包含固定关断时间脉冲宽度调制（PWM）电流调节器，以及2位非线性DAC（数模转换器），可实现对步进电机的整步、半步和四分之一步控制。PWM电流调节器采用专利混合衰减模式，可降低电机可听噪声、提高步进精度并减少功耗。内部提供同步整流控制电路，以改善PWM操作期间的功耗。输出端具备负载短路和接地短路保护功能，可防止驱动器及相关电路因过热损坏或产生闪络。其他保护功能包括带迟滞的热关断、欠压锁定（UVLO）和交越电流保护。无需特殊的上电时序。A4987有两种封装形式，分别为24引脚QFN（ES）和24引脚TSSOP（LP）。两种封装均带有外露散热焊盘，以提高散热性能。24引脚ES封装尺寸为4 mm×4 mm，封装总高度标称值为0.75 mm。24引脚LP封装为TSSOP，引脚间距为0.65，封装总高度≤1.2 mm。两种封装均为无铅（Pb）封装，采用100%雾锡引脚框架电镀工艺。

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￥8.4609 ￥10.71
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￥7.2036 ￥10.44
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￥5.9413 ￥10.07

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型号：UCC27201AD 编号：C1549352

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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￥9.67
10+
￥8.02
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￥7.11

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型号：ZXMHC10A07T8TA 编号：C17342650

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代互补式 MOSFET H 桥的特点是在低栅极驱动下可实现低导通电阻。

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￥12.13
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￥11.72

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型号：EG2126 编号：C480659

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2126是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。 EG2126高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+2.0A/-2.0A，采用SOP28L封装。

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￥12.72
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￥10.82
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型号：6EDL04N02PRXUMA1 编号：C2676965

封装：TSSOP-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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1+
￥26.18
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￥22.25
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￥19.92

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型号：A3908EEETR-T 编号：C459250

封装：TDFN-8-EP(2x2)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3908是一款低压双向直流电机驱动器，典型输入电压范围为3至5.5 V，输出电流高达500 mA。独特的输出全桥采用源极侧线性操作，可使电机线圈两端保持恒定电压。这种经过调节的输出能最大程度减少因I×RDS（导通）变化和电池电压容差导致的电机电压变化

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￥11.34
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￥9.05
30+
￥7.62

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型号：A3909GLYTR-T 编号：C2649425

封装：MSOP-10-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3909是一款双全桥电机驱动器，专为12 V中功率应用而设计。输出额定工作电源范围为4至18 V，每相电流可达1 A。对于更高电流的单直流电机应用，可将输出并联。四个输入（IN1至IN4）可控制直流电机的正转、反转、制动和滑行模式，或控制双极步进电机的全步和半步模式。 A3909采用带外露散热焊盘的10引脚MSOP封装（后缀LY）和适用于波峰焊应用的10引脚SSOP封装（后缀LN）。两种封装均为无铅（Pb）封装，引脚框架采用100%雾锡电镀。

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￥13.52
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￥11.36
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￥10
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￥8.61

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型号：UCC27200D 编号：C181386

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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1+
￥18.25
10+
￥15.55
30+
￥13.95

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型号：A4992KLPTR-T 编号：C459295

封装：TSSOP-20-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4992是一款灵活的微步进电机驱动器，集成了相电流控制和内置转换器，操作简便。它是一款单芯片解决方案，旨在以高达28 V的电压驱动双极步进电机，支持全步、半步、四分之一步、八分之一步和十六分之一步模式。上电时，A4992配置为通过简单的步进和方向输入驱动大多数小型步进电机。电流调节器采用固定频率PWM工作。它使用自适应混合电流衰减来降低电机可听噪声并提高步进精度。电机各相的电流通过DMOS全桥控制，采用同步整流以改善功耗。内部电路和定时器可防止在高端和低端驱动器之间切换时发生交叉导通和直通。输出具备短路保护功能，还包含低负载电流和转子堵转检测功能。芯片级保护包括热警告、过温关断以及过压和欠压锁定。可使用STEP、DIR和MS输入的可选串行接口模式来配置多个电机控制参数和进行诊断。A4992采用带外露散热焊盘的20引脚TSSOP功率封装（封装类型LP）。该封装无铅（Pb），引脚框架采用100%雾锡电镀。A4992是一款汽车步进电机驱动器，适用于高温应用，如前照灯弯曲和水平调节、节气门控制和气体再循环控制。它还适用于其他低电流步进应用，如空调和通风。它提供了一种通过简单的步进和方向输入控制的灵活微步进电机驱动器。它还可以切换到可选的串行接口模式，通过SPI兼容串行接口进行配置和驱动。两个DMOS全桥能够以高达28 V的电压驱动双极步进电机，支持全步、半步、四分之一步、八分之一步和十六分之一步模式，相电流高达±1.4 A，但受功耗和环境温度限制。对于大多数应用，典型相电流高达±750 mA。步进电机各相的电流由工作在自适应混合衰减模式下的固定频率峰值检测PWM电流控制方案调节。这为广泛的电机和运行条件降低了电机可听噪声并提高了步进精度。输出具备短路保护功能，还包含开路负载和转子堵转检测功能。芯片级保护包括热警告、过温关断以及过压和欠压锁定。

1+
￥22.48
10+
￥19.05
30+
￥17.01
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￥14.95

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型号：UCC27201ADRMR 编号：C2876552

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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1+
￥27.61
10+
￥23.54
30+
￥21.11

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型号：L6227D 编号：C2970439

封装：SOIC-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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1+
￥80.75
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￥69.55
30+
￥62.73

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型号：UC3770BN 编号：C1556090

封装：PDIP-16

品牌：TI(德州仪器)

是高性能全桥驱动器，提供比其他产品更高的电流和更低的饱和电压。包含LS-TTL兼容逻辑输入、电流检测、单稳态、热关断和功率H桥输出级。两个该产品和几个外部组件可形成一个完整的微处理器可控步进电机电源系统。需要外部高端钳位二极管。两款产品除电流检测阈值外完全相同，其中一款的阈值允许在不需要高端二极管的应用中直接替换，另一款的阈值适用于需要50%、71%和100%电流水平的半步应用。指定在0℃至70℃的环境温度下工作。

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1+
￥93.72
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￥89.04
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￥80.92

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型号：LT8722AV#PBF 编号：C18166937

封装：LQFN-18(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款高性能、高效率的单片全桥DC/DC转换器。全桥的一侧由脉宽调制（PWM）降压功率级驱动，而另一侧由线性功率级驱动。仅需一个电感器，即可向负载提供高达±54W的功率。集成的25位数模转换器（DAC）用于控制输出电压

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￥131.28
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￥125.16
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￥114.55

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型号：DMHC4035LSDQ-13 编号：C3279753

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代互补 MOSFET H 桥在 SO-8 封装中集成了 2N 和 2P 通道。该 H 桥符合 AEC-Q101 标准，非常适合驱动：螺线管、直流电机、音频输出。

1+
￥7.16
10+
￥5.79
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￥5.11

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型号：UCC27201D 编号：C544969

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器系列包括一个120V自举二极管以及高端和低端驱动器，具有独立输入，可实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间的匹配时间为1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，若驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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￥8.51
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￥7.07
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￥6.28

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型号：MS35631N 编号：C5372125

封装：QFN-36-EP(6x6)

品牌：杭州瑞盟

MS35631是一款四通道DMOS全桥驱动器，可以驱动两个步进电机或者四个直流电机。每个全桥的驱动电流在24V电源下可以工作到1A。集成了固定关断时间的PWM电流校正器，以及一个2bit的非线性DAC（数模转换器），可以工作在全步进，半步进，四分之一步进，正转，反转以及待机模式。PWM电流校正器使用混合衰减模式，可以减小音频电机噪声，提高步进精度以及降低功耗。芯片还内置内部同步整流控制电路以降低PWM工作时的功耗。芯片集成的保护电路有热关断迟滞，低压关断保护(UVLO)以及翻转电流保护，因此可以不需要特定的电源启动次序。

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￥9.61
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￥7.99
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￥7.1

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型号：TB6641FTG,8,EL 编号：C2150520

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6641FG/FTG是一款采用MOS输出晶体管的全桥直流电机驱动器。低导通电阻MOS工艺和PWM控制可高效驱动直流电机。可通过IN1和IN2选择四种运行模式：顺时针（CW）、逆时针（CCW）、短路制动和停止

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